128-GBit-Chip: Intel und Micron verdoppeln die Kapazität von Flash-Speicher

Intel und Micron haben mit ihrem Joint Venture IMFT erstmals MLC-NAND-Flash mit 20-Nanometer-Strukturen und einer Kapazität von 128 GBit auf einem Chip hergestellt. Zuvor brachten die beiden nur 64 GBit auf einem solchen Chip unter.

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MLC-NAND-Flash: Chip mit 128 GBit Speicherkapazität
MLC-NAND-Flash: Chip mit 128 GBit Speicherkapazität (Bild: Intel)

Die von IM Flash Technologies (IMFT), einem Gemeinschaftsunternehmen von Intel und Micron, in einem 20-Nanometer-Prozess hergestellten MLC-NAND-Flash-Chips verfügen über eine Kapazität von 128 GBit, also 16 GByte. In einem Paket aus 8 solcher Chips lässt sich damit 1 TBit (128 GByte) an Daten speichern.

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Möglich mache die hohe Speicherdichte eine neue, planare Zellenstruktur. Diese lasse sich aggressiver skalieren als herkömmliche Architekturen. Zudem kommen erstmals Hi-K-/Metall-Gatter-Stacks in der NAND-Produktion zum Einsatz. So lassen sich damit üblicherweise bei Flash-Speicher auftretende Probleme umgehen, so dass die Chips eine ähnliche Leistung bieten sollen wie Chips der vorhergehenden Generation.

Die mit der neuen Architektur hergestellten Chips sollen der Spezifikation ONFI 3.0 entsprechen und eine Geschwindigkeit von 333 Megatransfers pro Sekunde erreichen. Sie sind damit für den Einsatz in mobilen Endgeräten und SSDs gedacht.

Massenproduktion von 64-GBit-Chips

Zugleich vermelden Intel und Micron den Start der Massenproduktion von MLC-NAND-Flash mit 64 GBit pro Chip. Anfang 2012 soll die Produktion dann auf die neuen 128-GBit-Chips umgestellt werden. Erste Muster der 128-GBit-Chips sollen bereits im Januar verfügbar sein, die Massenproduktion im Laufe des ersten Halbjahres starten.

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