DDR4
Schnellere und sparsamere Speichermodule von Samsung
Samsung stellt ein erstes DDR4-Speichermodul vor, das mit Chips in 30-Nanometer-Technik arbeitet. Es soll Datentransferraten von bis zu 2.133 GBit/s bei einer Spannung von nur 1,2 Volt erreichen.
DDR4 soll für längere Akkulaufzeiten sorgen, kommt die neue Speichertechnik doch mit geringerer Spannung aus als DDR3. Samsung hat die Entwicklung eines ersten DDR4-DRAM-Moduls abgeschlossen, das Speicherchips in 30-Nanometer-Technik verwendet. Es soll Datenraten von 2.133 GBit/s bei 1,2 Volt erreichen. Zum Vergleich: Samsungs DDR3-Module benötigen mit entsprechenden Chips mit Strukturgrüßen zwischen 30 und 39 Nanometer 1,35 oder 1,5 Volt und erreichen nur 1,6 GBit/s.
Samsung verspricht unter dem Strich eine um 40 Prozent reduzierte Leistungsaufnahme. Dabei nutzt das Modul eine als Pseudo Open Drain (POD) bezeichnete Technik, die Samsung aus Grafikspeicher übernommen hat: Dadurch sollen die DDR4-Chips beim Schreiben und Lesen von Daten mit halb so viel elektrischen Ladungen auskommen wie DDR3-Chips.
Dank einer neuen Schaltungsarchitektur sollen Samsungs DDR4-Chips mit Taktraten von 1,6 bis 3,2 GBit/s betrieben werden können, so der Hersteller.
Wann die DDR4-Module kommerziell erhältlich sein werden, verriet Samsung nicht.
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Dass das immer noch so schwer ist mit den Datenraten. 2.133 GBit wäre lächerlich langsam...
Das Kritische ist bei RAM Riegeln nicht die aufnahme sondern die Abfuhr. Denn die Chips...
mmd :D