Flashspeicher

20-Nanometer-Chips mit 8 GByte von Intel und Micron

Intel und Micron nehmen die Fertigung von NAND-Flash in einem 20-Nanometer-Prozess auf. Die ersten damit gefertigten Chips bringen 8 GByte MLC-NAND-Flash auf einer Fläche von nur 118 Quadratmillimetern unter.

Artikel veröffentlicht am 15. April 2011, 9:08 Uhr, Jens Ihlenfeld

Mit ihrem neuen 20-Nanometer-Prozess verkleinern Intel und Micron die Größe von Flashspeicher-Chips deutlich. Benötigt ein vergleichbarer 8-GByte-Chip in Intels 25-Nanometer-Technik noch eine Fläche von 131 Quadratmillimetern, reichen bei einem 20-Nanometer-Chip 118 Quadratmillimeter aus. Das ermöglicht es, die Ausmaße der Platine, abhängig vom Gehäusetyp, um bis zu 40 Prozent zu verringern, so Intel.

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Links zwei NAND-Flash-Dies mit jeweils 32 GBit in 34-Nanometer-Technik. In der Mitte ein 64-GBit-Die in 25-Nanometer-Technik und rechts ein 64-GBit-Die in 20-Nanometer-Technik

Kleinere Speicherchips bedeuten vor allem bei sehr kompakten Geräten wie Smartphones zugleich mehr Platz für Akku und Display oder eben mehr Speicher.

Gefertigt werden die 20-Nanometer-Chips von IM Flash Technologies, dem NAND-Flash-Joint-Venture von Intel und Micron. Die kleineren Chips haben für die Hersteller dabei einen weiteren großen Vorteil: Die Herstellungskosten pro GByte sinken.

Erste Prototypen der 20-Nanometer-Chips mit 8 GByte werden bereits produziert, die Serienfertigung beginnt voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2011. Bis dahin wollen Intel und Micron auch erste NAND-Flash-Chips mit 16 GByte präsentieren. Damit sollen sich dann auf der Fläche einer Briefmarke rund 128 GByte Speicherkapazität unterbringen lassen.