DDR4: Schnellere und sparsamere Speichermodule von Samsung

Samsung stellt ein erstes DDR4-Speichermodul vor, das mit Chips in 30-Nanometer-Technik arbeitet. Es soll Datentransferraten von bis zu 2.133 GBit/s bei einer Spannung von nur 1,2 Volt erreichen.

4. Januar 2011 um 11:59 Uhr / Jens Ihlenfeld

DDR4-Modul von Samsung

DDR4 soll für längere Akkulaufzeiten sorgen, kommt die neue Speichertechnik doch mit geringerer Spannung aus als DDR3. Samsung hat die Entwicklung eines ersten DDR4-DRAM-Moduls abgeschlossen, das Speicherchips in 30-Nanometer-Technik verwendet. Es soll Datenraten von 2.133 GBit/s bei 1,2 Volt erreichen. Zum Vergleich: Samsungs DDR3-Module benötigen mit entsprechenden Chips mit Strukturgrüßen zwischen 30 und 39 Nanometer 1,35 oder 1,5 Volt und erreichen nur 1,6 GBit/s.

Samsung verspricht unter dem Strich eine um 40 Prozent reduzierte Leistungsaufnahme. Dabei nutzt das Modul eine als Pseudo Open Drain (POD) bezeichnete Technik, die Samsung aus Grafikspeicher übernommen hat: Dadurch sollen die DDR4-Chips beim Schreiben und Lesen von Daten mit halb so viel elektrischen Ladungen auskommen wie DDR3-Chips.

Dank einer neuen Schaltungsarchitektur sollen Samsungs DDR4-Chips mit Taktraten von 1,6 bis 3,2 GBit/s betrieben werden können, so der Hersteller.

Wann die DDR4-Module kommerziell erhältlich sein werden, verriet Samsung nicht.