DDR4

Die zweite Generation von Samsungs DDR4-Arbeitsspeicher mit 10-nm-Class-Technik geht in die Massenproduktion, jedoch ohne Kapazitätssteigerung. Der DRAM soll schneller und sparsamer sein, vor allem aber sinken die Kosten für den Hersteller.

Hewlett Packard Enterprises neue Version von The Machine verfügt über weitaus mehr lokalen RAM als andere Systeme. Das Forschungsprojekt ist zudem mit ARM-basierten Thunder X2 und optischen Interconnects ausgestattet.

Im kommenden Jahr sollen zwei neue Speicherstandards verabschiedet werden: Neben dem DDR4-Nachfolger DDR5 sind sogenannte NVDIMM-P für Server geplant, also Module mit persistentem Speicher wie 3D Xpoint.

Innerhalb eines halben Jahres haben sich die Kosten für Arbeitsspeicher (RAM) fast verdoppelt. Wer heute 16 GByte an DDR4-2133 kaufen möchte, bezahlt 90 statt 50 Euro. Ein Preisrückgang ist nicht zu erwarten - im Gegenteil.

IDF Das Speichergremium Jedec arbeitet an der Spezifikation von DDR5-Speicher, der Standard braucht aber noch Jahre, bis er verfügbar wird. Intel denkt derweil schon an automatisches Overclocking, vorerst erhalten allerdings einige Kaby-Lake-Chips flotten DDR4-2400.

Der RAM-Hersteller Crucial hat begonnen, NVDIMMs zu verkaufen. Diese kombinieren DDR4- mit Flash-Speicher und einem Superkondensator und sichern Server-Daten bei einem Stromausfall.

Eine Strukturbreite kleiner als 20 nm: Samsung hat die Serienfertigung von DDR4-Arbeitsspeicher im sogenannten 10-nm-Class-Verfahren begonnen. Entsprechende Module fassen bis zu 128 GByte.

Ausblick auf 2017 und 2018: Eine Intel-Roadmap zur Server-Plattform Purley zeigt, dass die Skylake- und Cannonlake-EP-Prozessoren auf sehr schnellen Speicher und eine optische Datenübertragung setzen.

IDF Zum Jahreswechsel will Intel neue Xeon-Prozessoren vorstellen: Die unter dem Codenamen Broadwell-EP laufenden Chips nutzen schnellen DDR4-2400-Arbeitsspeicher und verfügen über bis zu 24 CPU-Kerne.

Flash Memory Summit 2015 Kaum ist der NVDIMM-Standard verabschiedet, zeigt Diablo ein erstes DDR4-Modul mit Flash-Speicher. Verglichen mit DRAM soll der Memory1 genannte Speicher die vierfache Kapazität aufweisen.

Das ist Rekord: Gskills Trident-Z-Arbeitsspeicher läuft mit zwei GHz und damit fast doppelt so flott wie es die offiziellen DDR4-Spezifikationen vorsehen. Die Module sind vor allem für Übertakter gedacht, die sich ein Haswell-EP- oder Skylake-System kaufen möchten.

Die Jedec hat den Standard für NVDIMMs veröffentlicht. Die Speichermodule ermöglichen Hybrid-Arbeitsspeicher mit nichtflüchtigen Speicherzellen. Denkbar sind NAND-Flash und Memristor/ReRAM. Eine neue Bauform ist nicht notwendig, denn die Module verhalten sich wie DDR4-RAM.

Samsung hat die Serienfertigung von DDR4-DRAM in der Low-Power-Variante aufgenommen. Damit können 2015 erste Geräte mit den neuen Speichern erscheinen, neue SoCs sind schon darauf vorbereitet.

Bisher ist der maximale Speicherausbau bei DDR4-Systemen wie für Intels Core i7-5960X durch die Größe der Module beschränkt. Samsung will das ändern und hat die Serienproduktion von DRAM-Chips mit 8 Gigabit pro Die aufgenommen.

Als einer der ersten Hersteller hat Samsung die Serienproduktion von Stacked-DDD4-RAM begonnen. Je vier gestapelte Speicherchips sind per TSV-Technik verbunden, ein RDIMM bietet 64 GByte Kapazität.

Ab 2015 werden nicht nur Computer und Notebooks mit DDR4-Speicher ausgeliefert, sondern auch Smartphones und Tablets: Erste Geräte sollen im zweiten Halbjahr auf LPDDR4-RAM setzen, um genug Bandbreite für 4K und Spiele zu liefern.

