Triple-Level-Cell: 15 Nanometer für Flash-Speicher
Die nächste Generation NAND-Flash-Speicher wird im 15-Nanometer-Verfahren gefertigt und setzt auf die TLC-Technik. Sandisk sowie Toshiba haben den Start der Speicherchips auf Frühsommer 2014 datiert, die ersten Bausteine sollen 128 Gigabit (also 16 GByte) fassen. Sie werden unter anderem für USB-Sticks, Speicherkarten und SSDs verwendet.
Bisher wurde NAND-Flash im 19-Nanometer-Verfahren produziert, neben SLC- war MLC-Speicher der vorherrschende Standard. Beim teuren Single-Level-Cell wird nur je ein Bit pro Zelle gespeichert, bei Multi-Level-Cell für gewöhnlich zwei. Folgerichtig entspricht Triple-Level-Cell 3 Bit pro Zelle, wodurch die Speicherkapazität pro Flash-Baustein steigt, diese kleiner werden und mehr Chips auf einen Wafer passen. TLC ermöglicht somit eine günstigere Produktion bei gleichzeitig mehr Speicherkapazität.
Sandisk und Toshiba fertigen 15-Nanometer-NAND-Flash sowohl mit MLC als auch mit TLC. Der Nachteil beider Techniken im Vergleich zu SLC ist die geringere Anzahl von Lese- und Schreibzyklen, weswegen theoretisch die Lebensdauer deutlich sinkt. Durch angepasste Controller und Firmware wird diese Problematik eingedämmt, Sandisk plant daher auch TLC für Enterprise-SSDs. 15 Nanometer soll laut Toshiba noch im April starten, TLC läuft im Juni 2014 an. Sandisk spricht vom zweiten Halbjahr.
Die TLC-Technik wurde unter anderem von Intel und Micron entwickelt , die erste SSD mit Triple-Level-Cell war die Samsung 840 Evo (Herbst 2012). Mittelfristig dürften durch TLC und 15 Nanometer die Preise für SSDs deutlich sinken, in Speicherkarten gibt es seit Jahren schon 4 Bits pro Zelle.