AMD: 8-MBit-Flash-Memory für 1,8 V und Bluetooth-Anwendungen
"Konsumenten erwarten stets mehr von portablen Elektroniksystemen und möchten künftig auch fortschrittliche Bluetooth- und GPS-Funktionen nutzen können, ohne jedoch Nebeneffekte, wie zum Beispiel eine verkürzte Batterielebensdauer, in Kauf nehmen zu müssen" , so Ian Williams, Vice President of Customer Operations bei AMDs Memory Group.
So benötigt der Baustein zum Beispiel für einen Lesezugriff lediglich 90 Nanosekunden und zum Schreiben eines Wortes nur 7 Mikrosekunden. "Während andere Flash-Memory-Anbieter ihr Produktportfolio im Low-Density-Bereich reduzieren oder sich komplett aus der Fertigung von einigen Flash-Bausteinen mit niedrigen Speicherkapazitäten zurückziehen, entwickeln wir weiterhin Produkte für unsere Kunden, die auf spezielle Marktanforderungen zugeschnitten sind" , so Williams.
Die 90 ns schnellen Lesezugriffe ermöglichen einen Datendurchsatz von bis zu 22 MBit/s. Der Stand-by-Strombedarf liegt bei 0,2 Mikroampere, während ein Lesestrom von nur 5 Mikroampere für zusätzliche Leistungseinsparungen im aktiven Systembetrieb sorgen soll. Das Modul ist in einem 6 mm x 8 mm großen FBGA-Gehäuse untergebracht und hält nach Herstellerangaben über eine Million Lese-/Schreibzyklen sowie einen Datenerhalt von 20 Jahren bei 125 Grad Celsius aus.