Flash-Speicher

Über 30 Milliarden US-Dollar an Schulden: Die Tsinghua Unigroup braucht Geld, bis Herbst 2021 ist noch Zeit, das Unternehmen zu retten.

Der 3D-NAND von YMTC hält mit Flash-Speicher von Kioxia und Micron mit, eine damit versehene Asgard-SSD schafft bis zu 7,5 GByte/s.

Ein Kreditgeber der Tsinghua Unigroup fordert eine Restrukturierung des halbstaatlichen Unternehmens wegen ausstehender Zahlungen.

Samsung, Infineon und NXP mussten Fabriken während der Unwetter stilllegen. Das wirkt sich auf Computertechnik und Autoindustrie aus.

Bis zu 4 TByte und ein neuer Controller: In der überarbeiteten Crucial X6 Portable SSD steckt mehr als nur eine verdoppelte Kapazität.

Die NAND-Chips mit 512 GBit und später 1 TBit Kapazität sind laut SK Hynix die kompaktesten am Markt, bisher lag Micron hier vorne.

Flash Memory Summit 2020 Erste Consumer-SSDs von Crucial sollen bereits mit dem 3D-NAND v5 ausgestattet sein, weitere SSDs werden 2021 folgen.

Das 3D-NAND-Geschäft geht zu SK Hynix nach Südkorea, die 3D-Xpoint-Abteilung hingegen behält Intel selbst.

Es wird von Samsung eine 2,5-Zoll-QVO mit doppeltem Speicher geben. Das wäre eine der ersten 8 TByte großen SSDs für den Endkundenmarkt.

Damit hat YMTC in kürzester Zeit die Flash-Speicher-Konkurrenz aus den USA eingeholt.

Beim Flash-Speicher der Crucial P2 wechselt der Hersteller.

Das gemeinsame Package spart Platz und Energie, sagt Micron.

Das Joint Venture aus Kioxia und Western Digital hat die Schichten des eigenen Flash-Speichers von 96 auf 112 gesteigert. Die Kapazität ändert sich nicht, die Produktion der Chips wird kostengünstiger.

Die BX500 gibt es mittlerweile auch mit 1 TByte und 2 TByte Kapazität. Crucial verwendet bei den Sata-SSDs jedoch tendenziell langsameren Flash-Speicher als bei den kleineren Modellen.

Heutige SSDs gibt es in allerhand Formfaktoren mit diversen Anbindungen und Protokollen, selbst der verwendete Speicher ist längst nicht mehr zwingend NAND-Flash. Wir erläutern die Unterschiede und Gemeinsamkeiten der Solid State Drives.
Von Marc Sauter

Zwei chinesische Hersteller haben die Fertigung von DRAM- und Flash-Speicher als Serienproduktion mit respektabler Stückzahl aufgenommen. Das ist wichtig für Smartphones, denn bisher stammen der LPDDR4- und NAND-Speicher vornehmlich aus den USA oder Südkorea.

2020 will Intel seine vierte 3D-NAND-Generation veröffentlichen, sie basiert auf 144 Flash-Speicher-Schichten. Zukünftig sollen damit auch Zellen mit 5 Bit (PLC) umgesetzt werden. Zudem gibt es Neuigkeiten zu Optane-Modulen und -SSDs mit Intels nicht flüchtigem 3D-XPoint-Speicher.

Der taiwanische Speicherspezialist Lite-On will einen Teil seines Geschäfts an Toshiba Memory, auch bekannt als Kioxia, verkaufen. Deutlich mehr als 100 Millionen US-Dollar wird die Übernahme kosten.

Toshiba Memory, das bald als Kioxia bekannt werden wird, hat eine Enterprise-SSD vorgestellt, die PCIe in der Version 4.0 unterstützt. Die SSD im U.3-Format darf ein bis drei Mal pro Tag überschrieben werden und schafft mehr als 6 GByte/s.

Flash Memory Summit 2019 Die sechste Generation von Samsungs 3D-Flash-Speicher erhöht die Anzahl der Layer von 92 auf 136, es bleibt jedoch vorerst bei einer Kapazität von 256 GBit pro Die. Somit sind die Chips kleiner, schneller und sparsamer.

