40 Prozent höhere Dichte, 15 Prozent sparsamer und das, obwohl Microns 1a-DRAM für (LP)DDR4-RAM noch eine ältere Halbleiterfertigung nutzt.

Der Odroid-H2+ eignet sich als Mini-PC für viele Anwendungsfälle, da zwei Ethernet-Ports, SATA-3-Ports, M.2 und DDR4-RAM vorhanden sind.

Statt Atom-CPU gibt es beim Minisforum S40 mittlerweile immerhin Intels Gemini-Lake-CPUs. Ebenfalls dabei: DDR4-Arbeitsspeicher und USB-C.

Stacked Memory stand gar nicht auf Microns bisheriger Roadmap, die EUV-Fertigung von DDR5 hingegen war zu erwarten.

Aus Südkorea kommen DDR4/DDR5-Module mit extrem ultraviolett belichteten DRAM-Chips.

Samsung hat das Galaxy Book Ion mit sparsamem LPDDR4X-Arbeitspeicher aktualisiert, weshalb die Akkulaufzeit des Ultrabooks steigt. Hintergrund ist ein aktualisiertes Stepping von Intels Comet-Lake-Prozessoren.

Nachdem Samsung bereits DDR4-Speichermodule mit 32 GByte Kapazität basierend auf 1Z-nm-16-GBit-Chips verkauft, legt SK Hynix nach: Die Serienfertigung des DRAMs soll allerdings erst 2020 starten.

Hoher Takt und niedrige Latenz: Von Gskill kommt eine optimierte Version des Trident Z mit DDR4-4000 und CL15-16-16-18. Der Speicher eignet sich für schnelle CPUs wie den Core-i9-9900K oder den Ryzen 9 3900X.

Zwei chinesische Hersteller haben die Fertigung von DRAM- und Flash-Speicher als Serienproduktion mit respektabler Stückzahl aufgenommen. Das ist wichtig für Smartphones, denn bisher stammen der LPDDR4- und NAND-Speicher vornehmlich aus den USA oder Südkorea.

Die hauseigenen Royal-Module wurden auf DDR4-6016 getrieben und damit der bisherige Overclocking-Rekord deutlich geschlagen. Wie üblich brauchte es dafür ein Mini-ITX-Board und Flüssigstickstoff.

Mit den sogenannten A-Dies hat Samsung erste Speicherchips mit modernster 10-nm-Class-Fertigung mit 16 GBit pro Chip verlötet: Erste DDR4-Module damit sind mittlerweile im Handel gelistet, sie fassen 32 GByte.

Maßgeschneidert für einen Ryzen 9 3900X oder Ryzen 9 3950X: Mit den Trident Z Neo bringt Gskill zwei RAM-Kits in den Handel, die mit DDR4-3800-CL14 laufen. Der hohe Takt bei gleichzeitig scharfen Latenzen ist die ideale Kombination, um die maximale Leistung aus den CPUs herauszuholen.

AMDs Zen-2-CPUs unterstützen offiziell DDR4-3200, können aber auch mit deutlich höher getaktetem Speicher umgehen. Ein umfangreicher Test zeigt, dass DDR4-3733 mit relativ straffen Latenzen derzeit das Optimum für die Ryzen 3000 darstellt, weil so auch die interne Fabric-Geschwindigkeit steigt.

Bereits im zweiten Halbjahr sollen erste Speicherchips mit extrem ultravioletter Belichtung (EUV) im 10-nm-Class-Verfahren produziert werden. Den Anfang macht Samsung, gefolgt von Micron und SK Hynix.

Die als B-Dies bezeichneten DDR4-Speicherchips sind bei Übertaktern von Ryzen-CPUs beliebt. Samsung wird die Produktion stoppen und auf die M- und A-Dies mit mehr Kapazität wechseln.

Mit DRAM im 1Z-Verfahren will Samsung seine DDR4-Speicherproduktion noch weiter steigern, denn die Chips sollen auf dem kleinsten 10-nm-Class-Fertigungsprozess am Markt basieren. Die Südkoreaner verzichten dabei auf extrem ultraviolette Strahlung (EUV.)

Erst im Oktober wurde der Odroid H2 vorgestellt. Mit seinem Celeron-Prozessor kann er relativ leistungsfordernde Aufgaben bewältigen. Die vielen Anschlüsse machen aber auch andere Projekte möglich. Das System wird bald ab 111 US-Dollar verkauft.

