Micron

Verhandlungen über Beteilung an Taiwan Memory Company gehen weiter. Micron Technology, der größte US-Speicherchipsteller, hat im letzten Quartal den neunten Verlust in Folge geschrieben. Die Firma verhandelt weiter über einen Einstieg beim neuen teilstaatlichen DRAM-Hersteller Taiwan Memory Company, der die Branche konsolidieren will.

Keine Gespräche mit Qimonda. Der Superkonzern Taiwan Memory Company, der aus sechs taiwanischen und zwei ausländischen DRAM-Herstellern zusammengesetzt werden soll, hat ein Abkommen mit dem japanischen Unternehmen Elpida Memory bekanntgegeben. Eine Investition in Qimonda sei nicht geplant, so die Taiwan Memory Company.

SLC-NAND-Chips sollen bis zu 1 Millionen Schreibzyklen verkraften. Micron hat zusammen mit Sun besonders robuste Flash-Speicherchips entwickelt. Die NAND-Flash-Bausteine sind als Single-Level-Cell (SLC) ausgeführt und sollen eine deutlich längere Lebensdauer aufweisen als herkömmlicher Flash-Speicher.

Flash-Hersteller zeigt Prototyp einer PCIe-Karte. Die Hersteller von Flash-Speichern überbieten sich in den letzten Wochen mit Ankündigungen immer schnellerer Solid-State-Discs. Micron hat nun die Messlatte für professionelle Laufwerke gleich um einige Meter höher gelegt: Beim Lesen soll die neue SSD des US-Herstellers rund 1 Gigabyte pro Sekunde erreichen.

Künftig Konzentration auf Infrastruktur- und Grafikprodukte. Die Infineon-Tochter Qimonda verkauft große Geschäftsbereiche, schließt eine Fabrik und baut weltweit 3.000 Stellen ab. In Dresden wird die Backend-Fertigung von Komponenten und Modulen bis Ende März 2009 eingestellt. Qimonda will sich künftig auf Infrastruktur- und Grafikprodukte konzentrieren. Finanzchef Michael Majerus gibt seinen Job auf.

Markt für NAND-Flashspeicher übersättigt. Der US-Chiphersteller Micron Technology wird in den kommenden zwei Jahren 15 Prozent seiner Mitarbeiter entlassen. Die Belegschaft besteht derzeit aus 19.000 Mitarbeitern. Micron baut 2.850 Stellen ab. Die Nachfrage auf dem überladenen Markt für NAND-Flashspeicher werde schwächer, heißt es zur Begründung.

SSDs nah an der Grenze des SATA-Standards. Micron stellt zwei besonders schnelle SSDs vor: Die P200 ist für professionelle Kunden und soll in Servern verbaut werden, die C200 für Endkunden und vor allem für Notebooks gedacht. Beiden gemein ist die sehr hohe Geschwindigkeit von 250 MByte/s. Die C200 erreicht im Schreibmodus diese Werte jedoch nicht.

Neues NAND-Flash von Intel und Micron. IM Flash, das Joint Venture von Intel und Micron, hat die ersten Flash-Bausteine in NAND-Bauweise mit einer Strukturbreite von 34 Nanometern vorgestellt. Die neuen Chips sollen noch im Jahr 2008 für billigere Flash-Festplatten sorgen.

Einzelne Module mit 4 GByte möglich. Als erster Hersteller fertigt Micron eigenen Angaben zufolge nun Speicherchips mit einer Kapazität von 2 Gigabit für DDR3, aus acht dieser Bausteine lässt sich somit ein Modul mit 4 GByte bauen.

Schönere Fotos durch Wegrechnen von zu viel Weiß auf dem Bild. Der Chiphersteller Micron hat einen Algorithmus entwickelt, mit dessen Hilfe sich unerwünschte Blendenreflexe auf Fotos entfernen lassen. Die durch den Effekt verursachten Lichtflecken überstrahlen das gesamte Foto und hinterlassen einen verwaschenen Bildeindruck. Micron will diesen Bildeindruck durch einen Abgleich mit satten Schwarztönen korrigieren.

Chips werden in 50-Nanometer-Technik gefertigt. Intel und Micron liefern die ersten NAND-Flash-Chips in Multi-Level-Cell-Bauweise aus, die in einem 50-Nanometer-Prozess gefertigt werden. Die Chips kommen von IM Flash Technologies, einem Joint Venture von Intel und Micron.

