Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/1111/87539.html    Veröffentlicht: 04.11.2011 16:58    Kurz-URL: https://glm.io/87539

Forschung

Biegsamer Speicher mit RRAM und Memristor

Koreanische Wissenschaftler haben einen neuen Typ von Arbeitsspeicher auf einer flexiblen Folie entwickelt. Sie kombinierten dabei herkömmliche Transistoren mit einem Memristor.

Wissenschaftler des staatlichen südkoreanischen Forschungsinstituts Kaist haben einen neuen Speichertyp auf einer flexiblen Folie konstruiert. Das Gerät arbeitet wie ein resistives RAM (RRAM) und soll mit Schreiben, Lesen und Löschen alle Funktionen eines RAMs beherrschen.

Das ist bei biegsamer Elektronik nicht leicht zu realisieren, weil sich die meist aus organischen Stoffen gebauten Speicherzellen durch Übersprechen oft gegenseitig beeinflussen.

Die Forscher haben dieses Problem gelöst, indem sie einen herkömmlichen Transistor aus Silizium mit einem Memristor aus Titanoxid kombiniert haben. Der programmierbare Widerstand des Memristors soll dabei die Ladung im Transistor stabil halten. Diese Konstruktion nennt das Kaist "one-transistor one-memristor" oder 1T-1M.

Die Ankündigung kommt nur kurz nach der Meldung des Parc, nach der die kalifornischen Forscher erstmals ein voll funktionsfähiges DRAM mitsamt seiner Ansteuerungselektronik auf eine Folie drucken konnten. Die Veröffentlichung des Kaist war aber offenbar lange geplant, da die Ergebnisse bereits jetzt in einer Arbeit der Nano Letters wissenschaftlich veröffentlicht werden.

Mit der Parc-Forschung hat das Kaist-Gerät aber gemein, dass die Speicherzellen im Vergleich zu aktuellen Speichern aus der Serienfertigung geradezu riesig sind. Den Bildern aus Korea zufolge ist eine einzelne Zelle rund einen Quadratmillimeter groß und damit einige hundert Mal größer als eine moderne DRAM-Zelle. Bisher sind alle Arbeiten an biegsamer Elektronik auch nur für spezielle Anwendungen wie elektronische Etiketten vorgesehen.  (nie)


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