Flash-Speicher

Das Joint Venture ist zu Ende: Micron kauft Intels Anteile für 1,5 Milliarden US-Dollar und betreibt die Fabriken dann alleine. Intel produziert künftig ebenfalls selbst, vor allem aber wird 3D Xpoint fortgeführt.

Lange nach Mitbewerbern wie Samsung und Intel hat Crucial seine erste NVMe-SSD vorgestellt. Die P1 nutzt einen SMI-Controller und QLC-Flash mit vier Bit pro Speicherzelle. Ergo fällt die Geschwindigkeit hoch aus, allerdings wie üblich nur unter bestimmten Bedingungen.

Man nehme einen gereiften Controller und einen aktuellen 3D-Flash-Speicher, fertig ist eine ordentliche SSD: Die M9Pe von Plextor zeigt eine gute Leistung, allerdings ist sie schlecht lieferbar und die Konkurrenz günstiger.
Ein Bericht von Marc Sauter

Die HyperX Fury RGB nutzt als eine der ersten internen SSDs eine Beleuchtung per RGB-LEDs. Kingston hat es dabei aber offenbar übertrieben, denn die Lämpchen befinden sich direkt auf der Platine, benötigen mit vier Watt sehr viel Energie und heizen daher die SSD stark auf.

Lieber die Vormachtstellung ausnutzen statt zu investieren. Der US-Nachrichtendienst Bloomberg befürchtet, dass Samsung die Preise für Flash-Speicher hoch halten will, nachdem das Unternehmen Erwartungen für 2019 nach unten korrigiert hat. Eine Alternative wäre es, zu investieren und einen Vorsprung zu den zwei verbliebenen Konkurrenten aufzubauen.

Bisher konnten interessierte Käufer schnelle Datacenter-SSDs von Samsung einzig auf Umwegen über OEMs erhalten, gleich vier neue Modelle verkaufen die Südkoreaner aber nun auch direkt.

Mit den BX500 aktualisiert Crucial seine günstige SSD-Familie: Die Drives nutzen aktuellen 3D-Flash-Speicher und einen Controller ohne DRAM-Cache, weshalb sie zu niedrigen Preisen angeboten werden.

Flash Memory Summit 2018 SK Hynix' fünfte Generation von 3D-Flash-Speicher heißt 4D-NAND, weil die Logik nach unten wandert und Toshibas neuer XL-Flash soll extrem niedrige Latenzen aufweisen, um mit Samsungs Z-NAND zu konkurrieren.

Mit der SSD 660p veröffentlicht Intel ein Drive, das 3D-Flash-Speicher mit 4 Bit pro Zelle nutzt. Die NVMe-SSD ist dank PCIe Gen3 x4 und Pseudo-SLC-Puffer zudem durchaus flott und obendrein günstig im Preis.

Flash Memory Summit 2018 Die Yangtze Memory Technologies Company will 3D-Flash-Speicher liefern, der doppelt so schnell ist wie der von Samsung, allerdings weniger Kapazität aufweist. Hintergrund ist die getrennte Fertigung von NAND- und I/O-Wafern.

Größer als angekündigt: Der von Toshiba und Western Digital entworfene BiCS4-Flash-Speicher fasst 1,33 TBit pro Die - mehr als jeder andere sonst. Die beiden Hersteller nutzen 96 Schichten aus 4-Bit-Zellen.

Die Serienproduktion des V-NAND v5 ist angelaufen. Samsungs Flash-Speicher hat 96 Schichten und vorerst 256 GBit pro Die. Er nutzt ein DDR4-Interface für mehr Geschwindigkeit - dennoch ist der NAND sparsam.

Weil die drei größten Speicherhersteller der Welt - Samsung, Micron und SK Hynix - untereinander die Preise ausgemacht haben sollen, greift China ein. Die Wettbewerbshüter könnten eine Milliardenstrafe verhängen.

Die 5120 Ion von Micron ist die erste SSD mit QLC-Flash-Speicher. Der Hersteller schichtet 64 Zellebenen und erreicht so 1 TBit pro Chip, die Enterprise-SSD wiederum gibt es mit bis zu 8 TByte Kapazität.

Um mittelfristig mit den USA konkurrieren zu können, stärkt die chinesische Regierung ihre Halbleiter-Unternehmen. Ein Fonds von 47 Milliarden US-Dollar soll die Entwicklung und Fertigung von CPUs sowie GPUs vorantreiben, auch RAM- und NAND-Flash-Hersteller dürften davon profitieren.

Mit Standardgehäuse und SATA-Schnittstelle will Nimbus Data die klassische HDD im Rechenzentrum ersetzen. Die Exadrive DC100 hat erstmals eine Kapazität von 100 TByte. Die dafür benötigten Controller brauchen aber etwas mehr Strom.

Bis in China die Produktion von Flash-Speicher in großen Mengen anläuft, wird Intel die Tsinghua Unigroup mit NAND-Wafern versorgen. Die chinesische Yangtze Memory Technologies Company (YMTC) fertigt bisher nur veraltete Flash-Technik. In Südkorea rüstet Samsung derweil stark auf.