Halbleiter-Werk soll Mitte 2008 erste Produkte liefern. Das Gemeinschaftsunternehmen "IM Flash Technologies" von Intel und Micron will in Singapur eine neue Fabrik für die Fertigung von NAND-Flash errichten. In nur einem Jahr soll das Werk vom ersten Spatenstich bis zur Serienfertigung gebracht werden und dann auf 300 Millimeter durchmessenden Wafern Flash-Speicher mit 50 Nanometern Strukturbreite herstellen.

Neuentwicklung für kompakte Digitalkameras nimmt auch 720p-Videos auf. Mit einem verfeinerten Pixel-Design, das pro Bildpunkt nur noch einen Durchmesser von 1,75 Mikrometer misst, hat Micron Technology aus den USA den ersten 8-Megapixel-Bildsensor für Standard-Digitalkameras entwickelt. Der neue Sensor soll Fotos mit einer Geschwindigkeit von 10 Bildern pro Sekunde bei 8 Megapixel Auflösung schießen und Videos im HD-Format drehen.

Hilfe Toshibas benötigt? Eigentlich wollte Micron den Flash-Speicherhersteller Lexar kaufen und bot Anfang März 2006 insgesamt 667 Millionen US-Dollar. Doch nun scheint sich auch Konkurrent SanDisk für das Unternehmen zu interessieren. Einem Artikel des Wirtschaftsmagazins TheDeal.com zufolge soll die Investmentbank Morgan Stanley ein Angebot vorbereiten.

Kaufpreis von 675 Millionen US-Dollar fließt in Aktien. Der US-Speicherhersteller Micron übernimmt den auf Flash-Speicher spezialisierten Hersteller Lexar Media. Der Kauf wird mit Aktien bezahlt und hat ein Volumen von rund 675 Millionen US-Dollar.

Micron soll Patente auf DDR2-, GDDR2- und GDDR3-Speicher verletzen. Der Speichertechnik-Entwickler Rambus hat jetzt Klage gegen den Speicherhersteller Micron eingelegt. Micron soll mit DDR2-, GDDR2- und GDDR3-Speicher Patente von Rambus verletzen.

Gemeinschaftsunternehmen IM Flash Technologies gehört zu 51 Prozent Micron. Zusammen mit Micron gründet Intel ein neues Unternehmen, das NAND-Flash-Speicher für Unterhaltungselektronik, Wechselmedien und mobile Endgeräte fertigen soll. Das Unternehmen soll dabei ausschließlich für Intel und Micron produzieren.

Neue Chips starten auch bei minus 40 Grad Celsius. Micron hat mit seiner neuen Produktlinie "Mobile DDR" einen neuen Speichertyp vorgestellt. Die Bausteine sind nicht nur stromsparend und für hohe Packungsdichte geeignet, sondern in der speziellen Industrieausführung auch besonders robust.

Neuer Prozess startet am 11. April 2005. Mit einer Pressemitteilung feiert das Unternehmen Rambus einen Etappensieg bei seiner aktuellen Klage. Das zuständige US-Gericht hatte angeordnet, dass Hynix, Infineon und Micron Dokumente vorlegen müssen, die eine Verschwörung gegen Rambus belegen sollen.

Schnellere Speicherbausteine für Hochgeschwindigkeitsanwendungen. Der Halbleiterhersteller Micron hat seine 288-Megabit-DRAM-II-Bausteine mit reduzierter Latenz (RLDRAM II) vorgestellt, die nun massengefertigt in größeren Stückzahlen erhältlich sein sollen.

Unternehmen will zu einem der drei größten NAND-Produzenten werden. Micron will in das Geschäft mit NAND-Speicher alias Flash-Speicher einsteigen und Produkte für Speicherkarten und USB-Speichergeräte anbieten. Micron zählt zu den größten Speicher-Herstellern.

Kartellklage gegen Hynix, Infineon, Micron und Siemens. Rambus hat vor dem Superior Court in Kalifornien eine Kartellklage gegen vier große RAM-Hersteller eingereicht. Die beklagten Unternehmen Hynix, Infineon, Micron und Siemens sollen gemeinsam in einem konzertierten Vorgehen versucht haben, den Wettbewerb im Markt für Computer-Speicherchips zu eliminieren und Innovationen zu verhindern.

Passende Mainboards für neuen Pentium 4 sollen im 2. Quartal 2004 kommen. Die Micron-Tochter Crucial will nun auch in Europa DDR2-SDRAMs liefern können. Nur die passenden Mainboards gibt es noch nicht.

