Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/1004/74377.html    Veröffentlicht: 09.04.2010 11:55    Kurz-URL: https://glm.io/74377

Ramsan-630 mit 10 TByte Flash-Speicher

Storagesystem erreicht 500.000 I/Os und 8 GByte pro Sekunde

Texas Memory Systems baut sein Portfolio an Flash-Speicher-Systemen mit dem Ramsan-630-Storagesystem weiter aus. Es bietet 10 TByte Speicherkapazität und erreicht dank SLC-Flash-Speicher 500.000 I/Os pro Sekunde.

Mehr Geschwindigkeit und Speicherkapazität bietet Texas Memory Systems mit seinem neuen Storagesystem Ramsan-630. Es bringt 10 TByte Speicherkapazität auf SLC-NAND-Chips in einem Rackgehäuse mit drei Höheneinheiten unter und erreicht dabei 500.000 I/Os pro Sekunde.

Angebunden wird es derzeit über zehn Fibre-Channel-Links mit je 4 GBit/s, womit es eine Datentransferrate von 4 GByte/s erreichen soll. In einigen Monaten soll eine Version mit Adaptern von Infiniband und Fibre Channel mit 8 GBit/s folgen. Dann soll das System Daten mit 8 GByte/s übertragen können.

Die Latenz des Systems gibt Texas Memory Systems mit 80 Mikrosekunden beim Schreiben und 250 Mikrosekunden beim Lesen an. Die Leistungsaufnahme soll bei 450 Watt liegen.

Texas Memory Systems liefert das Storagesystem Ramsan-630 ab sofort aus. Preise nennt der Hersteller nur auf Anfrage.  (ji)


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