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Cypress, Infineon und Micron mit ersten CellularRAM-Mustern

Familie von Low-Power-PSRAMs für 2.5G- und 3G-Mobiltelefone

Das gemeinsame Entwicklungs-Team von Cypress, Infineon und Micron kündigte jetzt die Verfügbarkeit von CellularRAM-Musterbausteinen mit 32 Megabit für Mobiltelefone an. Dabei sind Versionen für den asynchronen als auch den Burst-Mode verfügbar.

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Letztes Jahr hatten die drei Unternehmen die gemeinsame Entwicklung der Spezifikation von CellularRAM für mehrere Produktgenerationen vereinbart. CellularRAMs sind Pseudo-SRAMs (PSRAMs) mit sehr geringer Leistungsaufnahme. Diese Speicherbausteine sind für die Speicher- und Bandbreiten-Anforderungen in zukünftigen 2.5G- und 3G-Mobiltelefonen ausgelegt und bieten eine geringere Kosten/Bit-Rate als herkömmliche Lösungen.

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CellularRAMs haben verschiedene Stromsparfunktionen implementiert. Mit identischer Spannungsversorgung, Gehäuse und Anschlussbelegung sind sie kompatibel zu Low-Power-SRAMs, die bisher in Mobiltelefon-Designs eingesetzt wurden. Durch diese kompatible Architektur soll ein einfacher Übergang von SRAM- zu CellularRAM-Produkten ermöglicht werden.

Jedes der drei Unternehmen fertigt die Produkte mit eigenen Design- und Prozess-Techniken sowie nach eigenem Produkteinführungsplan. Neben den 32-MBit-Komponenten sind auch Versionen mit 16 und 64 MBit Speicherkapazität geplant. Micron bemustert derzeit die 32-MBit- und 64-MBit-Speicher und plant die Volumenfertigung im 3. Quartal 2003. Auch von Infineon sind derzeit Muster mit 32 MBit und 16 MBit verfügbar, die Volumenfertigung ist ebenfalls für das 3. Quartal 2003 vorgesehen. Cypress will erste Muster ab der ersten Jahreshälfte 2004 liefern.

Das CellularRAM basiert auf einer DRAM-Speicherzelle mit einem Transistor im Gegensatz zu der sonst üblichen SRAM-Zelle mit sechs Transistoren, die entsprechend mehr Platz benötigt. Die Muster der 32-MBit-CellularRAMs arbeiten mit bis zu 104 MHz, haben eine Latenzzeit von 70 ns und bieten eine Bandbreite von bis zu 208 MB/s (1,5 Gb/s). Die neuen Speicherbausteine emulieren gängige Burst-Schreib/Lese-Modes, einschließlich der Intel-W18- und Micron-Flash-Burst-kompatiblen Protokolle mit verschiedenen I/O-Spannungen.

Die beteiligten Unternehmen arbeiten bereits an der Definition der nächsten Generation der CellularRAM-Produktfamilie - einem 128-MBit-Baustein, der für die zweite Jahreshälfte 2004 geplant ist.



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