Hynix lizenziert Z-RAM - Bald noch billigerer Speicher?

Höhere Dichte bei Speicherzellen

Bereits seit einigen Jahren macht das "Zero Capacitor RAM" (Z-RAM) von sich reden, kam aber noch nie breit zur Anwendung - AMD hat die Technologie lizenziert, aber nicht eingesetzt, und für DRAM kam das Verfahren noch nicht zur Anwendung. Hynix will das nun ändern.

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Z-RAM wurde von der Technologie-Schmiede "Innovative Silicon" (ISi) entwickelt und soll die Packungsdichte von Speicherzellen erhöhen. Ein Bit wird dabei in einem einzelnen Transistor gespeichert, Speicher-Kondensatoren kommen nicht mehr zum Einsatz. Das ist durch Ausnutzung eines Feldeffekts möglich, der bei SOI-Bauweise auftritt. Je nach Bauform der Speicher, also ob als statisches oder dynamisches RAM, sollen Z-RAMs die doppelte bis fünffache Speicherdichte auf der gleichen Chipfläche erreichen.

Für den Einsatz in Caches als SRAM hatte AMD das Z-RAM bereits Anfang 2006 lizenziert, aber bisher keine Produkte damit vorgestellt. Den Einsatz in DRAMs, wo ein sehr starker Kostendruck herrscht und die Schaltungstricks weitgehend ausgereizt sind, wagte bisher noch kein Hersteller. Daher überrascht die Ankündigung des koreanischen Chip-Herstellers Hynix, nun dynamisches RAM mit Z-RAM-Schaltung bauen zu wollen. Hynix verspricht sich davon auf die Kapazität bezogen deutlich geringere Kosten pro Speicherchip, nannte aber noch keinen Zeitraum für erste Muster oder gar Produkte.

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