Nach Samsung und Toshiba beginnt Micron mit der Fertigung von Flash-Speicher mit vier Bit pro Zelle, also Quadruple Level Cells. Vorerst sind nur Enterprise-SSDs mit Sata-Interface geplant.

Mehrere große Hersteller von Wafer für Mikrochips erhöhen 2018 und 2019 die Preise für ihre Siliziumscheiben. Davon betroffen sind praktisch alle Chips - also Prozessoren, GPUs und SoCs, aber auch Sensoren sowie DRAM und Flash-Speicher.

Intel und Micron werden bei der Entwicklung sowie Fertigung von Flash-Speicher künftig nicht mehr zusammenarbeiten. Das bedeutet jedoch keinesfalls das generelle Aus der Partnerschaft. Für 3D-NAND scheint sich Intel nun China zuzuwenden.

Aufgrund massiv gestiegener Kosten für DRAM und Flash-Speicher bittet die verantwortliche chinesische Ökonomie-Kommission die Unternehmen Micron sowie Samsung und SK Hynix zum Gespräch. Die Rede ist von Preisabsprachen.

Nach monatelangen Verhandlungen hat sich der US-Finanzinvestor Bain im Bieterwettstreit um Toshibas Speicherchip-Sparte durchgesetzt. Doch ein Rechtsstreit mit Western Digital belastet den Deal.

Alles, was für Büroarbeiten gebraucht wird: Medion bietet bei Aldi-Nord ein 13-Zoll-Convertible für 350 Euro an. Es hat einen Full-HD-Touchscreen und einen Pentium-Prozessor mit vier Kernen. Abstriche werden beim Massenspeicher und beim RAM gemacht.

Ifa 2017 Die neue Ultra Plus fasst knapp ein halbes Terabyte, das sind über 50 Prozent mehr als bisherige Micro-SD-Speicherkarten. Allerdings arbeitet Sandisks neues Modell mit dem älteren UHS-I-Standard, weshalb es eine Weile dauert, es zu befüllen.

Flash Memory Summit 2017 Für künftige SSDs mit NVMe-Protokoll: Silicon Motion hat vom Einsteiger- ohne DRAM-Cache bis hin zum Topmodell mit vier PCIe-Gen3-Lanes und acht Flash-Speicher-Kanälen neue Controller vorgestellt. Bald steht PCIe Gen4 auf dem Plan.

Flash Memory Summit 2017 Sehr viel Kapazität und hohe Transferrate: Seagate zeigt eine SSD, die aus mehreren kleinen SSDs besteht. Obendrein gibt es neue Modelle der Nytro-Serie mit mehr Speicherplatz.

Flash Memory Summit 2017 Vier statt drei Bit pro Speicherzelle und noch mehr Schichten: Samsungs V-NAND v5 genannter Flash-Speicher liefert doppelt so viel Kapazität wie bisher. Obendrein gibt es einen neuen Formfaktor für Server-SSDs und eine zweite Generation von Z-NAND.

Entweder verlötet oder gesteckt im M.2-Formfaktor: Toshibas BG3 sind SSDs von der Größe eines Daumennagels mit bis zu einem halben Terabyte Speicherplatz. Sie integrieren 3D-Flash-Speicher und einen Controller, statt DRAM gibt es einen Software-Cache.

Fast alle Geschäftsbereiche bei Intel florieren gerade, insbesondere beim Flash-Speicher und dem Internet der Dinge konnte der Hersteller zulegen. Der größte Umsatz wird allerdings mit CPUs gemacht - die neuen Skylakes lassen grüßen.

Eine Insolvenz von Toshiba wäre eine der größten in der japanischen Geschichte. Jetzt könnte es doch noch dazu kommen.

Vier statt drei Bit je Zelle: Der BiCS3 X4 genannte Flash-Speicher von Western Digital kommt so auf hohe 768 GBit. Vorerst wird der Hersteller aber nur Prototypen präsentieren.

Mit aktuellen Xeon-Prozessoren und All-Flash-Speichern sollen Huaweis Fusionserver V5 überzeugen. Sie sollen auch für KI-Aufgaben geeignet sein und Microsofts Hybrid-Cloud-API Azure Stack unterstützen - damit wäre Huawei eines der ersten Unternehmen, die das Tool verwenden.

Mit Flash-Speicher ausgestattete SSDs haben Festplatten bei der Kapazität längst überholt, neuestes Beispiel ist die UHC-Silo von Viking Technology. Sie fasst 50 Terabyte in 3,5 Zoll und nutzt ein SAS-Interface. Kuriose Randnotiz: Die SSD lässt sich pro Tag nicht voll beschreiben obwohl das die Garantie vorsieht.

