Samsung RRAM: Flash- und Arbeitsspeicher der Zukunft?
Samsungs Ingenieure arbeiten an einem neuen Flashspeicher, dem Resistive Random Access Memory (RRAM)(öffnet im neuen Fenster) . Der nichtflüchtige Speicher basiert nicht auf Silizium, sondern auf einem Oxyd mit der Bezeichnung Taox. Material und Struktur des demonstrierten asynchronen, passiven Schaltgeräts sollen zu einer drastischen Reduktion des Stromverbrauchs, extremer Haltbarkeit und einer hohen Schaltgeschwindigkeit von 10 ns sogar als Arbeitsspeicher dienen können.
Außerdem soll es durch Kombination zweier solcher Schaltgeräte mit einer Schottky-Barriere möglich sein, komplett auf diskrete Transistoren oder Dioden zu verzichten und damit Probleme mit Leckströmen in High-Density Crossbar Arrays zu beseitigen.
Das Paper " A fast, high-endurance and scalable non-volatile memory device made from asymmetric Ta2O5−x/TaO2−x bilayer structures(öffnet im neuen Fenster) " wurde am 10. Juli 2011 online bei Nature Materials veröffentlicht.