YMTC: China produziert 1,33-TBit-Flash-Speicher

Damit hat YMTC in kürzester Zeit die Flash-Speicher-Konkurrenz aus den USA eingeholt.

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Flash-Speicher mit 128 Lagen und 1,33 TBit Kapazität
Flash-Speicher mit 128 Lagen und 1,33 TBit Kapazität (Bild: YMTC)

Der chinesische Hersteller YMTC (Yangtze Memory Technologies Company) hat das Sampling von größerem und schnellerem NAND-Flash-Speicher an Partner begonnen. Das als X2-6070 bezeichnete Design hat die Evaluierungsphase hinter sich und wurde laut YMTC mit mehreren SSD-Controllern getestet. Mit 128 Schichten und einer Kapazität von 1,33 TBit (167 GByte) pro Chip ist das X2-6070 auf Höhe von Designs etablierter Hersteller aus Südkorea und den USA.

YMTC zufolge basiert der X2-6070 auf Zellen mit 4 Bit (Quad Level Cell, QLC) und wird von einem X2-9060 genannten Chip mit ebenfalls 128 Layern flankiert, welcher mit 3 Bit pro Zelle (Triple Level Cell, TLC) arbeitet. Dieses Design hat 512 GBit (64 GByte) pro Die, soll aber höhere Schreibraten erreichen als das QLC-Modell. Für beide Varianten wird auf Xtacking 2.0 gesetzt.

So nennt die YMTC ein Verfahren, bei dem der 3D-NAND auf einem eigenen Wafer und auch das notwendige I/O-Array auf einem eigenen Wafer gefertigt werden. Beide Scheiben kontaktiert der Hersteller anschließend durch (Through Silicon Vertical Interconnect Access, TSV), so dass die Logik unter dem NAND sitzt. Die Geschwindigkeit soll 1,6 GBit/s betragen und wäre damit ungefähr auf dem Niveau anderer Flash-Produzenten.

Marktführer Samsung fertigt derzeit den V-NAND v6 mit 136 Layern und bis zu 512 GBit (TLC), den älteren V-NAND v5 gibt es auch als QLC-Variante mit 1 TBit. Bei Flash Forward, also Kioxia und Western Digital, ist der BiCS5 mit 112 Lagen und 1,33 TBit (QLC) der aktuelle Stand. Von SK Hynix wiederum stammt der 3D-NAND v6 mit 128 Ebenen für 1 TBit (TLC).

Die Yangtze Memory Technologies Company ist eine Ausgründung der Tsinghua Unigroup, hinter der die chinesische Regierung steht. YMTC fertigt bei der Fab-Tochter XMC, für Logikchips gibt es lokal SMIC.

Auch die Ziguang Group für DRAM entstammt der Tsinghua Unigroup, mit CXMT (Changxin Memory Technologies) alias Innotron und JHICC (Fujian Jinhua Integrated Circuit Company) gibt es zwar noch weitere chinesische Hersteller für Arbeits- und Flash-Speicher, der Ausstoß ist aber bisher nicht ansatzweise mit dem aus Südkorea und den USA vergleichbar.

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