4D-NAND v4: SK Hynix' 238-Layer-Flash-Speicher ist der dichteste

Mehr Kapazität pro Fläche gibt es nirgends sonst: SK Hynix hat den dichtesten NAND entwickelt, wohlgemerkt als TLC-Variante.

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SK Hynix' 238-Layer-Flash-Speicher
SK Hynix' 238-Layer-Flash-Speicher (Bild: SK Hynix)

SK Hynix hat den 4D-NAND v4 angekündigt, bei dem es sich genau genommen weiterhin um 3D-NAND handelt: Der südkoreanische Hersteller stapelt gleich 238 Schichten aus Flash-Speicher-Zellen übereinander, was mehr als bei sämtlicher Konkurrenz ist.

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Derzeit liefert SK Hynix den NAND an Partner aus, die Serienfertigung soll im ersten Halbjahr 2023 beginnen. Es handelt sich bei dem Flash-Speicher um Dies mit drei Bit pro Zelle (TLC, Triple Level Cell) und 512 GBit Kapazität, später sollen Chips mit 1 TBit (eventuell mit QLC) folgen. SK Hynix spricht von 4D-NAND, weil auch die I/O-Logik gestapelt ist, das machen andere Hersteller jedoch genauso, ohne es entsprechend zu vermarkten.

Upgrade auf 2.400 MT/s für mehr Leistung

Laut den Südkoreanern soll die Produktivität um 34 Prozent gesteigert worden sein, was ein winziges Die von nur 35 mm² bedeuten könnte. Zur Performance sagt SK Hynix, dass die Interface-Geschwindigkeit um 50 Prozent auf 2.400 MT/s erhöht wurde. Das entspricht dem, was etwa auch Micron beim 3D-NAND v6 angekündigt hat.

Hinsichtlich der Effizienz vermeldet SK Hynix, dass der 4D-NAND v4 beim Lesen von Daten rund 21 Prozent sparsamer als sein Vorgänger sein soll, nennt aber keine expliziten Werte. Die Südkoreaner verwenden den Flash-Speicher üblicherweise für eigene SSDs, allerdings fährt der Hersteller seit der Übernahme von Intels NAND-Sparte zweigleisig. Die Solidigm genannte Tochter nutzt den Intel-Flash, etwa für die aktuelle P41 Plus genannte SSD.

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Intel hatte einst ein als IMFT bezeichnetes Joint-Venture mit Micron, das auch den 3D-Xpoint-Phasenspeicher umfasste. Beide Hersteller gehen mittlerweile getrennte Wege, die 3DXP-Technik samt den darauf basierenden Optane-Produkten hat Intel kürzlich eingestellt.

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