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Hynix

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Vier gestapelte Dies eines Speicherchips für einen Hybrid Memory Cube (Bild: Micron) (Micron)

Stacked Memory: Lecker, Stapelchips!

Größere SSDs, schnellere Grafikkarten und längere Akkulaufzeiten bei Smartphones: Speicherzellen oder DRAM-Chips, die wie die Etagen eines Hochhauses gestapelt werden, bieten viele Vorteile.
27 Kommentare / Von Marc Sauter
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ReRAM: Hynix soll HPs Memristor in Serie herstellen

Seit vier Jahren erforscht Hewlett-Packard verstärkt den Memristor, der als Nachfolger von Flash und DRAM gehandelt wird. Nun hat das Unternehmen mit Hynix eine Partnerschaft geschlossen, die erste Serienprodukte hervorbringen soll. Einen Namen für das Produkt gibt es auch schon: ReRAM.

Festnahmen wegen Betriebspionage bei Samsung

Mitarbeiter von Applied Materials und Hynix festgenommen. Zwei Mitarbeiter des US-Unternehmens Applied Materials sind in Südkorea unter dem Verdacht der Betriebsspionage festgenommen worden. Sie sollen Wissen über die Chipfertigung von Samsung gestohlen und an dessen Konkurrenten Hynix weitergegeben haben.

Apple soll Flashpreise künstlich in den Keller treiben

Vorwürfe von koreanischen Chipherstellern. Aus Korea kommen schwere Vorwürfe gegen Apple. Das Unternehmen soll nach Quellen aus der Chipindustrie die Preise für Flash-Chips manipulieren. Dabei soll der Hersteller von iPod und iPhone höhere Stückzahlen bestellen als letztlich gekauft werden.

Weg frei für 4-GByte-Module: Hynix mit 40-nm-DRAMs

Speicherbausteine mit 2 Gigabit von Intel validiert. Mit Hynix nimmt nun nach Samsung und Elpida der dritte DRAM-Hersteller die Serienproduktion von Bausteinen mit 40 Nanometern Strukturbreite auf. Das lässt für 2010 auf bezahlbare Module mit 4 GByte Kapazität hoffen.

Hynix muss Rambus 400 Millionen US-Dollar zahlen

Einigung nach über acht Jahren Rechtsstreit. Der Arbeitsspeicherdesigner Rambus war im Rechtsstreit mit Hynix Semiconductor aus Südkorea erfolgreich. Das Unternehmen aus dem kalifornischen Los Altos erhält in einem Vergleich Schadensersatzzahlungen in Höhe von 349 Millionen US-Dollar plus Zinsen von 48 Millionen US-Dollar.

Samsungs Chipsparte leidet unter Geldknappheit

Weltmarktführer streicht Investitionen zusammen. Samsung Electronics, der weltgrößte Hersteller von Speicherchips, prüft die Kürzung seiner Investitionen im Jahr 2009 um über 50 Prozent. "Überkapazitäten, steigende Lagerbestände, schwache Nachfrage und ein starker Rückgang der Chippreise zwingen das Unternehmen, die Ausgaben zusammenzustreichen", sagte ein hochrangiger Samsung-Manager.

DRAM-Hersteller drosseln Produktion

Überkapazitäten sorgen für Verluste. Mehrere Hersteller von Speicherbausteinen wollen ihre Produktion drosseln. Damit soll der anhaltende Preisverfall gestoppt werden, der bei einigen Unternehmen für rote Zahlen sorgt.

Samsungs Hunger auf SanDisk bringt Toshiba in Bedrängnis

Regulatorische Hürden könnten einen Deal aber noch verhindern. Durch einen möglichen Kauf des US-Flashkartenherstellers SanDisk durch den Elektronikkonzern Samsung käme Toshiba in Bedrängnis. SanDisk ist Finanzpartner bei zwei entstehenden Chipfabriken Toshibas, Käufer von Toshibas Produkten und Lieferant für patentierte Kerntechnologie.

Rambus gewinnt gegen Speicherhersteller

Micron und Nanya verlieren Rechtsstreit. Rambus hat in einem seit den 90er-Jahren andauernden Rechtsstreit gegen die Speicherhersteller Micron und Nanya gewonnen. Die Speicherhersteller hatten Rambus vorgeworfen, als Mitglied der Standardisierungsorganisation JEDEC spioniert zu haben. Das Gericht stellte nun aber fest, dass sich Rambus korrekt verhalten hat.

Hynix lizenziert Z-RAM - Bald noch billigerer Speicher?

Höhere Dichte bei Speicherzellen. Bereits seit einigen Jahren macht das "Zero Capacitor RAM" (Z-RAM) von sich reden, kam aber noch nie breit zur Anwendung - AMD hat die Technologie lizenziert, aber nicht eingesetzt, und für DRAM kam das Verfahren noch nicht zur Anwendung. Hynix will das nun ändern.
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Erstes 1-GBit-DDR2-DRAM in 60 nm von Hynix

Massenfertigung von 2-GByte-Speicherriegeln beginnt 2007. Als einer der ersten Speicherhersteller kann das südkoreanische Unternehmen Hynix in 60-nm-Prozesstechnik gefertigte 1-GBit-DDR2-DRAMs als Muster liefern. Die Speicherbausteine werden mit effektiv 800 MHz getaktet, sind bereits von Intel validiert worden und sollen günstigere Server- sowie Workstation-Speichermodule ermöglichen.

