Arbeitsspeicher: SK Hynix' 1a-DRAM ist 20 Prozent sparsamer

Der LPDDR4-Speicher von SK Hynix benötigt dank extrem ultravioletter Belichtung deutlich weniger Energie bei gleichzeitig mehr Output.

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1a-DRAM von SK Hynix
1a-DRAM von SK Hynix (Bild: SK Hynix)

Nach Samsung hat auch SK Hynix die Fertigung von Arbeitsspeicher auf den sogenannten 1a-Node mit extrem ultravioletter Belichtung (EUV) umgestellt. Vorerst wird LPDDR4-Speicher für unter anderem Smartphones produziert, Partner sollen entsprechende Module im zweiten Halbjahr 2021 erhalten.

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SK Hynix gibt an, dass der 1a-DRAM im Vergleich zum bisherigen 1z-Speicher mit klassischer Immersionslithografie (DUV) sparsamer und kompakter ist. So soll der LPDDR4-4266 bei gleicher Geschwindigkeit ein Fünftel sparsamer sein und es passen bei gleicher Kapazität von 8 GBit (1 GByte) ein Viertel mehr Chips auf einen 300-mm-Wafer.

Alle Hersteller unterteilen ihre Nodes in vergleichsweise kryptische Kategorien bzw. geben ihnen Marketingbezeichnungen: So weist 1a (genauer α, also 1-alpha) grob auf 10 nm hin, während 1z etwa 11 nm bis 13 nm entspricht; ältere Prozesse sind 1y alias 14 nm bis 16 nm und 1x alias 17 nm bis 19 nm.

EUV-Einsatz wird ausgeweitet

Künftig will SK Hynix den 1a-DRAM für DDR5-Speicher nutzen, dieser ist für Server-CPUs wie Intels Sapphire Rapids gedacht. Diese Xeon-Prozessoren werden bereits von großen Partnern als frühe Muster eingesetzt, der offizielle Start erfolgt aber erst im zweiten oder dritten Quartal 2022.

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Der größte DRAM-Fertiger der Welt, Samsung, hatte bereits im März 2020 den ersten EUV-Arbeitsspeicher angekündigt. Auch hier war von 10-nm-Class die Rede, jedoch ohne auf die Vorteile des feineren Prozesses oder der extrem ultravioletten Belichtung einzugehen. Der 1z-DRAM (ebenfalls schon mit EUV) nutzt 14 nm, der 1a-Node dürfte also irgendetwas zwischen 11 nm und 13 nm einsetzen. Er soll für DDR4 und LPDDR5 verwendet werden.

Als dritter Hersteller gab Micron im Januar 2021 bekannt, ebenfalls 1a-DRAM entwickelt zu haben. Hier kommt zwar Immersionslithografie (DUV) zum Einsatz, verglichen mit dem 1z-Speicher soll der EUV-DRAM dennoch 15 Prozent sparsamer sein.

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