Hynix

CES 2026 Die nächste Speicher-Generation für KI-Beschleuniger und Mobilgeräte steht vor dem Start. Auch tauschbarer LPDDR-Speicher ist immer öfter zu sehen.

Samsung und SK Hynix dürfen sanktionierte Maschinen nur noch nach US-Freigabe einführen. TSMC verzichtet auf chinesische Maschinen.

US-Präsident Donald Trump fordert mehr Investitionen in den USA. Samsung plant ein altes Projekt wiederzubeleben, um Südkoreas Zollverhandlungen zu unterstützen.

Die bald auslaufende Produktion älterer Speichergenerationen führt zu deutlichen Preissprüngen. Das macht auch neuere PCs teurer.

Die Nachfrage nach SSDs für PCs und Rechenzentren ist weniger stark gestiegen als vorhergesagt. Die Hersteller steuern bereits gegen.

Höhere Kapazität und geringere Herstellungskosten: Auch SK Hynix will bei DRAM in die dritte Dimension. Ein anderer 3D-Speicher treibt aktuell die Umsätze.

Nach einer nahezu zwei Jahre währenden Krise scheint die Talsohle bei Speicherchips durchschritten. Business- und Endkunden sind in Kauflaune.

Das Mate 60 Pro verwendet ein von Huawei trotz Sanktionen hergestelltes SoC - was bei den USA Argwohn hervorgerufen hat.

Schneller und sparsamer soll Speicher dank der laut SK Hynix fortschrittlichsten Fertigung werden. Intel testet den neuen Speicher bereits.

Zwei TByte für rund 80 Euro freut Endkunden, nicht aber die Hersteller. Am Ende könnte es sogar Insolvenzen geben.

Geringe Nachfrage und niedrige Preise machen Speicherherstellern zu schaffen. Selbst ASML spürt die verringerte Nachfrage. Besserung soll bald kommen.

Dem US-Speicherhersteller Micron droht ein Importverbot in China. Die US-Regierung möchte, dass Samsung und SK Hynix die Lücke nicht schließen.

Ein riesiger Sockel, mehr Speicherkanäle und PCIe-Lanes: Bei den kommenden Xeon-Plattformen rüstet Intel auf. Auch die Leistungsaufnahme steigt.

Kaum ist schneller LPDDR5X-Speicher auf dem Markt, legt SK Hynix mit noch höherem Takt nach. LPDDR5T soll die Brücke zu LPDDR6 sein.

Mittels QLC-Speicher und vielen gestapelten Ebenen will SK Hynix sehr hohe Kapazitäten auf eine SSD unterbringen.

Nach dem gescheiterten Verkauf an Nvidia sucht ARM-Eigner Softbank wohl weiter finanzielle Auswege. Erfolg hat das bisher nicht.

SK Hynix, der zweitgrößte DRAM-Hersteller der Welt, leide "unweigerlich" unter den Drohungen der USA.

Erstmals seit drei Jahren geht der Absatz bei Unternehmen wie Samsung und SK Hynix zurück. Das gilt als Warnsignal für die globale Konjunktur.

Mehr Kapazität pro Fläche gibt es nirgends sonst: SK Hynix hat den dichtesten NAND entwickelt, wohlgemerkt als TLC-Variante.

Einst Intel, heute Tochter von SK Hynix: Mit der P41 Plus gibt es eine erste Client-SSD von Solidigm, die trotz PCIe Gen4 aber eher langsam ist.

Die dritte Generation an Stacked Memory ist spezifiziert: HBM3 vervierfacht die Kapazität und verdoppelt die Geschwindigkeit des 3D-Speichers.

Auf HBM2E folgt HBM3: SK Hynix' Stapelspeicher erhöht die Geschwindigkeit und Kapazität drastisch, was für Beschleuniger-/Grafikkarten wichtig ist.

Der LPDDR4-Speicher von SK Hynix benötigt dank extrem ultravioletter Belichtung deutlich weniger Energie bei gleichzeitig mehr Output.

Was am 8. März 2021 neben den großen Meldungen sonst noch passiert ist, in aller Kürze.

Was am 25. Februar 2021 neben den großen Meldungen sonst noch passiert ist, in aller Kürze.

Die NAND-Chips mit 512 GBit und später 1 TBit Kapazität sind laut SK Hynix die kompaktesten am Markt, bisher lag Micron hier vorne.

Das 3D-NAND-Geschäft geht zu SK Hynix nach Südkorea, die 3D-Xpoint-Abteilung hingegen behält Intel selbst.

Mit bis zu DDR5-5600 will SK Hynix frühe Partner wie Intel beliefern.

Was am 19. August 2020 neben den großen Meldungen sonst noch passiert ist, in aller Kürze.

Das Speichergremium Jedec hat den DDR5-SDRAM-Standard fertiggestellt.

Trotz Mask-Stitching sollen 185 Wafer pro Stunde von den ASML-Steppern belichtet werden können.

Nachdem Samsung bereits DDR4-Speichermodule mit 32 GByte Kapazität basierend auf 1Z-nm-16-GBit-Chips verkauft, legt SK Hynix nach: Die Serienfertigung des DRAMs soll allerdings erst 2020 starten.

Auf 3,2 GBit/s von Samsung folgt SK Hynix mit 3,6 GBit/s: Der Stapelspeicher taktet höher als der der Konkurrenz, die Kapazität fällt mit 16 GByte pro Stack identisch aus. Bis zur Serienfertigung dauert noch bis 2020.

Mit dem 4D-NAND v2 alias 3D-NAND v6 liegt SK Hynix vor der Konkurrenz: Der Flash-Speicher nutzt 128 Zellschichten für eine Kapazität von 1 TBit pro Chip, er befindet sich laut den Südkoreanern bereits in der Serienfertigung.

Bereits im zweiten Halbjahr sollen erste Speicherchips mit extrem ultravioletter Belichtung (EUV) im 10-nm-Class-Verfahren produziert werden. Den Anfang macht Samsung, gefolgt von Micron und SK Hynix.

Vertikale Integration bei SK Hynix: Die Enterprise-SSD des Herstellers basiert auf einem eigenen Controller, eigenem DRAM und eigenem Flash-Speicher. Das NVMe-Drive soll 8 TByte Kapazität haben und sehr effizient sein.

Verteilt auf 96 Schichten und mit 4 Bit pro Zelle: SK Hynix hat begonnen, SSD-Controller-Hersteller mit dem hauseigenen 4D-NAND zu bemustern. Der Flash-Speicher hat 1 TBit pro Die und ist für SSDs mit bis zu 16 TByte Kapazität gedacht.

Aus Südkorea kommt das erste Speichermodul mit DDR5-Chips: Der Riegel von SK Hynix schafft DDR5-5200 und ist für kommende CPUs gedacht. Der Standard steigert die Geschwindigkeit bei weniger Leistungsaufnahme.

Lieber die Vormachtstellung ausnutzen statt zu investieren. Der US-Nachrichtendienst Bloomberg befürchtet, dass Samsung die Preise für Flash-Speicher hoch halten will, nachdem das Unternehmen Erwartungen für 2019 nach unten korrigiert hat. Eine Alternative wäre es, zu investieren und einen Vorsprung zu den zwei verbliebenen Konkurrenten aufzubauen.

Flash Memory Summit 2018 SK Hynix' fünfte Generation von 3D-Flash-Speicher heißt 4D-NAND, weil die Logik nach unten wandert und Toshibas neuer XL-Flash soll extrem niedrige Latenzen aufweisen, um mit Samsungs Z-NAND zu konkurrieren.