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Flash-Speicher

Toshiba fertigt NAND-Chips in 24-Nanometer-Technik

Toshiba beginnt mit der Produktion von NAND-Flash in 24-Nanometer-Technik und will damit 64 GBit (8 GByte) auf einem einzelnen Chip unterbringen.

Nach Intel und Micron startet auch Toshiba mit der Produktion einer neuen Generation von NAND-Flash. Fertigen Intel und Micron in 25-Nanometer-Technik, sind es bei Toshiba 24 Nanometer. Bei MLC-Chips mit 2 Bit pro Zelle bringt Toshiba dabei 64 GBit beziehungsweise 8 GByte auf einem Chip unter. Später sollen auch Chips mit 32 GBit sowie Produkte mit 3 Bit pro Zelle folgen.

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Die Umstellung auf den neuen Herstellungsprozess erlaubt es, bei konstanter Größe Chips mit höherer Speicherkapazität zu fertigen beziehungsweise bei gleicher Speicherkapazität kleinere Chips herzustellen. Das spart nicht nur Platz, sondern senkt auch die Kosten pro GByte.

Für die hohe Geschwindigkeit der Chips soll ToggleDDR sorgen. Das von Samsung und Toshiba entwickelte DDR-Interface (Double-Data-Rate) für die konventionelle SDR-NAND-Architektur (Single-Data-Rate) erreicht bis zu 133 MBit/s. Die nächste Generation, ToggleDDR 2.0, soll bereits 400 MBit/s schaffen.


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hubblflubbl 31. Aug 2010

ich glaube du verwechselst den zweck eines treibers... das was du meinst ist eine...

kopfschüttel1elf 31. Aug 2010

Es ist Auslegungssache und auf welche Formulierung man sich bezieht. Aber als Richtwert...



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