DDR4

Die angegebene Geschwindigkeit der meisten RAM-Kits bezieht sich nicht auf die Basisgeschwindigkeit. Das könnte sich bald ändern.

Zwei Hersteller bauen ihre Produktionskapazitäten für DDR4-RAM massiv aus. Neue Chips sind sogar günstiger als Gebrauchtware.

Die aktuellen Geschäftszahlen von Speicherhersteller Micron lassen keine gute Stimmung aufkommen. Erst für das zweite Halbjahr rechnet man mit Besserung.

Schneller als SSDs und unendlich oft beschreibbar: Das verspricht ein Speichermedium, das RAM-Chips nutzt, aber über NVMe angesprochen wird.

Durch effizientere Wafer-Nutzung soll die neue Fertigung die Kosten für DDR5-Arbeitsspeicher reduzieren. Außerdem sinkt die Leistungsaufnahme.

Über 20 Prozent günstiger bis Ende des Jahres: Weil die Lager voll sind, reduzieren die großen RAM-Hersteller die Preise für Speicher.

Flotterer RAM und größere Caches: Intel spendiert Raptor Lake ein stark überarbeitetes Speichersubsystem, hinzu kommen mehr CPU-Kerne.

Hinter NVDIMM-P verbergen sich spezielle Speichermodule mit Persistent Memory, die eine hohe Kapazität für Server-CPUs aufweisen.

40 Prozent höhere Dichte, 15 Prozent sparsamer und das, obwohl Microns 1a-DRAM für (LP)DDR4-RAM noch eine ältere Halbleiterfertigung nutzt.

Der Odroid-H2+ eignet sich als Mini-PC für viele Anwendungsfälle, da zwei Ethernet-Ports, SATA-3-Ports, M.2 und DDR4-RAM vorhanden sind.

Statt Atom-CPU gibt es beim Minisforum S40 mittlerweile immerhin Intels Gemini-Lake-CPUs. Ebenfalls dabei: DDR4-Arbeitsspeicher und USB-C.

Stacked Memory stand gar nicht auf Microns bisheriger Roadmap, die EUV-Fertigung von DDR5 hingegen war zu erwarten.

Aus Südkorea kommen DDR4/DDR5-Module mit extrem ultraviolett belichteten DRAM-Chips.

Samsung hat das Galaxy Book Ion mit sparsamem LPDDR4X-Arbeitspeicher aktualisiert, weshalb die Akkulaufzeit des Ultrabooks steigt. Hintergrund ist ein aktualisiertes Stepping von Intels Comet-Lake-Prozessoren.

Nachdem Samsung bereits DDR4-Speichermodule mit 32 GByte Kapazität basierend auf 1Z-nm-16-GBit-Chips verkauft, legt SK Hynix nach: Die Serienfertigung des DRAMs soll allerdings erst 2020 starten.

Hoher Takt und niedrige Latenz: Von Gskill kommt eine optimierte Version des Trident Z mit DDR4-4000 und CL15-16-16-18. Der Speicher eignet sich für schnelle CPUs wie den Core-i9-9900K oder den Ryzen 9 3900X.

Zwei chinesische Hersteller haben die Fertigung von DRAM- und Flash-Speicher als Serienproduktion mit respektabler Stückzahl aufgenommen. Das ist wichtig für Smartphones, denn bisher stammen der LPDDR4- und NAND-Speicher vornehmlich aus den USA oder Südkorea.

Die hauseigenen Royal-Module wurden auf DDR4-6016 getrieben und damit der bisherige Overclocking-Rekord deutlich geschlagen. Wie üblich brauchte es dafür ein Mini-ITX-Board und Flüssigstickstoff.

Mit den sogenannten A-Dies hat Samsung erste Speicherchips mit modernster 10-nm-Class-Fertigung mit 16 GBit pro Chip verlötet: Erste DDR4-Module damit sind mittlerweile im Handel gelistet, sie fassen 32 GByte.

Maßgeschneidert für einen Ryzen 9 3900X oder Ryzen 9 3950X: Mit den Trident Z Neo bringt Gskill zwei RAM-Kits in den Handel, die mit DDR4-3800-CL14 laufen. Der hohe Takt bei gleichzeitig scharfen Latenzen ist die ideale Kombination, um die maximale Leistung aus den CPUs herauszuholen.

AMDs Zen-2-CPUs unterstützen offiziell DDR4-3200, können aber auch mit deutlich höher getaktetem Speicher umgehen. Ein umfangreicher Test zeigt, dass DDR4-3733 mit relativ straffen Latenzen derzeit das Optimum für die Ryzen 3000 darstellt, weil so auch die interne Fabric-Geschwindigkeit steigt.

