SK Hynix

Trotz Mask-Stitching sollen 185 Wafer pro Stunde von den ASML-Steppern belichtet werden können.

Nachdem Samsung bereits DDR4-Speichermodule mit 32 GByte Kapazität basierend auf 1Z-nm-16-GBit-Chips verkauft, legt SK Hynix nach: Die Serienfertigung des DRAMs soll allerdings erst 2020 starten.

Auf 3,2 GBit/s von Samsung folgt SK Hynix mit 3,6 GBit/s: Der Stapelspeicher taktet höher als der der Konkurrenz, die Kapazität fällt mit 16 GByte pro Stack identisch aus. Bis zur Serienfertigung dauert noch bis 2020.

Mit dem 4D-NAND v2 alias 3D-NAND v6 liegt SK Hynix vor der Konkurrenz: Der Flash-Speicher nutzt 128 Zellschichten für eine Kapazität von 1 TBit pro Chip, er befindet sich laut den Südkoreanern bereits in der Serienfertigung.

Bereits im zweiten Halbjahr sollen erste Speicherchips mit extrem ultravioletter Belichtung (EUV) im 10-nm-Class-Verfahren produziert werden. Den Anfang macht Samsung, gefolgt von Micron und SK Hynix.

Vertikale Integration bei SK Hynix: Die Enterprise-SSD des Herstellers basiert auf einem eigenen Controller, eigenem DRAM und eigenem Flash-Speicher. Das NVMe-Drive soll 8 TByte Kapazität haben und sehr effizient sein.

Verteilt auf 96 Schichten und mit 4 Bit pro Zelle: SK Hynix hat begonnen, SSD-Controller-Hersteller mit dem hauseigenen 4D-NAND zu bemustern. Der Flash-Speicher hat 1 TBit pro Die und ist für SSDs mit bis zu 16 TByte Kapazität gedacht.

Aus Südkorea kommt das erste Speichermodul mit DDR5-Chips: Der Riegel von SK Hynix schafft DDR5-5200 und ist für kommende CPUs gedacht. Der Standard steigert die Geschwindigkeit bei weniger Leistungsaufnahme.

Lieber die Vormachtstellung ausnutzen statt zu investieren. Der US-Nachrichtendienst Bloomberg befürchtet, dass Samsung die Preise für Flash-Speicher hoch halten will, nachdem das Unternehmen Erwartungen für 2019 nach unten korrigiert hat. Eine Alternative wäre es, zu investieren und einen Vorsprung zu den zwei verbliebenen Konkurrenten aufzubauen.

Flash Memory Summit 2018 SK Hynix' fünfte Generation von 3D-Flash-Speicher heißt 4D-NAND, weil die Logik nach unten wandert und Toshibas neuer XL-Flash soll extrem niedrige Latenzen aufweisen, um mit Samsungs Z-NAND zu konkurrieren.

Die HyperX Predator RGB sind ein Speicherkit mit RGB-Lichteffekten und DDR4-2933-Takt. Die bunte Beleuchtung synchronisiert sich per Infrarot, was aber nur bei RAM-Bänken auf einer Seite des CPU-Sockels klappt.
Ein Test von Marc Sauter

Auf der Suche nach einem Ersatz für das XPS 13 stoßen wir auf das Latitude 7390. Dells Business-Notebook hat eine ähnlich gute Tastatur wie Thinkpads, während es wie das XPS 13 trotzdem nicht zu klobig wirkt. Wir finden in unserem Test: Dieses Kind ist gut gelungen.
Ein Test von Oliver Nickel und Sebastian Grüner

Mit Standardgehäuse und SATA-Schnittstelle will Nimbus Data die klassische HDD im Rechenzentrum ersetzen. Die Exadrive DC100 hat erstmals eine Kapazität von 100 TByte. Die dafür benötigten Controller brauchen aber etwas mehr Strom.

Aufgrund massiv gestiegener Kosten für DRAM und Flash-Speicher bittet die verantwortliche chinesische Ökonomie-Kommission die Unternehmen Micron sowie Samsung und SK Hynix zum Gespräch. Die Rede ist von Preisabsprachen.

Der südkoreanische Hersteller SK Hynix hat die Serienproduktion des 3D-Flash-Speichers der vierten Generation aufgenommen. Dank 72 Zellschichten sichern die für SSDs gedachten Chips vorerst 256 GBit. Die Ausbeute soll erfreulich hoch ausfallen.

GTC 2017 SK Hynix wird GDDR6-Videospeicher ab Anfang kommenden Jahres in großer Stückzahl produzieren. Der Start hängt allerdings von Kunden wie Nvidia und deren GPUs ab.

SK Hynix hat die Verfügbarkeit von GDDR6 für Anfang kommenden Jahres angekündigt, eingesetzt wird er offenbar auf einer Nvidia-Grafikkarte. Die Datenrate der Chips soll 16 GBit pro Sekunde betragen, ein Drittel mehr als bei GDDR5X-Speicher.