Rambus besiegt Hynix: 307 Millionen US-Dollar Schadensersatz

US-Gericht erkennt zehn Patentansprüche an. In dem seit dem Jahr 2000 zwischen Rambus und Hynix schwelenden Rechtsstreit kann Rambus einen wichtigen Etappensieg verzeichnen. Ein US-Gericht hat Rambus 306,9 Millionen US-Dollar Schadensersatz zugesprochen - und Rambus rechnet sich nun gute Chancen in seinen weiteren Verfahren aus.

Grafikspeicher: Auch Hynix will GDDR4-Muster liefern

Massenproduktion soll Anfang 2006 starten. Nach Samsung hat nun auch Hynix die baldige Auslieferung von GDDR4-Mustern verkündet, die allerdings noch etwas schneller sein sollen. GDDR4-DRAM soll zumindest auf High-End-Grafikkarten ab 2006 für eine deutlich schnellere Datenverarbeitung sorgen.

Rambus klagt wegen DDR2, GDDR2 und GDDR3

Hynix, Infineon, Inotera und Nanya verletzen angeblich Patente. Rambus hat erneut Klagen gegen Speicherhersteller eingereicht. Diesmal geht es um Patentverletzungen bei DDR2-Speicher sowie dem speziellen Grafikkarten-Speicher GDDR2 und GDDR3 durch Hynix, Infineon, Inotera und Naya.

Rambus verklagt Speicherhersteller

Kartellklage gegen Hynix, Infineon, Micron und Siemens. Rambus hat vor dem Superior Court in Kalifornien eine Kartellklage gegen vier große RAM-Hersteller eingereicht. Die beklagten Unternehmen Hynix, Infineon, Micron und Siemens sollen gemeinsam in einem konzertierten Vorgehen versucht haben, den Wettbewerb im Markt für Computer-Speicherchips zu eliminieren und Innovationen zu verhindern.

Hynix will DDR550-Speicher ausliefern

DDR-Speicher mit 550 MHz als Alternative zu DDR2-Speicher. Der Speicherhersteller Hynix hat die Entwicklung von DDR SDRAM mit 550 MHz abgeschlossen und will ab April entsprechende DDR550-Module ausliefern.

Hynix kündigt DDR-Speicher mit 500 MHz an

Werden DDR500-Speichermodule bald billiger? Der koreanische Speicherhersteller Hynix hat ein 256-MBit-DDR-SDRAM entwickelt, das mit 500 MHz DDR-Takt bzw. echten 250 MHz läuft. Bereits im August 2003 will Hynix die Massenproduktion des neuen Speicher starten.

GDDR3 - Neuer DDR-Speichertyp für Grafikkarten

ATI und DRAM-Industrie legen Spezifikationen für schnelle Grafikspeicher fest. Der Grafikchiphersteller ATI und die Speicherhersteller Elpida, Hynix, Infineon und Micron haben einen neuen Speichertyp entwickelt, der höhere Geschwindigkeiten als das aktuelle DDR-SDRAM und dessen Nachfolger DDR-II bieten soll. Die Spezifikationen des neuen GDDR3 wurden nun fertig gestellt und sollen ab nächstem Jahr Grafikkarten Beine machen.
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Hynix warnt vor gefälschten SDRAM-Modulen

Billigmodule im Hynix-Pelz. Der Halbleiterhersteller Hynix Semiconductor warnt vor gefälschten 128-MByte-PC133-SDRAM-Modulen, die zwar als Hynix-Markenmodule gekennzeichnet sind, in Wahrheit jedoch Billig-Speichermodule von niedriger Qualität sein sollen.

Hynix-Micron-Deal geplatzt

Hynix Board lehnt Übernahme seines Speichergeschäfts durch Micron ab. Das Board of Directors der Hynix Semiconductor Inc. lehnt die Restrukturierungsvorschläge des Hynix Creditors Council ab. Damit platzt auch die Übernahme des Speichergeschäfts von Hynix durch Micron Technology.

Micron will Speichergeschäft von Hynix kaufen

Kaufpreis bei 3,2 Milliarden US-Dollar in Aktien. Micron Technology will das Speichergeschäft des Konkurrenten Hynix übernehmen, ein entsprechendes, aber nicht bindendes "Memorandum of Understanding" haben die Unternehmen jetzt unterzeichnet. Der Kaufpreis soll bei etwa 108,6 Micron-Aktien liegen, was nach dem Schlusskurs vom Freitag gut 3,2 Milliarden US-Dollar entspricht.

Hynix kündigt bisher schnellste DDR-SDRAM-Bausteine an

375 MHz Speichertakt für Grafikapplikationen und mobile Anwendungen. Hynix Semiconductors hat mit der Auslieferung erster Muster eines 128-Mbit-DDR-SDRAM-Bausteins mit einer 4x32-MBit-Konfiguration und 375 MHz (bzw. rund 188 MHz) Speichertakt begonnen. Die schnellen, in 0,16-Mikron-Technologie hergestellten DDR-SDRAMs sollen zudem 40 Prozent weniger Strom als ihre Vorgänger benötigen.