Bereits im zweiten Halbjahr sollen erste Speicherchips mit extrem ultravioletter Belichtung (EUV) im 10-nm-Class-Verfahren produziert werden. Den Anfang macht Samsung, gefolgt von Micron und SK Hynix.

Die als B-Dies bezeichneten DDR4-Speicherchips sind bei Übertaktern von Ryzen-CPUs beliebt. Samsung wird die Produktion stoppen und auf die M- und A-Dies mit mehr Kapazität wechseln.

Mit DRAM im 1Z-Verfahren will Samsung seine DDR4-Speicherproduktion noch weiter steigern, denn die Chips sollen auf dem kleinsten 10-nm-Class-Fertigungsprozess am Markt basieren. Die Südkoreaner verzichten dabei auf extrem ultraviolette Strahlung (EUV.)

Erst im Oktober wurde der Odroid H2 vorgestellt. Mit seinem Celeron-Prozessor kann er relativ leistungsfordernde Aufgaben bewältigen. Die vielen Anschlüsse machen aber auch andere Projekte möglich. Das System wird bald ab 111 US-Dollar verkauft.

Auch Western Digital baut Erweiterungskarten, die als Zwischenspeicher für Server ausgelegt sind. Die Ultrastar DC ME200 gibt es als normale PCIe-Karte oder als 2,5-Zoll-Laufwerk. Das erinnert ein wenig an Intels Optane.

Update Das Elitebook x360 1040 G5 setzt auf einen Quadcore-Chip mit bis zu 32 GByte DDR4-Speicher und weist optional ein extrem helles Display auf. Das HP-Convertible gibt es überdies mit LTE- und NFC-Option.

Bis zu sechs oder acht TByte DDR4-Speicher für einen Dual-Sockel-Server: Samsungs neue Module verdoppeln die bisher verfügbare Kapazität, die Speicherriegel dürften aber teuer werden.

Odroids H2 ist ein neuer Minirechner mit x86- statt ARM-CPU. Das passiv gekühlte System hat Platz für zwei DDR4-RAM-Module und eine NVMe-SSD. Es ist kleiner als ein Mini-ITX-Board und soll trotzdem relativ rechenintensive Anwendungen leisten können - etwa eine Emulation.

Intels Pentium Silver N5000 ist das Herzstück des Medion Akoya E2294, das demnächst bei Aldi-Nord angeboten wird. Dadurch unterstützt das Notebook schnelleren RAM und länger anhaltende hohe Taktraten. Auch eine M.2-SSD kann nachgerüstet werden - der Preis bleibt recht niedrig.

Doppelte Kapazität, schneller und sparsamer: Samsung hat 10-nm-Arbeitsspeicher entwickelt, mit dem 32 GByte DDR4-2666 für Notebooks als SO-DIMM möglich sind. Gedacht ist der RAM etwa für Workstations.

Einige Spielenotebooks wie das G3 15 Gaming (3579) werden von Dell mit 24 GByte Memory beworben. Tatsächlich handelt es sich um 8 GByte DDR4-Arbeitsspeicher und 16 GByte Optane Memory, also Cache von Intel.

Nvidias Partner haben Versionen der Geforce GT 1030 veröffentlicht, die lahmen DDR4- statt flotten GDDR5-Videospeicher verwendet. Das macht die Grafikkarte zwar sparsamer, aber auch langsamer. Das muss jedoch nicht schlecht sein - etwa wenn die Geforce in einem HTPC stecken soll.

Achte statt siebte Generation: Toshiba verbaut Intel-Prozessoren mit vier Kernen in seine neuen Portégé-Notebooks. Außerdem werden der Arbeitsspeicher und der SSD-Speicher verdoppelt. Das Gehäuse bleibt gleich - inklusive Trackpoint.

Erstmals gibt es in China entwickelten und vor Ort produzierten DDR4-Speicher, bisher war dieses Know-how auf Südkorea und die USA konzentriert. Hinter Xi'an UniIC Semiconductors steht die Tsinghua Holdings und damit der chinesische Staat.

Wer seinem Prozesssor durch Overclocking zur höchstmöglichen Leistung verhelfen möchte, für den hat G.Skill bald den passenden Speicher: Die Trident Z laufen mit DDR4-4700, allerdings mit hoher Spannung und nur auf wenigen (Intel-)Mainboards.

Die zweite Generation von Samsungs DDR4-Arbeitsspeicher mit 10-nm-Class-Technik geht in die Massenproduktion, jedoch ohne Kapazitätssteigerung. Der DRAM soll schneller und sparsamer sein, vor allem aber sinken die Kosten für den Hersteller.

Apples überarbeitete iMac-Serie überrascht damit, dass DDR4-Arbeitsspeicher und Kaby-Lake-Prozessor nicht verlötet sind. Der Hintergrund dürfte allerdings eher bei Intel zu suchen sein denn bei gesteigerter Kundenfreundlichkeit.