Die Südkoreaner möchten ihren 3D-Flash-Speicher v4 mit 256 GBit ab dem zweiten Quartal ausliefern, später sollen 512-GBit-Bausteine folgen. Für Smartphones kommt der flotte LPDDR4X-4266, der HBM2-Speicher für Grafikkarten ist schon verfügbar.

Der Speicherhersteller SK Hynix investiert viel Geld in eine neue Fertigungsanlage. Die Fab in Cheongju, Südkorea, soll NAND-Flash-Speicher produzieren. Obendrein wird ein DRAM-Werk für 800 Millionen US-Dollar aufgerüstet.

Hot Chips 28 Seitenhiebe auf High Bandwidth Memory, ehrliche Worte zu 3D Xpoint plus Ausblick auf GDDR6 für Grafikkarten und LPDDR5 für Smartphones: Speicher soll schneller und effizienter werden.

Flash Memory Summit 2016 Mehr Speicherkapazität pro Die und mehr Chips pro Wafer: SK Hynix produziert mittlerweile 3D-Flash-Speicher der vierten Generation. Die Konkurrenz ist allerdings schon weiter.

SK Hynix hat seinen Produktkatalog mit High Bandwidth Memory mit 4 GByte Kapazität und 2 GHz Takt aktualisiert. Der schnelle Stapelspeicher für Grafikkarten soll ab Herbst ausgeliefert werden.

Die Serienfertigung soll im Spätsommer 2016 starten: SK Hynix plant HBM2 mit 4 GByte ab dem dritten und mit 8 GByte ab dem vierten Quartal. Der Stapelspeicher soll bei AMDs Polaris- und Nvidias Pascal-Grafikkarten und bei Mittelklasse-Chips verwendet werden.

Eine Rekordsumme von 26 Milliarden US-Dollar investiert SK Hynix in neue Speicherchipfabriken. Im Moment ist HBM (High Bandwidth Memory) für Grafikkarten ein gefragtes Produkt aus der Branche.

Auf Maxwell folgt Pascal: Nvidias neue Architektur wird mit 32 GByte gestapeltem Videospeicher mit hoher Datentransferrate kombiniert, für die übernächste Generation namens Volta sind 64 GByte geplant.

Größere SSDs, schnellere Grafikkarten und längere Akkulaufzeiten bei Smartphones: Speicherzellen oder DRAM-Chips, die wie die Etagen eines Hochhauses gestapelt werden, bieten viele Vorteile.
Von Marc Sauter

Höhere Datentransferrate bei geringerer Leistungsaufnahme: High Bandwidth Memory tritt die Nachfolge von GDDR5-Speicher an. Bei SK Hynix sind die HBM-Stapelchips für Grafikkarten verfügbar.

Der Speicherhersteller SK Hynix hat ein DDR4-Modul mit 128 GByte angekündigt. Damit verdoppelt der Hersteller die Dichte pro Riegel. Möglich macht das die TSV-Technologie.

Im chinesischen Wuxi hat ein Feuer gleich zwei Fabs des Speicherherstellers Hynix in Flammen aufgehen lassen. Die beiden Fertigungsstätten sind für einen maßgeblichen Anteil der weltweiten Speicherproduktion verantwortlich, die Folgen des Brandes sind noch nicht abzusehen.

Der Speicherentwickler Rambus hat einen jahrelangen Rechtsstreit gegen Hynix und Micron verloren. Statt vier Milliarden US-Dollar Schadensersatz gab es die Quittung an der Börse: Die Rambus-Aktie stürzte um fast 60 Prozent ab.

Seit vier Jahren erforscht Hewlett-Packard verstärkt den Memristor, der als Nachfolger von Flash und DRAM gehandelt wird. Nun hat das Unternehmen mit Hynix eine Partnerschaft geschlossen, die erste Serienprodukte hervorbringen soll. Einen Namen für das Produkt gibt es auch schon: ReRAM.

Zwei Mitarbeiter des US-Unternehmens Applied Materials sind in Südkorea unter dem Verdacht der Betriebsspionage festgenommen worden. Sie sollen Wissen über die Chipfertigung von Samsung gestohlen und an dessen Konkurrenten Hynix weitergegeben haben.

Aus Korea kommen schwere Vorwürfe gegen Apple. Das Unternehmen soll nach Quellen aus der Chipindustrie die Preise für Flash-Chips manipulieren. Dabei soll der Hersteller von iPod und iPhone höhere Stückzahlen bestellen als letztlich gekauft werden.

Mit Hynix nimmt nun nach Samsung und Elpida der dritte DRAM-Hersteller die Serienproduktion von Bausteinen mit 40 Nanometern Strukturbreite auf. Das lässt für 2010 auf bezahlbare Module mit 4 GByte Kapazität hoffen.

Der Arbeitsspeicherdesigner Rambus war im Rechtsstreit mit Hynix Semiconductor aus Südkorea erfolgreich. Das Unternehmen aus dem kalifornischen Los Altos erhält in einem Vergleich Schadensersatzzahlungen in Höhe von 349 Millionen US-Dollar plus Zinsen von 48 Millionen US-Dollar.