Auch Western Digital baut Erweiterungskarten, die als Zwischenspeicher für Server ausgelegt sind. Die Ultrastar DC ME200 gibt es als normale PCIe-Karte oder als 2,5-Zoll-Laufwerk. Das erinnert ein wenig an Intels Optane.

Das Elitebook x360 1040 G5 setzt auf einen Quadcore-Chip mit bis zu 32 GByte DDR4-Speicher und weist optional ein extrem helles Display auf. Das HP-Convertible gibt es überdies mit LTE- und NFC-Option.

Bis zu sechs oder acht TByte DDR4-Speicher für einen Dual-Sockel-Server: Samsungs neue Module verdoppeln die bisher verfügbare Kapazität, die Speicherriegel dürften aber teuer werden.

Odroids H2 ist ein neuer Minirechner mit x86- statt ARM-CPU. Das passiv gekühlte System hat Platz für zwei DDR4-RAM-Module und eine NVMe-SSD. Es ist kleiner als ein Mini-ITX-Board und soll trotzdem relativ rechenintensive Anwendungen leisten können - etwa eine Emulation.

Intels Pentium Silver N5000 ist das Herzstück des Medion Akoya E2294, das demnächst bei Aldi-Nord angeboten wird. Dadurch unterstützt das Notebook schnelleren RAM und länger anhaltende hohe Taktraten. Auch eine M.2-SSD kann nachgerüstet werden - der Preis bleibt recht niedrig.

Doppelte Kapazität, schneller und sparsamer: Samsung hat 10-nm-Arbeitsspeicher entwickelt, mit dem 32 GByte DDR4-2666 für Notebooks als SO-DIMM möglich sind. Gedacht ist der RAM etwa für Workstations.

Einige Spielenotebooks wie das G3 15 Gaming (3579) werden von Dell mit 24 GByte Memory beworben. Tatsächlich handelt es sich um 8 GByte DDR4-Arbeitsspeicher und 16 GByte Optane Memory, also Cache von Intel.

AMDs neue Ryzen-CPUs skalieren ziemlich gut mit flottem DDR4-RAM, das zeigen unsere internen Messungen. Neben Takt und Latenzen sind es auch die Subtimings, welche für mehr Geschwindigkeit sorgen.
Ein Bericht von Marc Sauter

Nvidias Partner haben Versionen der Geforce GT 1030 veröffentlicht, die lahmen DDR4- statt flotten GDDR5-Videospeicher verwendet. Das macht die Grafikkarte zwar sparsamer, aber auch langsamer. Das muss jedoch nicht schlecht sein - etwa wenn die Geforce in einem HTPC stecken soll.

Achte statt siebte Generation: Toshiba verbaut Intel-Prozessoren mit vier Kernen in seine neuen Portégé-Notebooks. Außerdem werden der Arbeitsspeicher und der SSD-Speicher verdoppelt. Das Gehäuse bleibt gleich - inklusive Trackpoint.

Erstmals gibt es in China entwickelten und vor Ort produzierten DDR4-Speicher, bisher war dieses Know-how auf Südkorea und die USA konzentriert. Hinter Xi'an UniIC Semiconductors steht die Tsinghua Holdings und damit der chinesische Staat.

Wer seinem Prozesssor durch Overclocking zur höchstmöglichen Leistung verhelfen möchte, für den hat G.Skill bald den passenden Speicher: Die Trident Z laufen mit DDR4-4700, allerdings mit hoher Spannung und nur auf wenigen (Intel-)Mainboards.

Die zweite Generation von Samsungs DDR4-Arbeitsspeicher mit 10-nm-Class-Technik geht in die Massenproduktion, jedoch ohne Kapazitätssteigerung. Der DRAM soll schneller und sparsamer sein, vor allem aber sinken die Kosten für den Hersteller.

Apples überarbeitete iMac-Serie überrascht damit, dass DDR4-Arbeitsspeicher und Kaby-Lake-Prozessor nicht verlötet sind. Der Hintergrund dürfte allerdings eher bei Intel zu suchen sein denn bei gesteigerter Kundenfreundlichkeit.

Computex 2017 Microns 3D-Flash-Speicher für mehr Geschwindigkeit: Die bisherige BX200-SSD ist bei längerer Schreiblast kaum schneller als eine Festplatte, Crucials neue BX300 soll deutlich flotter sein.