Größere Speicherkapazitäten für Server und Workstations. Micron hat die ersten vier Gigabyte fassenden DDR2-Registered-Dual-In-Line-Memory-Module (RDIMM) an Intel zur Bemusterung ausgeliefert.

Umsätze in Höhe von 1,1 Milliarden US-Dollar. Der US-Speicherhersteller Micron hat bekannt gegeben, dass das Unternehmen im ersten Quartal des Geschäftsjahres 2004 betriebliche Erträge in Höhe von 22 Millionen US-Dollar sowie Reinerträge in Höhe von einer Million US-Dollar erzielt hat. Die Geschäftsergebnisse des am 4. Dezember 2003 endenden ersten Quartals sind auf Umsätze in Höhe von 1,1 Milliarden US-Dollar zurückzuführen.

Bessere Bildwerte versprochen. Der Halbleiterhersteller Micron hat 2- und 3-Megapixel-CMOS-Sensoren angekündigt, die mit der firmeneigenen DigitalClarity-Technik ausgestattet sind und beispielsweise für Digitalkameras, Videokameras und ähnliche Produkte eingesetzt werden können.

Micron soll Finanzmittel zur Produktion von DDR2-Speicher nutzen. Prozessorhersteller Intel investiert 450 Millionen US-Dollar in den Speicherhersteller Micron Technology und erhält im Gegenzug rund 5,3 Prozent Anteile an Micron. Mit dem Geld soll Micron zum einen den Umstieg auf 300-mm-Wafer finanzieren, zum anderen aber auch die Produktion von DDR2-Speicher erhöhen.

ATI und Nvidia haben bereits erste GDDR3-Muster zum Testen erhalten. ATI und Nvidia haben von Micron Technology die ersten Muster des speziell für die Bedürfnisse von Grafikprozessoren ausgelegten GDDR3-Speichers erhalten. Das "Graphics Double Data Rate SDRAM" ist nicht nur für High-End-PC-Grafikkarten, sondern auch für Spielekonsolen und Netzwerkhardware gedacht, die besonders hohe Datenraten benötigen.

Neue Speicherarchitektur soll Bandbreite von 28,8 Gigabit pro Sekunde erreichen. Infineon und Micron kündigten jetzt die vollständigen Spezifikationen von RLDRAM II (Reduced-Latency-Dynamic-Random-Access-Memory-II-Architektur) an. RLDRAM-II-Produkte arbeiten mit einer Taktrate von bis zu 400 MHz und stellen die zweite Generation von Ultra-High-Speed-DDR SDRAMs dar, die einen schnellen wahlfreien Zugriff mit sehr hoher Bandbreite sowie hoher Speicherdichte kombinieren. Die Speicherbausteine sind speziell für Kommunikations- und Datenspeicherapplikationen geeignet.

Familie von Low-Power-PSRAMs für 2.5G- und 3G-Mobiltelefone. Das gemeinsame Entwicklungs-Team von Cypress, Infineon und Micron kündigte jetzt die Verfügbarkeit von CellularRAM-Musterbausteinen mit 32 Megabit für Mobiltelefone an. Dabei sind Versionen für den asynchronen als auch den Burst-Mode verfügbar.

Bemusterung erst Mitte 2003 geplant. Micron will auf der Technologiemesse JEDEX im kalifornischen San Jose seine 512-Mbit-DDR400-Komponenten vorstellen und in einer PC3200-Plattform im Betrieb demonstrieren.

ATI und DRAM-Industrie legen Spezifikationen für schnelle Grafikspeicher fest. Der Grafikchiphersteller ATI und die Speicherhersteller Elpida, Hynix, Infineon und Micron haben einen neuen Speichertyp entwickelt, der höhere Geschwindigkeiten als das aktuelle DDR-SDRAM und dessen Nachfolger DDR-II bieten soll. Die Spezifikationen des neuen GDDR3 wurden nun fertig gestellt und sollen ab nächstem Jahr Grafikkarten Beine machen.

Erstmals auch in Europa erhältlich, bisher nur in den USA angeboten. Die Micron-Tochter Crucial bietet ihre Grafikkarten nun auch in Europa an. Als ATI-Partner verkauft das Unternehmen ab sofort eine Radeon-8500-LE- und eine Radeon-9700-Pro-Grafikkarte über seinen europäischen Onlineshop.

