Infineon steigt in den Flash-Speichermarkt ein
"Durch die Ergänzung um Flash-Produkte baut Infineon sein Speicherproduktportfolio wesentlich aus und kann seine Speicherproduktion nun flexibel zwischen DRAM und Flash aufteilen" , erläuterte Dr. Harald Eggers, Leiter des Geschäftsbereiches für Speicherprodukte bei Infineon. "Die TwinFlash-Technologie erlaubt uns die Produktion von Flash-Speichern auf vorhandenem Equipment aus der DRAM-Fertigung und damit den Einstieg in einen neuen Markt ohne wesentliche Investitionen in zusätzliche Produktionsanlagen."
TwinFlash basiert auf Saifuns NROM-(Nitrided-Read-Only-Memory-)Technologie, einer nichtflüchtigen Speichertechnologie, die von Saifun entwickelt wurde und in den letzten Jahren bereits als Basis für NOR-Flashs und EEPROMs genutzt wurde. Bei dieser Technologie werden zwei (Twin) separate Bits in einer Transistorzelle gespeichert. Im Gegensatz zu vergleichbaren Floating-Gate-Technologien mit nur einem Bit pro Zelle und äquivalenten Prozess-Strukturen bietet TwinFlash auf Grund der Speichertechnik mit 2 Bits/Zelle um 40 Prozent kleinere Chip-Abmessungen und weniger Belichtungsmasken, woraus sich äußerst konkurrenzfähige Produktionskosten ergeben sollen.
Bis Ende 2004 sind mehr als 10.000 Wafer pro Monat auf Basis der 170-nm-Technologie geplant. Die nächste TwinFlash-Generation mit Strukturen von nur 110 nm befindet sich bereits in Entwicklung. Damit will Infineon die Kostenposition noch weiter verbessern und höhere Dichten mit bis zu 2 GBit realisieren.
Der 512-MBit-Flash-Speicherchip wird im TSOP-Gehäuse angeboten und zielt auf den Halbleiter-Wechselspeichermarkt mit Produkten wie SD, MMC und Compact-Flash-Karten oder Memory-Sticks, die hauptsächlich in Digitalkameras und PDAs verwendet werden, ab.