Through Silicon Via

Flash Memory Summit 2018 Die Yangtze Memory Technologies Company will 3D-Flash-Speicher liefern, der doppelt so schnell ist wie der von Samsung, allerdings weniger Kapazität aufweist. Hintergrund ist die getrennte Fertigung von NAND- und I/O-Wafern.

Die PM1643 ist eine SSD im 2,5-Zoll-Formfaktor mit 31 TByte Kapazität. Samsung verbaut den V-NAND-v4-Flash-Speicher und gleich 40 GByte DDR4. Die Serienfertigung läuft, erste Enterprise-Kunden haben schon SSDs für ihre Datenzentren erhalten.

Statt mehrere Chips einzeln mit Drähtchen zu verbinden, werden sie bei Toshibas 3D-Flash-Speicher durch vertikale Stäbchen (TSV) in den Dies verschaltet. Das soll die Effizienz verdoppeln und bis zu 1 TByte pro SSD-Package ermöglichen.

Multi-Chip-Module kennt jeder Prozessorinteressierte, EMIB noch nicht. Es ist Intels Technik, um mehrere Dies mit verschiedenen Strukturbreiten zu verbinden. Das ergibt eine Art Bus, der mehrere Hundert GByte pro Sekunde schnell sein soll.

Flash Memory Summit 2016 Mehr Kapazität durch mehr Ladungszustände und durchkontaktierte Flash-Speicher-Chips (TSV): Schon bald sollen über 100 TByte in einer SSD möglich sein. Toshiba stapelt 32 statt der üblichen 16 Dies in einem Package, von denen jedes mindestens 512 GBit aufweist.

Die Serienfertigung soll im Spätsommer 2016 starten: SK Hynix plant HBM2 mit 4 GByte ab dem dritten und mit 8 GByte ab dem vierten Quartal. Der Stapelspeicher soll bei AMDs Polaris- und Nvidias Pascal-Grafikkarten und bei Mittelklasse-Chips verwendet werden.

16 GByte Videospeicher für High-End-Grafikkarten: Samsung hat begonnen, High Bandwidth Memory mit 4 statt 1 GByte pro Stapel zu produzieren. Der eignet sich für kommende Pascal- und Polaris-Karten.

Insgesamt 144 Dies verteilt auf drei Dutzend Packages: Samsung hat angekündigt, die ersten DDR4-Arbeitsspeichermodule für Server zu produzieren. Die Südkoreaner sind aber nicht die ersten.

Größer als Applied Materials: Lam Research hat KLA-Tencor für 10,6 Milliarden US-Dollar übernommen. Zusammen sind beide Unternehmen der größte Anbieter für Wafer-Systeme.

Eine Rekordsumme von 26 Milliarden US-Dollar investiert SK Hynix in neue Speicherchipfabriken. Im Moment ist HBM (High Bandwidth Memory) für Grafikkarten ein gefragtes Produkt aus der Branche.

IDF 15 Samsung ist nach Hynix der zweite Hersteller, der High Bandwidth Memory für Grafikkarten produzieren wird. Die Roadmap sieht Stapelspeicher mit acht GByte Kapazität und einer Geschwindigkeit von 256 GByte pro Sekunde vor.

Flash Memory Summit 2015 Hauchdünne Metallstäbchen statt Drähte: Toshibas neuer Flash-Speicher wird vertikal durchkontaktiert, anstelle die Dies einzeln zu verdrahten. Damit sollen SSDs schneller und sparsamer werden.

Selten haben wir eine so ambivalente Grafikkarte wie die Radeon R9 Fury X getestet: Egal ob die Rechengeschwindigkeit, der neue Videospeicher, die Platine samt Anschlüssen oder die Wasserkühlung - alles hat wichtige Vorteile, aber auch nervige Nachteile.
Von Marc Sauter

Größere SSDs, schnellere Grafikkarten und längere Akkulaufzeiten bei Smartphones: Speicherzellen oder DRAM-Chips, die wie die Etagen eines Hochhauses gestapelt werden, bieten viele Vorteile.
Von Marc Sauter

Bisher ist der maximale Speicherausbau bei DDR4-Systemen wie für Intels Core i7-5960X durch die Größe der Module beschränkt. Samsung will das ändern und hat die Serienproduktion von DRAM-Chips mit 8 Gigabit pro Die aufgenommen.

Als einer der ersten Hersteller hat Samsung die Serienproduktion von Stacked-DDD4-RAM begonnen. Je vier gestapelte Speicherchips sind per TSV-Technik verbunden, ein RDIMM bietet 64 GByte Kapazität.

Der Speicherhersteller SK Hynix hat ein DDR4-Modul mit 128 GByte angekündigt. Damit verdoppelt der Hersteller die Dichte pro Riegel. Möglich macht das die TSV-Technologie.

GTC 2014 Erst im Jahr 2016 will Nvidia den Nachfolger von Maxwell auf den Markt bringen. Die neue GPU-Architektur Pascal arbeitet mit Stacked-Memory und einem integrierten PCIe-Switch, der Multi-GPU-Systeme deutlich beschleunigen soll.

Vorerst nur für Server soll im kommenden Jahr neues DRAM vom Typ DDR4 in Serienproduktion gehen. Geplant ist eine Standardspannung von 1,2 Volt, die aber noch gesenkt werden kann. Bis zu 60 Prozent Energieeinsparung sind möglich.

Auf Basis von "through silicon vias" hat Samsung ein Speichermodul von 32 GByte Größe für Server entwickelt. Die hohe Kapazität ergibt sich durch direkte Verbindungen mehrerer Chips in einem Package per Kupfer.

Nach über drei Jahren Entwicklungszeit wird die Technik der "Through Silicon Vias" (TSV) allmählich serienreif. Samsung liefert jetzt erste Muster von Registered-DIMMs aus, bei denen einzelne DRAM-Chips direkt verbunden sind. 2011 sollen die TSVs in Serie gehen.

Der Unix- und Linux-Desktop Gnome ist in der Version 2.28 erschienen. Gnome 2.28 enthält nun offiziell die Bluetooth-Werkzeuge und der Browser Epiphany verwendet Webkit als Rendering Engine.

Zoho arbeitet an einer umfassenden Online-Office-Lösung, die neben einer Textverarbeitung, Tabellenkalkulation und Präsentations-Tool auch Projektmanagement, CRM, Wiki und Mail umfasst. Mit Zoho DB & Reports kommt nun eine einfach zu bedienende Online-Datenbank-Lösung hinzu.

Schneller, kleiner und weniger stromhungrig sollen künftige Speicherchips dank so genannter "Through Silicon Via" (TSV) werden, verspricht Samsung. Mit den direkten Verbindungen des Siliziums lassen sich mehrere Chips in einem Gehäuse stapeln.

Yahoo will Website-Betreibern mit dem "Site Explorer" einen tiefen Einblick in seinen Suchindex bieten, so dass diese erkennen können, welche ihrer Seiten wie im Index abgelegt sind. Seiten, die nicht erfasst sind, sollen sich zudem einfach eintragen lassen.