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Intels Fab 68 in Dalian, China produziert Flash-Speicher
Intels Fab 68 in Dalian, China produziert Flash-Speicher (Bild: Team Hardware Venezuela)

Fab 68: Intel investiert 5,5 Milliarden US-Dollar in Flash-Fertigung

Intels Fab 68 in Dalian, China produziert Flash-Speicher
Intels Fab 68 in Dalian, China produziert Flash-Speicher (Bild: Team Hardware Venezuela)

Nichtflüchtiger Speicher bleibt wichtig: Intel plant bis zu 5,5 Milliarden US-Dollar in die Fab 68 in China zu stecken. Dort wurden Chipsätze produziert, künftig soll 3D-NAND-Flash-Speicher gefertigt werden.

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Intels General Manager der Non-Volatile Memory Solutions Group, Rob Crooke, hat angekündigt, eine Fertigungsstätte in China mit einer Investition von mehreren Milliarden US-Dollar auf- und umzurüsten. Damit will Intel künftig die Kapazitäten seiner Flash-Speicher-Produktion erhöhen, um konkurrenzfähig zu bleiben. In die Fab 68 in Dalian sollen bis zu 5,5 Milliarden US-Dollar investiert werden, damit ab dem zweiten Halbjahr 2016 die ersten 3D-NAND-Chips vom Band laufen können, sofern keine Verzögerungen eintreten.

Die Fab 68 wurde 2010 eröffnet und kostet 2,5 Milliarden US-Dollar. In den vergangenen Jahren wurden dort Chipsätze (Platform Controller Hubs) im 65-nm-Verfahren auf 300-mm-Wafern gefertigt. Darunter fallen alle PCHs einschließlich dem Z77 (Panther Point) für Sandy/Ivy Bridge DT und dem X79 (Patsburg) für Sandy/Ivy Bridge EP. Ab dem Z87 (Lynx Point) für Haswell DT und X99 (Wellsburg) für Haswell EP stieg Intel auf 32-nm-Technik um.

3D-NAND-Flash- und 3D-Xpoint-SSDs ab 2016

Durch die Umrüstung verstärkt Intel seine Ambitionen, eigene Produkte mit 3D-NAND-Flash auszustatten. Entsprechende 384-GBit-Dies (48 GByte) mit mehreren Schichten aus Triple-Level-Cells will Intel im laufenden vierten Quartal produzieren, erste darauf basierende SSDs sollen 2016 veröffentlicht werden. Geplant sind unter anderem Flash-Drives im M.2-Formfaktor mit mehr als 3,5 TByte und 2,5-Zoll-SSDs mit mehr als zehn TByte Kapazität.

Neben 3D-NAND-TLC-Flash arbeitet Intel an der 3D-Xpoint-Technologie, ebenfalls ein nichtflüchtiger Speicher. Dieser wird in Lehi im US-Bundesstaat Utah bei Micron gefertigt - das Joint Venture nennt sich IMFT (Intel/Micron Flash Technology). Produkte mit 3D Xpoint werden von Intel als Optane vermarket, neben NV-DIMMs soll es auch PCIe-SSDs geben. Die Demo auf dem IDF 2015 war überzeugend: Die Input-/Output-Operationen pro Sekunde von 3D Xpoint lagen weitaus höher als die einer DCP3700, die der schnellen SSD 750 ähnelt.


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