3D-Flash und DRAM: Chinas Ambitionen im Speichersegment sind gigantisch

Bei DRAM und Flash-Speicher zum Marktführer Samsung aufschließen - das ist das Ziel des erst knapp ein Jahr alten chinesischen Unternehmens YMTC, das zum staatlichen Tsinghua-Konzern gehört. Hersteller wie Micron deuten an, dass dort Informationsdiebstahl begangen wird.

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Ein Wafer mit DRAM-Chips
Ein Wafer mit DRAM-Chips (Bild: XMC)

Die YMTC-Tochter der chinesischen Tsinghua Unigroup rüstet auf und möchte innerhalb der kommenden Jahre zu einem führenden Fertiger bei 3D-NAND-Flash-Speicher und DRAM werden. Das berichtet die Digitimes, die Charles Kau, Executive VP der Tsinghua Unigroup, zitiert. Die Yangtze Memory Technologies Corporation existiert erst seit Sommer 2016 und plant, für exorbitante 24 Milliarden US-Dollar eines der weltweit größten Halbleiterwerke in China sowie zwei weitere teure Fabs zu bauen.

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Laut Charles Kau sollen noch 2017 erste Muster von 3D-Flash-Speicher mit 32 Zellschichten an Partner geliefert werden. Bis 2019 möchte die Yangtze Memory Technologies Corporation dann die Serienfertigung von Chips mit 64 Layern starten und bis 2020 sei der Rückstand auf Marktführer Samsung auf nur noch zwei Jahre verkürzt. Im gleichen Zeitraum würde die YMTC somit mehrere Konkurrenten überholen, sagte Kau. Die 3D-Flash-Speicher-Technik ist allerdings nicht selbst entwickelt, sondern stammt von der Fab-Tochter XMC, die eine Partnerschaft mit Spansion aus Kalifornien eingegangen ist.

An den Finanzen scheitert es nicht

Zur Tsinghua Unigroup gehören neben der YMTC auch noch Spreadtrum und RDA Microelectronics, die beide Mobile-SoCs herstellen. Durch die Übernahme von XMC hat sich die Tsinghua Unigroup zudem in den DRAM-Markt eingekauft, auch hier sind die Ambitionen hoch. Obendrein scheint Geld keine Rolle zu spielen: Der US-amerikanische Speicherhersteller Micron etwa hat angedeutet, dass zu der YMTC gewechselte Mitarbeiter dort viel mehr Gehalt bekommen und auch Informationen mitnehmen würden. Kau bestreitet das.

Die bei Nanjing geplante DRAM-Fab ist mit 30 Milliarden US-Dollar noch teurer als das 3D-Flash-Werk bei Wuhan. Wie Computerbase aber zusammenfasst, herrscht bei vielen Analysten und Marktforschern große Skepsis, da es der Tsinghua Unigroup an der nötigen Infrastruktur und dem Know-how mangle. China sieht das jedoch offenbar anders.

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