Einst auch als Produkt geplant, hat The Machine mittlerweile verstärkt den Charakter eines Forschungsprojekts. HPEs Idee eines Computers mit gigantischem, nicht flüchtigem Speicherpool scheiterte unter anderem an den Partnern. In Zukunft dürfte The Machine dennoch eine wichtige Rolle spielen.
HPE will den Computer neu erfinden - die ersten Schritte sind getan: The Machine existiert als funktionierender Prototyp mit 4 TByte einheitlichem Speicher und optischer Verbindung zwischen mehreren Racks. Als Nächstes steht ReRAM auf dem Plan.
Die Jedec hat den Standard für NVDIMMs veröffentlicht. Die Speichermodule ermöglichen Hybrid-Arbeitsspeicher mit nichtflüchtigen Speicherzellen. Denkbar sind NAND-Flash und Memristor/ReRAM. Eine neue Bauform ist nicht notwendig, denn die Module verhalten sich wie DDR4-RAM.
The Machine macht Fortschritte. Das neu gedachte Computersystem befindet sich im Simulationsmodus, und das Geschwindigkeitspotenzial hat HP bereits demonstriert. Einzelne Teile der Entwicklung können damit beginnen.
Irische Wissenschaftler haben einen neuartigen Memristor entwickelt, dessen Widerstandswerte gezielt verändert werden können. Damit können in nur einem Bauteil zehn Werte gespeichert werden, was sich für völlig neuartige Computer nutzen lassen könnte.
In Intels Programmierhandbuch finden sich seit kurzem erste Befehle, die für die Verwaltung von NVRAM vorgesehen sind. Damit können Speicherbereiche unabhängig von der Stromversorgung gespeichert werden, was nicht nur für NVDIMMs mit Flash-Bausteinen oder SSDs nützlich ist.
Einheitlicher Speicher, der selbst im Petabyte-Bereich und in riesigen Rack-Installationen in unter 250 ns angesprochen werden kann: Das soll HPs The Machine ermöglichen. Memristor- und Photonics-Technik müssen jedoch erst finalisiert werden - das gilt auch für das Machine OS.
Das Gehirn muss nicht programmiert werden - es lernt. Wissenschaftler versuchen deshalb, seinen Mechanismus nachzubauen. Der Bielefelder Forscher Andy Thomas versucht das mit Memristoren.
HP arbeitet weiter an seinem ehrgeizigen Konzept des Nanostore: Prozessor, Memristor und Vernetzung sollen in einem Chipwürfel untergebracht werden. In drei Jahren könnte das für Server vorgesehene Konzept marktreif sein.
Ein internationales Forscherteam hat eine Methode entwickelt, mit der sich die Speicherdichte auf Festplatten vervielfachen lassen soll. Sie nutzen ein einzelnes Molekül, um ein Bit zu speichern. Dazu arbeitet das Molekül wie ein Memristor.
Koreanische Wissenschaftler haben einen neuen Typ von Arbeitsspeicher auf einer flexiblen Folie entwickelt. Sie kombinierten dabei herkömmliche Transistoren mit einem Memristor.
Anfang 2013 will HP erste ReRAM-Produkte auf Basis seiner Memristor-Technik auf den Markt bringen und damit Flash-Speicher ablösen. Später sollen Memristors auch DRAM und SRAM ersetzen.
Wissenschaftler der North Carolina University in Raleigh haben einen Transistor entwickelt, der sowohl schnell schalten als auch seine Inhalte ohne Stromzufuhr speichern kann. Sie verwenden dafür zwei schaltende Gates, wodurch sich die positiven Eigenschaften bisheriger Speicher kombinieren lassen sollen.
Seit vier Jahren erforscht Hewlett-Packard verstärkt den Memristor, der als Nachfolger von Flash und DRAM gehandelt wird. Nun hat das Unternehmen mit Hynix eine Partnerschaft geschlossen, die erste Serienprodukte hervorbringen soll. Einen Namen für das Produkt gibt es auch schon: ReRAM.
Multi-Chip-Packages mit Phasenübergangsspeicher. Noch im zweiten Quartal 2010 will Samsung Bausteine für Handys ausliefern, die mit PRAM ausgestattet sind. Der seit Jahren als möglicher Flash-Nachfolger gehandelte Speichertyp kam bisher nicht richtig in Schwung, Samsung traut ihm nun die Anwendung in Handys zu.
Erste Produkte für 2013 erwartet. Hewlett-Packard forscht weiter am Memristor, einem der möglichen Nachfolger von Flash-Speichern. Inzwischen sollen die Bauelemente auch Rechenfunktionen beherrschen, einen Fertigungsprozess für die Herstellung mit Mitteln der Halbleitertechnik gibt es ebenfalls.
Fortschritte bei totgeglaubter Speichertechnik. Trotz zahlreicher Konkurrenz bei der Entwicklung von Universalspeichern, die die Vorteile von DRAM und Flash vereinen sollen, forscht NEC weiter an seinem "Magnetoresistive Random Access Memory", kurz MRAM. Inzwischen gibt es Fortschritte und eine neue Positionierung: MRAM soll in SoCs für Unterhaltungselektronik Platz finden.
NIST-Forscher stellen biegsames Speicherelement vor. Forscher am US National Institute of Standards and Technology (NIST) haben einen flexiblen Memristor entwickelt. Damit lassen sich stromsparende Speicherchips entwickeln, die sich biegen und drehen lassen.