Neue PSRAM-Generation mit geringer Leistungsaufnahme für 2.5G- und 3G-Geräte. Cypress Semiconductor hat mit Infineon Technologies und Micron Technology ein Abkommen unterzeichnet, um mit beiden Unternehmen bei der Entwicklung von Spezifikationen für die CellularRAM-Speicher zusammenzuarbeiten. Bei diesen Speicherbausteinen handelt es sich um Pseudo-Static-RAMs (PSRAM) mit sehr geringer Leistungsaufnahme für Mobilfunk-Applikationen.

Pseudo-Static-RAM soll SRAM in Mobiltelefonen ersetzen. Infineon und Micron haben die gemeinsame Entwicklung von Spezifikationen der neuen Speicherfamilie CellularRAM vereinbart. Beide Unternehmen wollen diese Chips unabhängig voneinander in den Markt einführen. Dabei handelt es sich um Pseudo-Static-RAMs (PSRAM) mit sehr geringer Leistungsaufnahme für Mobilfunk-Applikationen.

Hynix Board lehnt Übernahme seines Speichergeschäfts durch Micron ab. Das Board of Directors der Hynix Semiconductor Inc. lehnt die Restrukturierungsvorschläge des Hynix Creditors Council ab. Damit platzt auch die Übernahme des Speichergeschäfts von Hynix durch Micron Technology.

Kaufpreis bei 3,2 Milliarden US-Dollar in Aktien. Micron Technology will das Speichergeschäft des Konkurrenten Hynix übernehmen, ein entsprechendes, aber nicht bindendes "Memorandum of Understanding" haben die Unternehmen jetzt unterzeichnet. Der Kaufpreis soll bei etwa 108,6 Micron-Aktien liegen, was nach dem Schlusskurs vom Freitag gut 3,2 Milliarden US-Dollar entspricht.

Neues JEDEC-konformes Design soll Systemstabilität erhöhen. Der US-Speicherhersteller Micron Technology bietet nun auch DDR333-SDRAMS nach einem kürzlich überarbeiteten JEDEC-Standard an, die stabiler laufen sollen. Noch werden die "PC2700 DDR SDRAM TSOP-based unbuffered DIMM"-Module allerdings nicht ausgeliefert, sondern von Partnern auf Herz und Nieren getestet.

DDR400 als Lückenfüller zwischen DDR333 und DDR-II. Der US-Speicherhersteller Micron Technology hat mit der Auslieferung erster Muster von DDR400-DDR-SDRAMs an Hersteller von Mainboard-Chipsätzen begonnen. Im Vergleich zu den gekommenen DDR333-SDRAMs (PC2700, 166 MHz Takt) sollen die DDR400-SDRAMs (200 MHz Takt) eine um 20 Prozent höhere Leistung und eine Bandbreite von 3,2 GByte/Sekunde (PC3200) bieten.

Micron übernimmt DRAM-Fertigung - Kooperation mit Infineon gescheitert. Toshiba hat ein Memorandum of Understanding mit Micron Technology über den Verkauf der Dominion Semiconductor, L.L.C. an Micron geschlossen. Damit steigt Toshiba aus dem gewöhnlichen Geschäft mit DRAM aus. Eine mögliche Kooperation in diesen Bereich mit Infineon ist somit gescheitert.

Stehen Hynix und Micron vor einer Fusion? Die beiden Speicherhersteller Hynix Semiconductor und Micron Technology gaben jetzt offiziell bekannt, dass man sich in frühen Gesprächen über eine strategische Kooperation oder eine anderweitige Kooperation bzw. Transaktion befinde. Bereits seit geraumer Zeit sorgen Gerüchte um Zusammenschlüsse in diesen Bereichen für einen leichten Anstieg der Speicherpreise. Vor allem der Name Hynix fällt dabei oft.

Schneller Speicher für Netzwerk-Hardware wie Switches und Routern. Auf dem Microprocessor Forum haben Cypress Semiconductor, Hitachi, Integrated Device Technology, Micron Technology, NEC und Samsung Electronics heute die komplette Spezifikation für Quad-Data-Rate-II-(QDRII-) und Double-Data-Rate-II-(DDRII-)SRAM-Architekturen offen gelegt.

Referenzdesign fertig gestellt. Micron Technology hat angekündigt, dass man auf dem in Taipeh stattfindenden VIA Technology Forum verschiedene DDR333-SDRAM-Plattformen zeigen will. Das Forum findet zwischen dem 4. und 5. September 2001 in Japan statt. In Peking wird die Technik am 11. September und in München am 13. September gezeigt.