Statt mehrere Chips einzeln mit Drähtchen zu verbinden, werden sie bei Toshibas 3D-Flash-Speicher durch vertikale Stäbchen (TSV) in den Dies verschaltet. Das soll die Effizienz verdoppeln und bis zu 1 TByte pro SSD-Package ermöglichen.

Der südkoreanische Hersteller SK Hynix hat die Serienproduktion des 3D-Flash-Speichers der vierten Generation aufgenommen. Dank 72 Zellschichten sichern die für SSDs gedachten Chips vorerst 256 GBit. Die Ausbeute soll erfreulich hoch ausfallen.

Eines der teuersten Halbleiterwerke der Welt hat seine Arbeit aufgenommen: In Samsungs Fab im südkoreanischen Pyeongtaek wird V-NAND v4 für SSDs produziert. Insgesamt möchte der Hersteller rund 26 Milliarden US-Dollar investieren, zudem bestätigte er ein neues OLED-Panel-Werk.

Die neue Intel-SSD 545s ist die erste mit 3D-Flash-Speicher, der 64 Zellschichten verwendet. Die Chips fassen 256 GBit und sind sehr kompakt, was sie günstig macht. Die Geschwindigkeit stimmt offenbar auch - testen konnten wir das aber bisher nicht.

Toshiba und Western Digital haben den BiCS4 vorgestellt: Der 3D-Flash-Speicher schichtet 96 Lagen an vierbittigen Zellen (Quadruple Level Cell, QLC) für 1 TBit pro Chip übereinander. Damit sind einseitig bestückte M.2-SSDs mit 6 TByte Kapazität denkbar.

Finanziell schwer angeschlagen will Toshiba sich dennoch den Käufer seiner Flashsparte nach nationalen Gesichtspunkten aussuchen. Ob der Plan aufgeht, ist noch offen.

Der neue 3D-Flash-Speicher von Samsung liefert eine um ein Viertel höhere Geschwindigkeit, jedoch keine gestiegene Kapazität. Statt 512 GBit pro Chip weist der V-NAND v4 weiterhin 256 GBit auf. Erste SSDs für ausgewählte Partner gibt es bereits.

Netapps neue hyperkonvergente Server teilen sich in Module auf. Massenspeicher und Rechenressourcen sind getrennt und werden in Gehäusen für bis zu vier dieser Blöcke verkauft. Die Vorteile: leichte Skalierbarkeit und schnelle Aufbauzeit. Die Bindung an den Anbieter ist jedoch Pflicht.

Computex 2017 Western Digital stattet seine Blue 3D genannten SSDs mit geschichtetem Flash-Speicher aus. Dadurch sinkt die Leistungsaufnahme deutlich und die Kapazität verdoppelt sich. Das gleiche Modell wird auch als Sandisk Ultra III 3D verkauft.

Beim Lesen fast genauso schnell wie MLC-Flash: Die neuen SAS-SSDs von HGST für den Serverbereich können auch mit TLC-Flash bestellt werden, der auf dem Papier gute Leistungswerte bringt. Das Problem ist die Zuverlässigkeit im Dauerbetrieb.

Bei DRAM und Flash-Speicher zum Marktführer Samsung aufschließen - das ist das Ziel des erst knapp ein Jahr alten chinesischen Unternehmens YMTC, das zum staatlichen Tsinghua-Konzern gehört. Hersteller wie Micron deuten an, dass dort Informationsdiebstahl begangen wird.

Nach der Übernahme von Sharp greift Taiwans Elektronikhersteller Foxconn nach einem weiteren japanischen Unternehmen. Das Gebot für Toshibas Chipsparte übertrifft die der Konkurrenz deutlich.

Flash-Speicher für die Hosentasche: Western Digital bringt seine erste externe SSD, die über USB-C verbunden wird. Sie soll nicht nur sehr schnell, sondern auch besonders sicher und stabil sein.

Die IOPS und die Übertragungsrate pro Sekunde scheinen bei Samsungs Z-SSDs nicht außergewöhnlich hoch, dafür soll die Latenz überzeugen. Zur Haltbarkeit des eingesetzten NAND-Flash-Speichers hält sich der Hersteller allerdings noch bedeckt.

Dell, HPE, IBM, Allnet und Hitachi: Alle großen Unternehmen im Bereich Storage verlieren an Umsatz. Interessant wird es bei der Verteilung des Umsatzes: All-Flash-Speicher legt um mehr als die Hälfte zu und die Gigabyte-Preise sinken drastisch.

MWC 2017 Eine Antwort an die Konkurrenz sind die neuen eMMC-Speicherbausteine von Western Digital. Unter der Marke Sandisk wendet das Unternehmen sein 3D-Herstellungsverfahren an, um die Bausteine auch für Smartphones passend zu machen. Das Ergebnis ist überraschend schnell.

Nur wenige Wochen nach dem Start der Fertigung meldet Toshiba die Auslieferung von Musterstückzahlen seiner neuen 512-GBit-TLC-Chips. Mit Toshibas Technik wären 1-TByte-SSDs mit nur einem Chip-Package möglich.