Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0909/70031.html    Veröffentlicht: 24.09.2009 07:39    Kurz-URL: https://glm.io/70031

Flash-Nachfolger: Samsung startet Massenproduktion von PRAM

Schneller als NOR-Flash, stromsparender als DRAM

Samsung hat mit der Massenproduktion von PRAM begonnen. Die "Phase-change Random Access Memory"-Module sollen nach dem Willen von Samsung NOR-Flash ablösen. Der nichtflüchtige Speicher ist so schnell wie RAM.

Samsungs PRAM-Produktion startet mit Speichermodulen mit 512 MBit Kapazität. Einen entsprechenden PRAM-Prototypen hatte Samsung bereits 2006 gezeigt. Die neue Speichertechnik soll sich durch hohe Geschwindigkeit bei geringer Leistungsaufnahme auszeichnen und, geht es nach Samsung, NOR-Flash in mobilen Endgeräten ersetzen.

Samsungs PRAM-Modul mit 512 MBit ist laut Hersteller in der Lage, 64 Kilowords (KWs) in 80 Millisekunden zu löschen und wäre damit rund zehnmal schneller als NOR-Flash. Speichersegmente von 5 MByte soll PRAM rund fünfmal schneller löschen und wiederbeschreiben können als NOR-Flash.

Die Akkulaufzeit von Smartphones soll sich durch den Einsatz von PRAM um rund 20 Prozent verlängern lassen, da sie damit weniger Strom benötigen als mit DRAM, verspricht Samsung.

Samsung fertigt seine PRAM-Module in 60-Nanometer-Technik, die auch bei der Herstellung von NOR-Flash zum Einsatz kommt. Künftige PRAM-Generationen sollen in kleineren Strukturgrößen hergestellt werden.

Im Vergleich zu anderen Speichertechniken, die ebenfalls als Flash-Nachfolger gehandelt werden, soll PRAM deutlich besser skalierbar sein. Zudem soll PRAM im Vergleich mit Flash-Speicher eine rund zehnmal längere Lebensdauer besitzen. Samsung übersetzt PRAM auch mit "Perfect RAM".

Samsung erwartet, dass PRAM vor allem im Handybereich und anderen mobilen Endgeräten zum Einsatz kommen wird. Entsprechende Geräte sollen von der höheren Geschwindigkeit spürbar profitieren.  (ji)


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