Schnittstelle für NAND-Chips
ToggleDDR 2.0 soll Flash-Speicher schneller machen
Samsung und Toshiba wollen mit ToggleDDR 2.0 NAND-Chips beschleunigen. Gegenüber der ursprünglichen Roadmap wurden die Ziele höher gesteckt.
Flash-Speicherchips, die ToggleDDR 2.0 unterstützen, sollen deutlich schneller angesprochen werden können. Unterstützt das mit ToggleDDR 1.0 eingeführte DDR-Interface (Double-Data-Rate) für die konventionelle SDR-NAND-Architektur (Single-Data-Rate) nur maximal 133 MBit/s, sollen es bei ToggleDDR 2.0 bis zu 400 MBit/s sein.
Die ursprüngliche Roadmap für ToggleDDR sah zunächst für die zweite Generation nur einen Sprung auf 200 MBit/s vor, 400 MBit/s waren erst für die dritte Generation angepeilt. Zum Vergleich: SDR-NAND erreicht nur 40 MBit/s.
Darüber hinaus kommt ToggleDDR mit einer geringeren Spannung aus. Werden für SDR-NAND 3,3 Volt benötigt, kann ToggleDDR auch mit 1,8 Volt arbeiten.
Von ToggleDDR 2.0 sollen in Zukunft unterschiedliche Geräte profitieren, in denen Flash-Speicher zum Einsatz kommt, von SSD über Mobiltelefone bis hin zu Unterhaltungselektronik. Samsung und Toshiba wollen entsprechende Chips anbieten, was aber nicht bedeutet, das diese auch gleich schnell genug sein werden, die Bandbreite der neuen Schnittstelle auszunutzen.
Um für eine möglichst breite Akzeptanz der neuen Schnittstelle zu sorgen, beteiligen sich die beiden Unternehmen an der Entwicklung einer entsprechenden Spezifikation im Rahmen des Standardisierungsgremiums JEDEC.
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