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Micron stellt 288 Megabit RLDRAM II vor

Schnellere Speicherbausteine für Hochgeschwindigkeitsanwendungen

Der Halbleiterhersteller Micron hat seine 288-Megabit-DRAM-II-Bausteine mit reduzierter Latenz (RLDRAM II) vorgestellt, die nun massengefertigt in größeren Stückzahlen erhältlich sein sollen.

RLDRAM II bietet schnellen Speicherzugriff sowie extrem hohe Bandbreiten und Speicherdichten. Die Bausteine dürften vor allem Verwendung finden in Netzwerkgeräten, Grafikkarten und Server-L3-Caches.

Microns RLDRAM-II-Bausteine sollen Row-Zyklen von 20 Nanosekunden ermöglichen. Zu den weiteren Vorteilen von RLDRAM II gehören On-Die-Termination (ODT), gemultiplexte oder nicht gemultiplexte Adressierung, auf dem Chip integrierte Delay-Lock-Loop (DLL), gemeinsame oder getrennte Ein-/Ausgänge, programmierbare Ausgangsimpedanz und ein stromsparender 1,8-V-Kern.

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