AMD hat den Mainboard-Herstellern neuen Code für Ryzen-Platinen zur Verfügung gestellt. Der optimiert den Arbeitsspeicher und ermöglicht neben DDR4-4000-Takt auch das Einstellen der Command Rate. Beta-Versionen von UEFIs sind verfügbar.

Hewlett Packard Enterprises neue Version von The Machine verfügt über weitaus mehr lokalen RAM als andere Systeme. Das Forschungsprojekt ist zudem mit ARM-basierten Thunder X2 und optischen Interconnects ausgestattet.

Im kommenden Jahr sollen zwei neue Speicherstandards verabschiedet werden: Neben dem DDR4-Nachfolger DDR5 sind sogenannte NVDIMM-P für Server geplant, also Module mit persistentem Speicher wie 3D Xpoint.

Innerhalb eines halben Jahres haben sich die Kosten für Arbeitsspeicher (RAM) fast verdoppelt. Wer heute 16 GByte an DDR4-2133 kaufen möchte, bezahlt 90 statt 50 Euro. Ein Preisrückgang ist nicht zu erwarten - im Gegenteil.

IDF 2016 Das Speichergremium Jedec arbeitet an der Spezifikation von DDR5-Speicher, der Standard braucht aber noch Jahre, bis er verfügbar wird. Intel denkt derweil schon an automatisches Overclocking, vorerst erhalten allerdings einige Kaby-Lake-Chips flotten DDR4-2400.

Der RAM-Hersteller Crucial hat begonnen, NVDIMMs zu verkaufen. Diese kombinieren DDR4- mit Flash-Speicher und einem Superkondensator und sichern Server-Daten bei einem Stromausfall.

Eine Strukturbreite kleiner als 20 nm: Samsung hat die Serienfertigung von DDR4-Arbeitsspeicher im sogenannten 10-nm-Class-Verfahren begonnen. Entsprechende Module fassen bis zu 128 GByte.

Offenbar sind mehr Arbeitsspeicher-Varianten für den Rowhammer-Angriff verwundbar, als bislang gedacht. Forscher haben jetzt einen Angriff auf DDR4-Speicher vorgestellt, auch professionelle Serverspeicher sollen betroffen sein.

Insgesamt 144 Dies verteilt auf drei Dutzend Packages: Samsung hat angekündigt, die ersten DDR4-Arbeitsspeichermodule für Server zu produzieren. Die Südkoreaner sind aber nicht die ersten.

Die neue R-Serie, intern Merlin Falcon genannt, arbeitet als erster AMD-Chip mit DDR4-Arbeitsspeicher zusammen. Die Embedded-Variante von Carrizo ist kleiner und schneller als ihr Vorgänger. Die 4K-tauglichen Chips stecken in Arcade-Automaten.

Ausblick auf 2017 und 2018: Eine Intel-Roadmap zur Server-Plattform Purley zeigt, dass die Skylake- und Cannonlake-EP-Prozessoren auf sehr schnellen Speicher und eine optische Datenübertragung setzen.

IDF 15 Zum Jahreswechsel will Intel neue Xeon-Prozessoren vorstellen: Die unter dem Codenamen Broadwell-EP laufenden Chips nutzen schnellen DDR4-2400-Arbeitsspeicher und verfügen über bis zu 24 CPU-Kerne.

Flash Memory Summit 2015 Kaum ist der NVDIMM-Standard verabschiedet, zeigt Diablo ein erstes DDR4-Modul mit Flash-Speicher. Verglichen mit DRAM soll der Memory1 genannte Speicher die vierfache Kapazität aufweisen.

Das ist Rekord: Gskills Trident-Z-Arbeitsspeicher läuft mit zwei GHz und damit fast doppelt so flott wie es die offiziellen DDR4-Spezifikationen vorsehen. Die Module sind vor allem für Übertakter gedacht, die sich ein Haswell-EP- oder Skylake-System kaufen möchten.

Die Jedec hat den Standard für NVDIMMs veröffentlicht. Die Speichermodule ermöglichen Hybrid-Arbeitsspeicher mit nichtflüchtigen Speicherzellen. Denkbar sind NAND-Flash und Memristor/ReRAM. Eine neue Bauform ist nicht notwendig, denn die Module verhalten sich wie DDR4-RAM.