Archiv-SSD: Toshiba plant Flash-Speicher mit Quadruple-Level-Cells
Toshiba hat auf einer Keynote auf dem Flash Memory Summit 2015 in Santa Clara, Kalifornien, angekündigt, an Flash-Speicher mit Quadruple-Level-Cells für Archiv-SSDs zu arbeiten. Bei dieser Technologie kann jede Zelle 4 Bits speichern und somit 16 Zustände einnehmen. Heutiger Flash-Speicher arbeitet mit bis zu 3 Bits (Triple-Level-Cell) und somit 8 Zuständen. Verglichen mit Zellen, die 1 Bit oder 2 Bits sichern, steigt allerdings die Ausfallrate, wenn häufig Daten auf den Flash-Speicher geschrieben werden.
Folgerichtig sieht Toshiba den in Entwicklung befindlichen NAND-Flash mit Quadruple-Level-Cells in erster Linie als Basis für Archiv-SSDs, bei denen die Informationen einmalig geschrieben und anschließend nur noch gelesen werden. Je mehr Ladungszustände eine Zelle einnehmen kann, desto eher treten bei Schreibvorgängen kleine Schäden an der Struktur auf, die mittelfristig zu einem Defekt führen können. Gesicherte Daten sind dann verloren.
Verglichen mit aktuellem, planarem MLC-Flash im 15-nm-Verfahren, der 2 Bits pro Zell speichert, soll die Haltbarkeit von künftigen Archiv-SSDs mit geschichteten Quadruple-Level-Cells um 50 Prozent besser ausfallen. Toshiba trickst allerdings bei der Berechnung dieser Angabe, da der sich in Entwicklung befindliche QLC-Speicher die vierfache Kapazität pro Fläche aufweist.
Der Hersteller machte keine Angabe, wann die ersten Archiv-SSDs mit auf Quadruple-Level-Cells basierendem Flash-Speicher erscheinen sollen. Eine ebenfalls auf der Keynote gezeigte Roadmap lässt aber vermuten, dass es noch ein paar Jahre dauern dürfte – denn Festplattenkapazität ist weiterhin günstiger als die von SSDs, wenngleich HDDs langsamer arbeiten.