3D-Flash-Speicher: Micron stellt erweiterte Fab 10X fertig

Knapp 24.000 Quadratmeter mehr Reinraumfläche: In der Fab 10 in Singapur möchte Micron verstärkt 3D-Flash-Speicher produzieren. Das lässt sich der Hersteller einige Milliarden US-Dollar kosten.

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Fab 10 in Singapur
Fab 10 in Singapur (Bild: Micron)

Micron hat die Fertigstellung der neuen Fab 10 verkündet. Das Halbleiterwerk wurde 2008 als F10N eröffnet und seit Frühling 2015 ausgebaut, die Erweiterung nennt der Hersteller F10X. Sie steht in Singapur, dort wird 3D-NAND-Flash-Speicher für SSDs wie die MX300-Serie der Crucial-Tochter produziert. Die Erweiterung umfasst rund 23.700 Quadratmeter (grob vier Fußballfelder) an Reinraum, der für die Fertigung eingesetzt wird.

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Vorerst wird in kleineren Mengen produziert, die volle Kapazität soll 2017 erreicht sein, wenn die nunmehr fast verdoppelte Reinraumfläche komplett ausgenutzt werden kann. Die Kosten für den Umbau beziffert Micron auf vier Milliarden US-Dollar. Der Hersteller ist vor SK Hynix und nach Samsung sowie Flash Forward (Sandisk mit Western Digital) der drittgrößte Fertiger, produziert wird in Kooperation mit Intel. Aktuell ist Micron bei 3D-Flash-Speicher mit 384 GBit pro Chip angelangt, abgesehen von Samsung mit 512 GBit sind 256 GBit der Standard. Die dritte Generation von 3D-NAND möchte Micron ab 2017 fertigen.

Auch die Konkurrenz hat in den vergangenen Monaten die eigenen Halbleiterproduktionsstätten erweitert: Flash Forward stellt die Fab 2 in Yokkaichi, Japan, fertig. Sie soll künftig eine doppelt so hohe Fertigungskapazität aufweisen wie Samsungs derzeit größte Fab. Wie alle anderen Werke von Flash Forward steht auch die Fab 2 in Japan, was eher untypisch ist.

Samsung produziert unter anderem in Südkorea und in den Vereinigten Staaten, Intel Micron Flash Technologies (IMFT) ebenfalls in den USA, aber auch in der Republik China (etwa in der Fab 68 in Dalian) und in Singapur.

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