Flashspeicher

Samsung fertigt 64-GBit-NAND in 20-Nanometertechnik

Samsung fertigt NAND-Flash mit 3 Bit pro Zelle in 20-Nanometer-Technik. Gedacht sind die Chips mit bis zu 64 GBit Kapazität vor allem für USB-Speichersticks.

Artikel veröffentlicht am 13. Oktober 2010, 9:44 Uhr, Jens Ihlenfeld

Im August 2010 hatten Intel und Micron angekündigt, zusammen NAND-Chips mit 3 Bit pro Zelle in 25-Nanometer-Technik herzustellen. Kurz darauf folgte Toshiba mit der Ankündigung von MLC-NAND in 24-Nanometertechnik. Samsung geht noch einen kleinen Schritt weiter und fertigt nun NAND-Flash mit 3 Bit pro Zelle in 20-Nanometertechnik.

Die Umstellung auf Herstellungsprozesse in kleineren Strukturgrößen erlaubt es bei konstanter Größe, Chips mit höherer Speicherkapazität zu fertigen, beziehungsweise bei gleicher Speicherkapazität kleinere Chips herzustellen. Das spart nicht nur Platz, sondern senkt auch die Kosten pro GByte. Im Vergleich zur bisherigen Fertigung von 32-GBit-Chips mit 3 Bit pro Zelle in 32-Nanometertechnik soll die Produktivität mit dem neuen Prozess um 60 Prozent steigen, so Samsung.

Samsung bringt, wie auch die Konkurrenz, 64 GBit (8 GByte) auf einem Chip unter und speichert dabei 3 Bit pro Zelle alias Triple-Level-Cell (TLC). Das erlaubt die Fertigung besonders günstiger Chips, hat aber auch einen handfesten Nachteil: Während SLC robuster und schneller ist als MLC-Speicher, sind die TLC-Chips noch unterhalb von MLC anzusiedeln. Die Chips sind also vor allem für Geräte gedacht, bei denen es nicht auf hohe Leistung oder besondere Zuverlässigkeit ankommt, beziehungsweise bei denen der Preisdruck sehr hoch ist, wie es bei USB-Speichersticks der Fall ist.

Samsungs NAND-Chips nutzen dabei ToggleDDR, was für höhere Geschwindigkeit sorgen soll: Das von Samsung und Toshiba entwickelte DDR-Interface (Double-Data-Rate) für die konventionelle SDR-NAND-Architektur (Single-Data-Rate) erreicht bis zu 133 MBit/s. Die nächste Generation, ToggleDDR 2.0, soll bereits 400 MBit/s schaffen.

Bereits seit April 2010 fertigt Samsung NAND-Chips in 20-Nanometertechnik, bislang aber nur mit einer Kapazität von 32 GBit.