DDR4

AMD hat den Mainboard-Herstellern neuen Code für Ryzen-Platinen zur Verfügung gestellt. Der optimiert den Arbeitsspeicher und ermöglicht neben DDR4-4000-Takt auch das Einstellen der Command Rate. Beta-Versionen von UEFIs sind verfügbar.

Hewlett Packard Enterprises neue Version von The Machine verfügt über weitaus mehr lokalen RAM als andere Systeme. Das Forschungsprojekt ist zudem mit ARM-basierten Thunder X2 und optischen Interconnects ausgestattet.

Der RAM-Hersteller Crucial hat begonnen, NVDIMMs zu verkaufen. Diese kombinieren DDR4- mit Flash-Speicher und einem Superkondensator und sichern Server-Daten bei einem Stromausfall.

Eine Strukturbreite kleiner als 20 nm: Samsung hat die Serienfertigung von DDR4-Arbeitsspeicher im sogenannten 10-nm-Class-Verfahren begonnen. Entsprechende Module fassen bis zu 128 GByte.

Offenbar sind mehr Arbeitsspeicher-Varianten für den Rowhammer-Angriff verwundbar, als bislang gedacht. Forscher haben jetzt einen Angriff auf DDR4-Speicher vorgestellt, auch professionelle Serverspeicher sollen betroffen sein.

Insgesamt 144 Dies verteilt auf drei Dutzend Packages: Samsung hat angekündigt, die ersten DDR4-Arbeitsspeichermodule für Server zu produzieren. Die Südkoreaner sind aber nicht die ersten.

Die neue R-Serie, intern Merlin Falcon genannt, arbeitet als erster AMD-Chip mit DDR4-Arbeitsspeicher zusammen. Die Embedded-Variante von Carrizo ist kleiner und schneller als ihr Vorgänger. Die 4K-tauglichen Chips stecken in Arcade-Automaten.

Ausblick auf 2017 und 2018: Eine Intel-Roadmap zur Server-Plattform Purley zeigt, dass die Skylake- und Cannonlake-EP-Prozessoren auf sehr schnellen Speicher und eine optische Datenübertragung setzen.

Die Jedec hat den Standard für NVDIMMs veröffentlicht. Die Speichermodule ermöglichen Hybrid-Arbeitsspeicher mit nichtflüchtigen Speicherzellen. Denkbar sind NAND-Flash und Memristor/ReRAM. Eine neue Bauform ist nicht notwendig, denn die Module verhalten sich wie DDR4-RAM.

Samsung hat die Serienfertigung von DDR4-DRAM in der Low-Power-Variante aufgenommen. Damit können 2015 erste Geräte mit den neuen Speichern erscheinen, neue SoCs sind schon darauf vorbereitet.

Bisher ist der maximale Speicherausbau bei DDR4-Systemen wie für Intels Core i7-5960X durch die Größe der Module beschränkt. Samsung will das ändern und hat die Serienproduktion von DRAM-Chips mit 8 Gigabit pro Die aufgenommen.

Als einer der ersten Hersteller hat Samsung die Serienproduktion von Stacked-DDD4-RAM begonnen. Je vier gestapelte Speicherchips sind per TSV-Technik verbunden, ein RDIMM bietet 64 GByte Kapazität.

Ab 2015 werden nicht nur Computer und Notebooks mit DDR4-Speicher ausgeliefert, sondern auch Smartphones und Tablets: Erste Geräte sollen im zweiten Halbjahr auf LPDDR4-RAM setzen, um genug Bandbreite für 4K und Spiele zu liefern.

In Seoul hat Samsung erste Benchmarks seiner zweiten Generation von SSDs mit dem Protokoll NVMe vorgeführt. Die bisher für Server vorgesehenen Laufwerke lesen deutlich schneller als PC-SSDs mit M.2-Schnittstelle und schreiben etwas langsamer.

Eine neue Intel-Folie bestätigt, was sich bereits angedeutet hat: Die Desktop-Versionen von Broadwell werden parallel mit Skylake veröffentlicht, bis ins zweite Quartal 2015 muss der Haswell Refresh die Stellung halten.

