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STMicroelectronics: 90 nm NOR Flash ab 2004

Flash-Speicher mit höherer Speicherdichte als Prototypen gefertigt

STMicroelectronics hat eine NOR-Flash-Memory-Speicherzelle angekündigt, die in 90-Nanometer-Technik hergestellt wird und vor allem für Niederspannungs-Anwendungen gedacht ist. Eine einzelne, quadratische NOR-Flash-Zelle hat eine Kantenlänge von 0,08 Micron.

Artikel veröffentlicht am ,

Die bisherigen, in 130-Nanometer-Fertigungstechnik gefertigten NOR-Flash-Zellen belegen laut STMicroelectronics noch doppelt so viel Platz. Die neue Technik wurde auf einem 1-MBit-Speicherchip-Prototypen demonstriert. Zudem wurden Prototypen mit 128 MBit angekündigt, die allerdings noch in der Entwicklung sind.

Die Massenproduktion von NOR-Flash-Speichern mit 90-nm-Fertigungstechnik soll bei STMicroelectronics im Jahr 2004 beginnen.

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