NAND-Flash-Chips mit 16 GBit von Intel und Micron
Chips werden in 50-Nanometer-Technik gefertigt. Intel und Micron liefern die ersten NAND-Flash-Chips in Multi-Level-Cell-Bauweise aus, die in einem 50-Nanometer-Prozess gefertigt werden. Die Chips kommen von IM Flash Technologies, einem Joint Venture von Intel und Micron.
Bislang hatten die beiden nur Singel-Level-Cell-NAND-Flash in ihrem 50-Nanometer-Prozess hergestellt. Diese Chips bieten eine Kapazität von 4 GBit, während die neuen MLC-Dies auf 16 GBit kommen. Gefertigt werden die Flash-Speicher-Chips auf 300-mm-Wafern.
Derzeit sind Intel und Micron dabei, Prozessor zur Herstellung von NAND-Flash mit Strukturgrößen von unter 40 Nanometer zu entwickeln.