Samsung Electronics, der weltgrößte Hersteller von Speicherchips, prüft die Kürzung seiner Investitionen im Jahr 2009 um über 50 Prozent. "Überkapazitäten, steigende Lagerbestände, schwache Nachfrage und ein starker Rückgang der Chippreise zwingen das Unternehmen, die Ausgaben zusammenzustreichen", sagte ein hochrangiger Samsung-Manager.

Mehrere Hersteller von Speicherbausteinen wollen ihre Produktion drosseln. Damit soll der anhaltende Preisverfall gestoppt werden, der bei einigen Unternehmen für rote Zahlen sorgt.

Durch einen möglichen Kauf des US-Flashkartenherstellers SanDisk durch den Elektronikkonzern Samsung käme Toshiba in Bedrängnis. SanDisk ist Finanzpartner bei zwei entstehenden Chipfabriken Toshibas, Käufer von Toshibas Produkten und Lieferant für patentierte Kerntechnologie.

Rambus hat in einem seit den 90er-Jahren andauernden Rechtsstreit gegen die Speicherhersteller Micron und Nanya gewonnen. Die Speicherhersteller hatten Rambus vorgeworfen, als Mitglied der Standardisierungsorganisation JEDEC spioniert zu haben. Das Gericht stellte nun aber fest, dass sich Rambus korrekt verhalten hat.

Bereits seit einigen Jahren macht das "Zero Capacitor RAM" (Z-RAM) von sich reden, kam aber noch nie breit zur Anwendung - AMD hat die Technologie lizenziert, aber nicht eingesetzt, und für DRAM kam das Verfahren noch nicht zur Anwendung. Hynix will das nun ändern.

Als einer der ersten Speicherhersteller kann das südkoreanische Unternehmen Hynix in 60-nm-Prozesstechnik gefertigte 1-GBit-DDR2-DRAMs als Muster liefern. Die Speicherbausteine werden mit effektiv 800 MHz getaktet, sind bereits von Intel validiert worden und sollen günstigere Server- sowie Workstation-Speichermodule ermöglichen.

In dem seit dem Jahr 2000 zwischen Rambus und Hynix schwelenden Rechtsstreit kann Rambus einen wichtigen Etappensieg verzeichnen. Ein US-Gericht hat Rambus 306,9 Millionen US-Dollar Schadensersatz zugesprochen - und Rambus rechnet sich nun gute Chancen in seinen weiteren Verfahren aus.

Nach Samsung hat nun auch Hynix die baldige Auslieferung von GDDR4-Mustern verkündet, die allerdings noch etwas schneller sein sollen. GDDR4-DRAM soll zumindest auf High-End-Grafikkarten ab 2006 für eine deutlich schnellere Datenverarbeitung sorgen.

Mit einer Pressemitteilung feiert das Unternehmen Rambus einen Etappensieg bei seiner aktuellen Klage. Das zuständige US-Gericht hatte angeordnet, dass Hynix, Infineon und Micron Dokumente vorlegen müssen, die eine Verschwörung gegen Rambus belegen sollen.

Rambus hat erneut Klagen gegen Speicherhersteller eingereicht. Diesmal geht es um Patentverletzungen bei DDR2-Speicher sowie dem speziellen Grafikkarten-Speicher GDDR2 und GDDR3 durch Hynix, Infineon, Inotera und Naya.

Rambus hat vor dem Superior Court in Kalifornien eine Kartellklage gegen vier große RAM-Hersteller eingereicht. Die beklagten Unternehmen Hynix, Infineon, Micron und Siemens sollen gemeinsam in einem konzertierten Vorgehen versucht haben, den Wettbewerb im Markt für Computer-Speicherchips zu eliminieren und Innovationen zu verhindern.

Der Speicherhersteller Hynix hat die Entwicklung von DDR SDRAM mit 550 MHz abgeschlossen und will ab April entsprechende DDR550-Module ausliefern.

Der koreanische Speicherhersteller Hynix hat ein 256-MBit-DDR-SDRAM entwickelt, das mit 500 MHz DDR-Takt bzw. echten 250 MHz läuft. Bereits im August 2003 will Hynix die Massenproduktion des neuen Speicher starten.

Der Grafikchiphersteller ATI und die Speicherhersteller Elpida, Hynix, Infineon und Micron haben einen neuen Speichertyp entwickelt, der höhere Geschwindigkeiten als das aktuelle DDR-SDRAM und dessen Nachfolger DDR-II bieten soll. Die Spezifikationen des neuen GDDR3 wurden nun fertig gestellt und sollen ab nächstem Jahr Grafikkarten Beine machen.

Der Halbleiterhersteller Hynix Semiconductor warnt vor gefälschten 128-MByte-PC133-SDRAM-Modulen, die zwar als Hynix-Markenmodule gekennzeichnet sind, in Wahrheit jedoch Billig-Speichermodule von niedriger Qualität sein sollen.