Weg frei für 4-GByte-Module: Hynix mit 40-nm-DRAMs

Speicherbausteine mit 2 Gigabit von Intel validiert. Mit Hynix nimmt nun nach Samsung und Elpida der dritte DRAM-Hersteller die Serienproduktion von Bausteinen mit 40 Nanometern Strukturbreite auf. Das lässt für 2010 auf bezahlbare Module mit 4 GByte Kapazität hoffen.

20. November 2009 um 18:11 Uhr / Nico Ernst

Das Gros heutiger Speichermodule besteht aus DRAMs mit 1 Gigabit Kapazität je Chip – 4-GByte-Module gibt es zwar, sie sind jedoch schwer zu beschaffen und überproportional teuer. Das dürfte sich 2010 ändern, denn nach eigener Aussage hat der taiwanische Hersteller Hynix – der gerade wieder nach einem neuen Käufer sucht – die Serienproduktion von DDR3-Speichern mit 40 Nanometern Strukturbreite aufgenommen.

Bei in etwa gleicher Die-Größe wie bisherige DRAMs mit 1 Gigabit in 50 Nanometern Struktubreite bringt Hynix in den neuen Bausteinen 2 Gigabit unter. 16 dieser Chips, die sich auf einem üblichen DIMM finden, ergeben dann 4 Gigabyte Kapazität. Heutige 4-GByte-Module bestehen häufig aus 32 Bausteinen, die komplexere Platinen erfordern, welche in der Herstellung viel teurer sind.

Hynix hat seine 40-nm-DRAMs bereits bei Intel validieren lassen – für welche Chipsätze, gab das Unternehmen noch nicht an. Der Termin der Ankündigung deutet aber darauf hin, dass diese Zertifizierung auch für den kurz vor dem Marktstart stehenden Chipsatz "H57" erfolgt sein könnte, der mit den ersten 32-Nanometer-CPUs , Codename Clarkdale, Anfang 2010 erscheinen soll.