In Seoul hat Samsung erste Benchmarks seiner zweiten Generation von SSDs mit dem Protokoll NVMe vorgeführt. Die bisher für Server vorgesehenen Laufwerke lesen deutlich schneller als PC-SSDs mit M.2-Schnittstelle und schreiben etwas langsamer.

Eine neue Intel-Folie bestätigt, was sich bereits angedeutet hat: Die Desktop-Versionen von Broadwell werden parallel mit Skylake veröffentlicht, bis ins zweite Quartal 2015 muss der Haswell Refresh die Stellung halten.

Ab 2015 werden Ultrabooks deutlich schneller: Intel plant für die Skylake-Prozessoren 72 statt zuvor 48 GPU-Kerne bei Broadwell zu nutzen. Was den U-Modellen an DDR4-Datentransferrate fehlt, machen sie durch 64 MByte EDRAM wett.

Computex 2014 In Taipeh zeigen Mainboardhersteller Vorserienprodukte für den Haswell-E mit acht Cores. Zunächst werden 64 GByte RAM unterstützt, demnächst aber auch 128.

Der Speicherhersteller SK Hynix hat ein DDR4-Modul mit 128 GByte angekündigt. Damit verdoppelt der Hersteller die Dichte pro Riegel. Möglich macht das die TSV-Technologie.

Auf einer Veranstaltung in Frankfurt hat Samsung erstmals DDR4-Speichermodule mit der maximalen Taktfrequenz des kommenden Standards im Betrieb gezeigt. Die für 2014 erwarteten DRAMs sollen zudem sparsam sein.

IDF Unkomprimierte Videos übertragen, Notebooks aufladen und SSDs nicht ausbremsen - das alles sollen USB 3.1 und Power Delivery (PD) leisten. Dazu werden die Standards getrennt voneinander entwickelt, erst 2015 soll es erste Geräte nach USB 3.1 geben.

IDF In gleich zwei Vorträgen in San Francisco hat Intel seine Pläne für den neuen Standard beim Arbeitsspeicher erklärt. DDR4 soll demnächst endgültig spezifiziert werden, die ersten lauffähigen Server mit dem sparsamen Speicher gibt es auch schon.

IDF Die Entwicklerkonferenz IDF soll für Intel der Beginn einer neuen Ära werden, in welcher der Chiphersteller auch bei mobilen Geräten mehr mitzureden hat. Dazu will der neue Konzernchef Mitarbeiter und Kunden mit einer Keynote-Ansprache motivieren.

Samsung hat nach eigenen Angaben die Massenproduktion von DDR4-Speichern gestartet. Die RAM-Chips werden im 20-Nanometer-Verfahren gefertigt und sollen auf Modulen mit bis zu 1.333 MHz sowie 32 GByte Kapazität in den Handel kommen.

Der Speicherhersteller Micron hat einige seiner wichtigsten Kunden bereits mit vollständigen Speichermodulen nach dem kommenden DRAM-Standard DDR4 bemustert. Noch 2012 soll die Serienproduktion aufgenommen werden - früher als erwartet.

Bereits im Jahr 2014, also ein Jahr nach der Vorstellung der neuen Architektur Haswell, könnte Intel mit seinen Xeon-CPUs erstmals DDR4-DRAM einsetzen. Das berichtet VR-Zone aus eigenen Quellen. Erst 2015 soll der neue Speicher dann in Desktops Einzug halten.

Vorerst nur für Server soll im kommenden Jahr neues DRAM vom Typ DDR4 in Serienproduktion gehen. Geplant ist eine Standardspannung von 1,2 Volt, die aber noch gesenkt werden kann. Bis zu 60 Prozent Energieeinsparung sind möglich.

Das Normierungsgremium Jedec hat einige technische Details bekanntgegeben, die für DDR4-Speicher geplant sind. Dazu gehören zahlreiche Funktionen für sparsameres und schnelleres DRAM.

Samsung stellt ein erstes DDR4-Speichermodul vor, das mit Chips in 30-Nanometer-Technik arbeitet. Es soll Datentransferraten von bis zu 2.133 GBit/s bei einer Spannung von nur 1,2 Volt erreichen.

Neue Speichertypen sollen Anfang 2010 erscheinen. Statt mit minimal 1,5 Volt soll DDR3-Speicher für Desktops und Notebooks bald mit nur noch 1,35 Volt funktionieren. Das bringt Energieeinsparungen, weil auch die Speichercontroller elektrisch nicht mehr so gefordert werden wie bisher.