Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/1105/83840.html    Veröffentlicht: 31.05.2011 09:37    Kurz-URL: https://glm.io/83840

Samsung

Speichermodul mit 32-GByte-DDR3-Speicher in 30 Nanometern

Samsung startet die Massenproduktion von Speichermodulen mit 32 GByte in 30-Nanometer-Technik. Dabei kommen DDR3-Chips mit je 4 Gigabit zum Einsatz.

Die neuen Speicherriegel mit 32-GByte-Speicherkapazität sind für große Server und Cloud Computing gedacht, eben Einsatzzwecke, in denen viel Arbeitsspeicher benötigt wird. In den Speicherriegeln kommen DDR3-Chips mit 4-Gigabit-Kapazität zum Einsatz, die Samsung seit Februar 2011 in 30-Nanometer-Technik fertigt. Im April 2011 folgen erste Speichermodule mit 16 GByte, nun stellt Samsung auch 32-GByte-Module her.

Noch in der zweiten Jahreshälfte 2011 will Samsung mit der Fertigung von DDR3-Chips mit 4 Gigabit in 20-Nanometer-Technik beginnen.

Die 32-GByte-Speichermodule werden als RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module) angeboten. Die Speicherriegel arbeiten mit 1,35 Volt und sollen einen Datendurchsatz von 1.866 MBit/s erreichen. Zum Vergleich: Der Vorgänger in 40-Nanometer-Technik erreichte nur 1.333 MBit/s und benötigte 1,5 Volt.

Zudem gibt es 8-GByte-Module im SO-DIMM-Format, die 1,5 Volt benötigen und 2.133 MBit/s erreichen.

Ganz allgemein setzt Samsung auf Speicherchips mit höherer Kapazität. 2012 sollen rund 10 Prozent aller von Samsung hergestellten DRAM-Chips eine Kapazität von 4 Gigabit oder mehr haben.  (ji)


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