Sandisk und Toshiba: Flash-Speicher wird kleiner

Sandisk und Toshiba kündigen die Einführung eines neuen Herstellungsprozesses für Flash-Speicher an. Der von Sandisk als 1Ynm bezeichnete Prozess bringt mehr Speicherkapazität auf weniger Raum unter.

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NAND-Flash in neuem 19-Nanometer-Prozess
NAND-Flash in neuem 19-Nanometer-Prozess (Bild: Toshiba)

Mit der zweiten Generation ihres 19-Nanometer-Prozesses zur Herstellung von NAND-Flash verkleinern Sandisk und Toshiba die einzelnen Speicherzellen um rund 25 Prozent. Bei Sandisk schrumpfen die Zellen von 19 x 26 Nanometern auf 19 x 19,5 Nanometer. Damit lässt sich dann mehr Speicherkapazität auf gleichem Raum unterbringen.

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Toshiba nutzt den neuen Prozess, um zunächst NAND-Chips mit 64 Gigabit Speicherkapazität (8 GByte) herzustellen, die 2 Bit pro Zelle speichern und gerade einmal 94 Quadratmillimeter groß sind. Mit einigen von Toshiba entwickelten Methoden sollen die Chips Daten mit 25 MByte pro Sekunde schreiben. Ab dem dritten Quartal 2013 sollen auch Chips folgen, bei denen pro Zelle 3 Bit gespeichert werden. Zunächst will Toshiba Chips für Smartphones und Tablets mit eMMC-Controller herstellen, später auch Chips für SSDs.

Auch Sandisk hat solche Chips mit 3 Bit pro Zelle in dem neuen 19-Nanometer-Prozess schon in Aussicht gestellt und verspricht den bislang günstigsten Flash-Speicher. Einen Zeitplan hat Sandisk aber nicht vorgelegt.

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