SSDs: SK Hynix kündigt 4D-NAND an und Toshiba den XL-Flash
SK Hynix' fünfte Generation von 3D-Flash-Speicher heißt 4D-NAND, weil die Logik nach unten wandert und Toshibas neuer XL-Flash soll extrem niedrige Latenzen aufweisen, um mit Samsungs Z-NAND zu konkurrieren.

SK Hynix und Toshiba haben auf dem Flash Memory Summit 2018 neue Speichertechnologien vorgestellt, wie Tom's Hardware berichtet. Die Südkoreaner fertigen mit ihrem 4D-NAND die fünfte Generation an 3D-Flash-Speicher mit mehr Zellschichten und mehr Kapazität, wohingegen die Japaner mit dem XL-Flash eine Alternative zu Intels 3D Xpoint respektive Optane-SSDs und Samsungs Z-NAND/-SSDs liefern möchten.
Auch wenn 4D-NAND danach klingt, hat der Speicher keine vierte Dimension - das Marketing wollte nur besonders kreativ sein. Der Flash von SK Hynix nutzt nun 96 Layer und 3 Bit pro Zelle (Triple Level Cell, TLC) für Dies mit 1 TBit oder 512 GBit. Wie gehabt wird ein Charge-Trap-Design verwendet, die Logik sitzt nun aber unter den NAND-Schichten statt daneben. Diese Umsetzung ist von IMFT (Intel & Micron Flash Technologies) und der YMTC (Yangtze Memory Technologies Company) bekannt, auch Samsung plant, künftig so vorzugehen. Für den 3D-NAND v6 plant SK Hynix mit 128 Layern, zuvor soll der 3D-NAND v5 mit 4 Bit pro Zelle (Quad Level Cell, QLC) und mehr Kapazität noch 2019 in die Serienproduktion gehen.
Bei Toshiba steht XL-Flash wohl für Xtreme Low Latency, denn der Speicher soll eine sehr niedrige Latenz aufweisen. Dazu setzt der Hersteller auf kürzere Bit- und Word-Lines sowie multiple Planes statt der üblichen zwei oder seltener vier. Vorerst ist der Speicher als SLC-Variante (Single Level Cell) mit ein Bit pro Zelle geplant, was verglichen mit TLC die Latenz auf ein Zehntel reduzieren soll. Zudem würden die wahlfreien Zugriffe (IOPS) gerade bei wenig tiefen Befehlsschlangen sehr viel höher ausfallen als bei TLC-NAND, so wie bei Intels 3D Xpoint respektive Optane-SSDs und Samsungs Z-NAND/-SSDs. Folgerichtig ist der XL-Flash für Server-Kunden als Storage Class Memory interessant.
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