Ab 2015 werden Ultrabooks deutlich schneller: Intel plant für die Skylake-Prozessoren 72 statt zuvor 48 GPU-Kerne bei Broadwell zu nutzen. Was den U-Modellen an DDR4-Datentransferrate fehlt, machen sie durch 64 MByte EDRAM wett.

Computex 2014 In Taipeh zeigen Mainboardhersteller Vorserienprodukte für den Haswell-E mit acht Cores. Zunächst werden 64 GByte RAM unterstützt, demnächst aber auch 128.

Der Speicherhersteller SK Hynix hat ein DDR4-Modul mit 128 GByte angekündigt. Damit verdoppelt der Hersteller die Dichte pro Riegel. Möglich macht das die TSV-Technologie.

Auf einer Veranstaltung in Frankfurt hat Samsung erstmals DDR4-Speichermodule mit der maximalen Taktfrequenz des kommenden Standards im Betrieb gezeigt. Die für 2014 erwarteten DRAMs sollen zudem sparsam sein.

IDF Unkomprimierte Videos übertragen, Notebooks aufladen und SSDs nicht ausbremsen - das alles sollen USB 3.1 und Power Delivery (PD) leisten. Dazu werden die Standards getrennt voneinander entwickelt, erst 2015 soll es erste Geräte nach USB 3.1 geben.

IDF In gleich zwei Vorträgen in San Francisco hat Intel seine Pläne für den neuen Standard beim Arbeitsspeicher erklärt. DDR4 soll demnächst endgültig spezifiziert werden, die ersten lauffähigen Server mit dem sparsamen Speicher gibt es auch schon.

IDF Die Entwicklerkonferenz IDF soll für Intel der Beginn einer neuen Ära werden, in welcher der Chiphersteller auch bei mobilen Geräten mehr mitzureden hat. Dazu will der neue Konzernchef Mitarbeiter und Kunden mit einer Keynote-Ansprache motivieren.

Samsung hat nach eigenen Angaben die Massenproduktion von DDR4-Speichern gestartet. Die RAM-Chips werden im 20-Nanometer-Verfahren gefertigt und sollen auf Modulen mit bis zu 1.333 MHz sowie 32 GByte Kapazität in den Handel kommen.

Der Speicherhersteller Micron hat einige seiner wichtigsten Kunden bereits mit vollständigen Speichermodulen nach dem kommenden DRAM-Standard DDR4 bemustert. Noch 2012 soll die Serienproduktion aufgenommen werden - früher als erwartet.

Bereits im Jahr 2014, also ein Jahr nach der Vorstellung der neuen Architektur Haswell, könnte Intel mit seinen Xeon-CPUs erstmals DDR4-DRAM einsetzen. Das berichtet VR-Zone aus eigenen Quellen. Erst 2015 soll der neue Speicher dann in Desktops Einzug halten.

Vorerst nur für Server soll im kommenden Jahr neues DRAM vom Typ DDR4 in Serienproduktion gehen. Geplant ist eine Standardspannung von 1,2 Volt, die aber noch gesenkt werden kann. Bis zu 60 Prozent Energieeinsparung sind möglich.

Das Normierungsgremium Jedec hat einige technische Details bekanntgegeben, die für DDR4-Speicher geplant sind. Dazu gehören zahlreiche Funktionen für sparsameres und schnelleres DRAM.

Samsung stellt ein erstes DDR4-Speichermodul vor, das mit Chips in 30-Nanometer-Technik arbeitet. Es soll Datentransferraten von bis zu 2.133 GBit/s bei einer Spannung von nur 1,2 Volt erreichen.

Neue Speichertypen sollen Anfang 2010 erscheinen. Statt mit minimal 1,5 Volt soll DDR3-Speicher für Desktops und Notebooks bald mit nur noch 1,35 Volt funktionieren. Das bringt Energieeinsparungen, weil auch die Speichercontroller elektrisch nicht mehr so gefordert werden wie bisher.