Nach Toshibas Notebook-Sparte, die Dynabook heißt, wird auch die Speichersparte des japanischen Konzerns umbenannt. Mit einer Ausnahme gilt das für fast alle Töchter der Toshiba Memory Holding.

Eine der Flash-Fabriken von Toshiba und Western Digital wurde bereits Mitte Juni 2019 von einem Stromausfall in Mitleidenschaft gezogen. Der Ausfall war zwar nur wenige Minuten lang, dennoch sind die Anlagen noch nicht wieder in Betrieb.

Mit dem 4D-NAND v2 alias 3D-NAND v6 liegt SK Hynix vor der Konkurrenz: Der Flash-Speicher nutzt 128 Zellschichten für eine Kapazität von 1 TBit pro Chip, er befindet sich laut den Südkoreanern bereits in der Serienfertigung.

Vertikale Integration bei SK Hynix: Die Enterprise-SSD des Herstellers basiert auf einem eigenen Controller, eigenem DRAM und eigenem Flash-Speicher. Das NVMe-Drive soll 8 TByte Kapazität haben und sehr effizient sein.

Verteilt auf 96 Schichten und mit 4 Bit pro Zelle: SK Hynix hat begonnen, SSD-Controller-Hersteller mit dem hauseigenen 4D-NAND zu bemustern. Der Flash-Speicher hat 1 TBit pro Die und ist für SSDs mit bis zu 16 TByte Kapazität gedacht.

Bisherige SSDs basieren zumeist auf Komponenten aus den USA, aus Südkorea und aus Taiwan. Das Modell von Longsys hingegen kombiniert einen Controller von Maxiotek mit NAND-Flash-Speicher von YMTC, somit kommen alle Bauteile aus China.

Beim Optane Memory H10 kombiniert Intel auf einem M.2-Kärtchen zwei Speicher-Typen: Nicht-flüchtiger 3D Xpoint trifft auf QLC-Flash. So sollen Programme besonders schnell laden, aber dennoch bis zu 1 TByte Speicherplatz für Ultrabooks gegeben sein.

Die Compute Card verschwindet, das eigentliche Compute Modul bleibt jedoch: Intel wird die PCs in Kreditkartenform nicht weiter fortführen, aber Partner mindestens noch zwei Jahre mit neuer Hardware versorgen.

Die SSD-Preise sinken weiter. Bald könnten Überkapazitäten beim Flash-Speicher erreicht sein. Festplatten lohnen sich immer weniger.
Eine Analyse von Andreas Sebayang

Mit einer neuen UFS-Generation schafft es Samsung, vor allem die Lesegeschwindigkeit noch einmal deutlich zu erhöhen. Bei Schreiboperationen gelingt es dem Unternehmen jedoch nicht, die Abstände vergrößern sich.

CES 2019 Der sperrig benannte Optane Memory H10 ist eine NVMe-SSD, die 3D-Xpoint-Speicher als Cache und 4-Bit-NAND als Storage nutzt. Mangels Controller muss Intel mit einer Software-Lösung arbeiten.

CES 2019 In Las Vegas zeigt Sandisk ein kleines Laufwerk mit USB-C-Kabel und satten 4 TByte Kapazität. Der Prototyp basiert wahrscheinlich auf dem neuen 96-Layer-Flash-Speicher und gibt einen Ausblick auf zukünftige Formfaktoren.

Das Joint Venture ist zu Ende: Micron kauft Intels Anteile für 1,5 Milliarden US-Dollar und betreibt die Fabriken dann alleine. Intel produziert künftig ebenfalls selbst, vor allem aber wird 3D Xpoint fortgeführt.

Lange nach Mitbewerbern wie Samsung und Intel hat Crucial seine erste NVMe-SSD vorgestellt. Die P1 nutzt einen SMI-Controller und QLC-Flash mit vier Bit pro Speicherzelle. Ergo fällt die Geschwindigkeit hoch aus, allerdings wie üblich nur unter bestimmten Bedingungen.

Man nehme einen gereiften Controller und einen aktuellen 3D-Flash-Speicher, fertig ist eine ordentliche SSD: Die M9Pe von Plextor zeigt eine gute Leistung, allerdings ist sie schlecht lieferbar und die Konkurrenz günstiger.
Ein Bericht von Marc Sauter

Die HyperX Fury RGB nutzt als eine der ersten internen SSDs eine Beleuchtung per RGB-LEDs. Kingston hat es dabei aber offenbar übertrieben, denn die Lämpchen befinden sich direkt auf der Platine, benötigen mit vier Watt sehr viel Energie und heizen daher die SSD stark auf.

