3D-NAND v6: SK Hynix startet Produktion von 128-lagigem Flash-Speicher

Mit dem 4D-NAND v2 alias 3D-NAND v6 liegt SK Hynix vor der Konkurrenz: Der Flash-Speicher nutzt 128 Zellschichten für eine Kapazität von 1 TBit pro Chip, er befindet sich laut den Südkoreanern bereits in der Serienfertigung.

Artikel veröffentlicht am 27. Juni 2019, 9:35 Uhr, Marc Sauter

Mitarbeiter mit Wafern mit Flash-Speicher-Chips mit 128 Zellschichten (Bild: SK Hynix)

SK Hynix hat die Massenproduktion von Flash-Speicher mit 128 Schichten gestartet: Der 3D-NAND v6, vom Marketing als zweite Generation des 4D-NAND bezeichnet, weist eine Kapazität von 1 TBit pro Chip auf. Jede Zelle kann 3 Bit sichern, was gemeinhin als TLC-Flash (Triple Level Cell) bezeichnet wird.

Laut dem Hersteller läuft der 3D-NAND v6 mit einer Spannung von 1,2 Volt und weist eine Datentransferrate von 1,4 GBit/s auf. Das entspricht Samsungs sogenanntem V-NAND v5, welcher seit Sommer 2018 in Serie gefertigt und beispielsweise für die SSD 970 Evo Plus verwendet wird.

Obgleich der 3D-NAND v6 verglichen zum 3D-NAND v5 mit 128 statt 96 Zellschichten versehen ist, konnte SK Hynix eigenen Angaben zufolge die Anzahl der nötigen Fertigungsschritte leicht reduzieren und so Kosten einsparen. Durch mehr Layer bei 1 TBit sind die Chips zudem kompakter, was die Dies ebenfalls wirtschaftlicher in der Fertigung macht.

SK Hynix will den neuen Flash-Speicher ab dem zweiten Halbjahr 2019 ausliefern. Zu den ersten Produkten mit dem 3D-NAND v6 gehören Packages für Smartphones: Ein UFS-3.1-Chipgehäuse mit 1 TByte Kapazität soll im ersten Halbjahr 2020 für Partner verfügbar sein. Verglichen mit bisherigen Lösungen soll es eine um 20 Prozent niedrigere Verlustleistung aufweisen.

Als Nachfolger für die kürzlich angekündigte Enterprise-SSD namens PE6000 mit 8 TByte plant SK Hynix bereits Modelle mit 16 TByte und 32 TByte. Neben eigenem Flash-Speicher und DRAM wird bei der PE6000 auch erstmals ein selbst entwickelter Controller verwendet. Eine Client-SSD mit 2 TByte für Desktops oder Notebooks ist ebenfalls angedacht.

Für den 3D-NAND v7 sieht SK Hynix dann 176 Layer vor.