US-Präsident Donald Trump fordert mehr Investitionen in den USA. Samsung plant ein altes Projekt wiederzubeleben, um Südkoreas Zollverhandlungen zu unterstützen.
Höhere Kapazität und geringere Herstellungskosten: Auch SK Hynix will bei DRAM in die dritte Dimension. Ein anderer 3D-Speicher treibt aktuell die Umsätze.
Hot Chips KI-Modelle bewegen große Datenmengen, das Speicherinterface wird schnell zum Flaschenhals. Recheneinheiten im Speicher sollen die Blockade lösen.
Nachdem Samsung bereits DDR4-Speichermodule mit 32 GByte Kapazität basierend auf 1Z-nm-16-GBit-Chips verkauft, legt SK Hynix nach: Die Serienfertigung des DRAMs soll allerdings erst 2020 starten.
Auf 3,2 GBit/s von Samsung folgt SK Hynix mit 3,6 GBit/s: Der Stapelspeicher taktet höher als der der Konkurrenz, die Kapazität fällt mit 16 GByte pro Stack identisch aus. Bis zur Serienfertigung dauert noch bis 2020.
Mit dem 4D-NAND v2 alias 3D-NAND v6 liegt SK Hynix vor der Konkurrenz: Der Flash-Speicher nutzt 128 Zellschichten für eine Kapazität von 1 TBit pro Chip, er befindet sich laut den Südkoreanern bereits in der Serienfertigung.
Bereits im zweiten Halbjahr sollen erste Speicherchips mit extrem ultravioletter Belichtung (EUV) im 10-nm-Class-Verfahren produziert werden. Den Anfang macht Samsung, gefolgt von Micron und SK Hynix.
Vertikale Integration bei SK Hynix: Die Enterprise-SSD des Herstellers basiert auf einem eigenen Controller, eigenem DRAM und eigenem Flash-Speicher. Das NVMe-Drive soll 8 TByte Kapazität haben und sehr effizient sein.
Verteilt auf 96 Schichten und mit 4 Bit pro Zelle: SK Hynix hat begonnen, SSD-Controller-Hersteller mit dem hauseigenen 4D-NAND zu bemustern. Der Flash-Speicher hat 1 TBit pro Die und ist für SSDs mit bis zu 16 TByte Kapazität gedacht.
Aus Südkorea kommt das erste Speichermodul mit DDR5-Chips: Der Riegel von SK Hynix schafft DDR5-5200 und ist für kommende CPUs gedacht. Der Standard steigert die Geschwindigkeit bei weniger Leistungsaufnahme.
Lieber die Vormachtstellung ausnutzen statt zu investieren. Der US-Nachrichtendienst Bloomberg befürchtet, dass Samsung die Preise für Flash-Speicher hoch halten will, nachdem das Unternehmen Erwartungen für 2019 nach unten korrigiert hat. Eine Alternative wäre es, zu investieren und einen Vorsprung zu den zwei verbliebenen Konkurrenten aufzubauen.
Flash Memory Summit 2018 SK Hynix' fünfte Generation von 3D-Flash-Speicher heißt 4D-NAND, weil die Logik nach unten wandert und Toshibas neuer XL-Flash soll extrem niedrige Latenzen aufweisen, um mit Samsungs Z-NAND zu konkurrieren.
Die HyperX Predator RGB sind ein Speicherkit mit RGB-Lichteffekten und DDR4-2933-Takt. Die bunte Beleuchtung synchronisiert sich per Infrarot, was aber nur bei RAM-Bänken auf einer Seite des CPU-Sockels klappt.
Auf der Suche nach einem Ersatz für das XPS 13 stoßen wir auf das Latitude 7390. Dells Business-Notebook hat eine ähnlich gute Tastatur wie Thinkpads, während es wie das XPS 13 trotzdem nicht zu klobig wirkt. Wir finden in unserem Test: Dieses Kind ist gut gelungen.
35Kommentare/Ein Test von Oliver Nickel,Sebastian Grüner
Mit Standardgehäuse und SATA-Schnittstelle will Nimbus Data die klassische HDD im Rechenzentrum ersetzen. Die Exadrive DC100 hat erstmals eine Kapazität von 100 TByte. Die dafür benötigten Controller brauchen aber etwas mehr Strom.
Aufgrund massiv gestiegener Kosten für DRAM und Flash-Speicher bittet die verantwortliche chinesische Ökonomie-Kommission die Unternehmen Micron sowie Samsung und SK Hynix zum Gespräch. Die Rede ist von Preisabsprachen.