Micron zeigt 512-Megabit-DDR400-Speicher
Microns 512-Mbit-DDR400-Speicher werden in einem 0,11-Micron-Herstellungsprozess gefertigt und sollen mit dem Industriestandard JEDEC DDR400 vollständig kompatibel sein. Die Bemusterung soll allerdings erst Mitte 2003 erfolgen.
Infineon hat ebenfalls mit der Bemusterung von 512-Mbit-DDR2-SDRAMs (zweite Double-Data-Rate-Generation) begonnen. Diese Speicher zielen auf die nächste Generation von Servern, Workstations, High-end-PCs sowie -Notebooks und bieten Datenraten von 400, 533 und 667 Mbit/s. Darauf aufbauende Speichermodule mit beispielsweise 533-Mbit/s-Chips bieten eine Daten-Bandbreite von 4,3 GBytes/s, teilte Infineon mit. Auch diese Komponenten seien JEDEC-kompatibel und werden auf Basis der 110-nm-DRAM-Prozesstechnik von Infineon gefertigt. Die neuen DRAMs sind in den Organisationen x4, x8 und x16 verfügbar. Infineon geht davon aus, dass die DDR2-Komponenten ab 2004 in entsprechenden Systemen eingesetzt werden.