NAND: Micron zeigt 232L-Speicher und WD den BiCS+

Beide Hersteller haben NAND-Flash mit höherer Dichte und gesteigerter Geschwindigkeit angekündigt, der für etwa SSDs gedacht ist.

Artikel veröffentlicht am 13. Mai 2022, 16:20 Uhr, Marc Sauter

Ein Wafer von Mircon (Bild: Micron)

Auf dem Investor Day 2022 von Micron und dem Investor Day 2022 von Western Digital gab es Neuerungen aus dem Bereich des NAND-Flash-Speichers, wie er für SSDs oder Smartphones verwendet wird: Micron stellte den 3D-NAND v6 mit 232 Schichten vor und Western Digital den BiCS+ als Nachfolger von BiCS6.

Micron hat bisher den 3D-NAND v5 mit 176 Layern im Angebot, wobei der Speicher aus zwei Stacks (88+88) besteht und initial als 512-GBit-Dies mit TLC produziert und später mit 1-TBit-QLC wurde. Der neue NAND-Flash mit 232 Schichten soll 1 TBit als TLC aufweisen und erneut aus zwei kombinierten Stapeln bestehen.

Wie gehabt wird die Kontrolllogik unter dem Speicher verbaut, Micron spricht von CuA (CMOS under Array). Ohne ins Detail zu gehen, gibt der Hersteller an, dass die Dichte und Geschwindigkeit steigen sowie die Effizienz besser ausfallen sollen als beim 3D-NAND v5. Ende des Kalenderjahres 2022 soll die Produktion des neuen Flash-Speichers anlaufen.

Auch Flash Forward erhöht auf über 200 Layer

Western Digital nennt den Nachfolger von BiCS6 nicht BiCS7, sondern (vorerst?) BiCS+. Der BICS6 weist als 1-TBit-QLC-Die mit 162 Schichten laut Hersteller die höchste Dichte auf, da die Chips mit 68 mm² ein bisschen kompakter sind als die 176-Layer-Versionen von Micron (69,3 mm²) und SK Hynix (69,6 mm²). Zum BiCS+ gab Western Digital keine exakte Schichthöhe (2XX) an, machte aber Performance-Angaben.

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Der BiCS+ soll über 200 Schichten aufweisen ... (Bild: WD)

Der NAND-Flash-Speicher soll eine um 55 Prozent höhere Dichte und eine um 60 Prozent gesteigerte Transferrate aufweisen, die Zellen sollen sich um 15 Prozent schneller programmieren lassen. Der Roadmap zufolge wird der BiCS+ ab Ende 2023 produziert, wobei sich Western Digital hier auf die Fab des japanischen Partners Kioxia (einst Toshiba) Memory verlässt. Das gemeinsame Joint Venture heißt Flash Forward.

Samsung hat derzeit den V-NAND v7 mit 176 Schichten im Angebot, der V-NAND v8 soll ebenfalls auf über 200 Layer kommen. Beide Flash-Speicher-Varianten wurden allerdings noch nicht offiziell eingeführt, sondern einzig auf Konferenzen wie der ISCC 2021 besprochen respektive auf dem Samsung Tech Day 2021 kurz angerissen.