Xi'an UniIC Semiconductors: Chinesen starten eigene DDR4-Speicherproduktion

Erstmals gibt es in China entwickelten und vor Ort produzierten DDR4-Speicher, bisher war dieses Know-how auf Südkorea und die USA konzentriert. Hinter Xi'an UniIC Semiconductors steht die Tsinghua Holdings und damit der chinesische Staat.

Artikel veröffentlicht am 27. Februar 2018, 17:10 Uhr, Marc Sauter

DDR-Übersicht (Bild: Xi'an UniIC Semiconductors)

Xi'an UniIC Semiconductors, ein chinesischer Halbleiterhersteller, hat DDR4-Speicherchips entwickelt und in der Serienfertigung. Das berichtet die japanische PC Watch unter Berufung auf die DRAM-Modul-Übersicht von Xi'an UniIC Semiconductors. Bisher wurde DDR4-Speicher vor allem in Südkorea von Samsung sowie SK Hynix und in den USA von Micron entwickelt und produziert. Xi'an UniIC Semiconductors bietet diverse Sorten von Modulen an, SO-DIMMs für Notebooks und U-DIMMS für PC, inklusive solcher mit Fehlerkorrektur (ECC) für Server mit 4 GByte oder 8 GByte Kapazität.

Alle DDR4-Sticks basieren auf 4-GBit-Dies (512 MByte), wohingegen andere Hersteller schon 8-GBit-Chips fertigen. Auch die Geschwindigkeit von bis zu DDR4-2133 mit CL15-15-15 bei 1,2 Volt ist wenig beeindruckend - allerdings scheinen die Chips seit einigen Monaten in Produktion zu sein (siehe CPU-Z). Offenbar werden die damit versehenen DDR4-Module nur in China verkauft und nicht exportiert. Unklar bleibt, woher das Know-how für die DDR4-Speicherentwicklung stammt. Grundsätzlich hat Xi'an UniIC Semiconductors viel Erfahrung mit DRAM, da bereits DDR, DDR2 und DDR3 designt wurde.

Hier ist es wichtig, die Firmengeschichte zu kennen: Ursprünglich 2003 als Infineon Xi'an gegründet und 2006 in Qimonda Xi'an umbenannt, 2009 dann von Inspur übernommen. 2015 folgte der Kauf durch die Tsinghua Unigroup, die wiederum zu Tsinghua Holdings gehört und ihr Geld maßgeblich durch den chinesischen Staat erhält.

In den vergangenen Monaten investierte der in die YMTC-Tochter exorbitante 24 Milliarden US-Dollar, um eines der weltweit größten Halbleiterwerke in China sowie zwei weitere teure Fabs zu bauen. So möchte die Yangtze Memory Technologies Corporation innerhalb der kommenden Jahre zu einem führenden Fertiger bei 3D-NAND-Flash-Speicher und DRAM werden.