Lieber die Vormachtstellung ausnutzen statt zu investieren. Der US-Nachrichtendienst Bloomberg befürchtet, dass Samsung die Preise für Flash-Speicher hoch halten will, nachdem das Unternehmen Erwartungen für 2019 nach unten korrigiert hat. Eine Alternative wäre es, zu investieren und einen Vorsprung zu den zwei verbliebenen Konkurrenten aufzubauen.

Bisher konnten interessierte Käufer schnelle Datacenter-SSDs von Samsung einzig auf Umwegen über OEMs erhalten, gleich vier neue Modelle verkaufen die Südkoreaner aber nun auch direkt.

Mit den BX500 aktualisiert Crucial seine günstige SSD-Familie: Die Drives nutzen aktuellen 3D-Flash-Speicher und einen Controller ohne DRAM-Cache, weshalb sie zu niedrigen Preisen angeboten werden.

Flash Memory Summit 2018 SK Hynix' fünfte Generation von 3D-Flash-Speicher heißt 4D-NAND, weil die Logik nach unten wandert und Toshibas neuer XL-Flash soll extrem niedrige Latenzen aufweisen, um mit Samsungs Z-NAND zu konkurrieren.

Mit der SSD 660p veröffentlicht Intel ein Drive, das 3D-Flash-Speicher mit 4 Bit pro Zelle nutzt. Die NVMe-SSD ist dank PCIe Gen3 x4 und Pseudo-SLC-Puffer zudem durchaus flott und obendrein günstig im Preis.

Flash Memory Summit 2018 Die Yangtze Memory Technologies Company will 3D-Flash-Speicher liefern, der doppelt so schnell ist wie der von Samsung, allerdings weniger Kapazität aufweist. Hintergrund ist die getrennte Fertigung von NAND- und I/O-Wafern.

Größer als angekündigt: Der von Toshiba und Western Digital entworfene BiCS4-Flash-Speicher fasst 1,33 TBit pro Die - mehr als jeder andere sonst. Die beiden Hersteller nutzen 96 Schichten aus 4-Bit-Zellen.

Die Serienproduktion des V-NAND v5 ist angelaufen. Samsungs Flash-Speicher hat 92 Schichten und vorerst 256 GBit pro Die. Er nutzt ein DDR4-Interface für mehr Geschwindigkeit - dennoch ist der NAND sparsam.

Weil die drei größten Speicherhersteller der Welt - Samsung, Micron und SK Hynix - untereinander die Preise ausgemacht haben sollen, greift China ein. Die Wettbewerbshüter könnten eine Milliardenstrafe verhängen.

Die 5120 Ion von Micron ist die erste SSD mit QLC-Flash-Speicher. Der Hersteller schichtet 64 Zellebenen und erreicht so 1 TBit pro Chip, die Enterprise-SSD wiederum gibt es mit bis zu 8 TByte Kapazität.

Um mittelfristig mit den USA konkurrieren zu können, stärkt die chinesische Regierung ihre Halbleiter-Unternehmen. Ein Fonds von 47 Milliarden US-Dollar soll die Entwicklung und Fertigung von CPUs sowie GPUs vorantreiben, auch RAM- und NAND-Flash-Hersteller dürften davon profitieren.

Mit Standardgehäuse und SATA-Schnittstelle will Nimbus Data die klassische HDD im Rechenzentrum ersetzen. Die Exadrive DC100 hat erstmals eine Kapazität von 100 TByte. Die dafür benötigten Controller brauchen aber etwas mehr Strom.

Bis in China die Produktion von Flash-Speicher in großen Mengen anläuft, wird Intel die Tsinghua Unigroup mit NAND-Wafern versorgen. Die chinesische Yangtze Memory Technologies Company (YMTC) fertigt bisher nur veraltete Flash-Technik. In Südkorea rüstet Samsung derweil stark auf.

Nach Samsung und Toshiba beginnt Micron mit der Fertigung von Flash-Speicher mit vier Bit pro Zelle, also Quadruple Level Cells. Vorerst sind nur Enterprise-SSDs mit Sata-Interface geplant.