SST und Powerchip entwickeln dritte SuperFlash-Generation
Flash-Speicher soll Datendichten von bis zu 16 GBit erreichen. Silicon Storage Technology (SST) will zusammen mit dem taiwanesischen DRAM-Hersteller Powerchip Semiconductor Corporation (PSC) die dritte Generation seiner SuperFlash-Speicher-Technologie entwickeln. Die SuperFlash-Zelle wird derzeit von PSC auf Basis eines 0,11-Mikron-Prozesses entwickelt, soll künftig aber auch in Strukturgrößen von 90 und später 65 Nanometern hergestellt werden.
Als erstes Produkt soll ein 2-GBit-Flash-Medium entstehen, das zu aktuellen Flash-Speichern kompatibel ist. Die Massenproduktion soll im Jahr 2005 starten.
SST bietet auf Basis seiner SuperFlash-Technologie eigene Produkte an, lizenziert diese aber auch an andere Unternehmen. Zu den Lizenznehmern zählen unter anderem IBM, Motorola, NEC, Samsung, Toshiba und TSMC. Insgesamt seien seit 1993 rund 2,5 Milliarden SuperFlash-Einheiten von den Lizenznehmern ausgeliefert worden.
Bot die erste Generation nur Kapazitäten von 256 KBit bis 16 MBit, bringt es die aktuelle, zweite Generation auf bis zu 256 MBit. Mit der dritten Generation, die seit dem letzten Jahr entwickelt wird, will man nun Speicherdichten von bis zu 16 GBit erreichen.