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Stan Williams
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HP will Flash-Nachfolger Memristor in Serie fertigen

Erste Produkte für 2013 erwartet

Hewlett-Packard forscht weiter am Memristor, einem der möglichen Nachfolger von Flash-Speichern. Inzwischen sollen die Bauelemente auch Rechenfunktionen beherrschen, einen Fertigungsprozess für die Herstellung mit Mitteln der Halbleitertechnik gibt es ebenfalls.

Der Memristor wird auch als das "vierte Element" der Elektronik bezeichnet. Neben Spule, Kondensator und Widerstand hatte der Ingenieur Leon Chua den Memristor bereits 1971 vorausgesagt, aber erst 2008 konnte ein Team um Stan Williams von HP ihn bauen. Der Name des Bauelements ist ein Kunstwort, das seine Eigenschaft beschreibt, sich einen Widerstand zu merken. Dieser Widerstand bleibt auch gleich, wenn keine Spannung mehr anliegt. Damit würde sich der Memristor auch zum Speichern von Informationen eignen.

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  • HPs erste Memristoren von 2008 aus 17 Titandrähten
HPs erste Memristoren von 2008 aus 17 Titandrähten

Zum Einsatz in der Computertechnik eignet sich das Bauteil aber nur, wenn es auch hohe Schaltgeschwindigkeiten erreicht und damit Rechenfunktionen ermöglicht. Das hat HP nun laut einer eigenen Mitteilung erreicht. Auch mehrere hunderttausend Schreib- und Lesezyklen soll der Memristor inzwischen aushalten. Der Ankündigung waren Veröffentlichungen in den Wissenschaftsmedien Nature und Proceedings of the National Academy of Sciences vorangegangen.

Stan Williams zeigt sich in HPs Mitteilung sehr selbstbewusst. Dem Ingenieur zufolge soll durch den Memristor die Halbleitertechnik auch über die Gültigkeitsdauer von Moore's Law hinaus ihr Entwicklungstempo halten können. Das Bauteil ermöglicht - bisher nur in der Theorie - höhere Datendichten als Flash-Speicher bei weniger elektrischen Problemen. Intel-Mitbegründer Gordon Moore meinte vor fast genau fünf Jahren, seine Voraussage von der Verdoppelung der Transistordichte alle 18 Monate solle noch 20 Jahre halten. 2025 wäre dann das Ende der Fahnenstange erreicht.

HP zufolge steht der Memristor aber kurz vor der Möglichkeit, in herkömmlichen Halbleiterfabriken gefertigt zu werden. "From Lab to Fab" ist dementsprechend auch die Ankündigung des Unternehmens überschrieben. Gegenüber der New York Times sagte Williams zum Vergleich mit Flash-Speichern sogar, er rechne damit, in drei Jahren "besser als die Konkurrenz" zu sein. Konkret seien seine Bauteile jetzt nur 3 Nanometer breit, Flash wird in Serie derzeit mit Strukturbreiten von 25 bis 40 Nanometern hergestellt.

Auch in drei Jahren - wenn Flash etwa 16 Nanometer erreicht haben dürfte - will Williams noch konkurrenzfähig sein. Der US-Zeitung sagte er, in drei Jahren rechne er mit einer Kapazität von 20 Gigabyte pro Quadratzentimeter mit Memristor-Elementen. Das soll dann immer noch das Doppelte von dem sein, was Flash erreichen kann.

Die Halbleiterbranche beobachtet die neue Technik nicht nur wegen einer möglichen Ablösung von Flash sehr gespannt. Der Memristor ist ebenso wie beispielsweise NECs MRAM oder IBMs Ractrack-Memory eine Möglichkeit, die Vorteile von DRAM und Flash zu vereinen. Damit könnten Chipentwickler dann auch in Logikschaltungen einen schnellen Speicher in nennenswerter Menge unterbringen, der seine Informationen dauerhaft hält. Stan Williams spricht in der Mitteilung von HP auch ausdrücklich von einer Integration in Prozessoren.


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Steve W. 08. Aug 2010

Steve J. hatte doch noch nie Ahnung von der Hardware... http://de.wikipedia.org/wiki...

FlashRAM 08. Aug 2010

Schaut doch einfach mal hier... http://de.wikipedia.org/wiki/Memristor

Lukkkke 09. Apr 2010

der Ram ist auch gleich festplatte. wenn also das system abstürzt ist alles kaputt und du...

xxxxxxxxxxxxxxx... 09. Apr 2010

schon klar...

blood32 08. Apr 2010

war ironisch gemeint, ...Element.... ich wollte genau damit aussagen wie sinnlos solch...



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