Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0901/64949.html    Veröffentlicht: 30.01.2009 11:26    Kurz-URL: https://glm.io/64949

Samsung: DDR3-Chips mit 8 GBit für Module mit 32 GByte

Neue DDR3-Chips in 50-Nanometer-Technik und mit verringertem Stromverbrauch

Samsung hat einen DDR3-Speicherchip mit einer Kapazität von 4 GBit in 50-Nanometer-Technik entwickelt. Mit Dual-Die-Gehäusen lassen sich damit DDR3-Speichermodule mit bis zu 32 GByte Speicherkapazität herstellen.

DDR3-Chip mit 4 GBit von Samsung
DDR3-Chip mit 4 GBit von Samsung
Samsungs 4-GBit-DDR3-Chip arbeitet mit einer Spannung von 1,35 Volt und soll 20 Prozent schneller sein als ein DDR2-Chip mit 1,5 Volt. Den maximalen Datendurchsatz des Chips gibt Samsung mit 1,6 GBit/s an.

In einem 16-GByte-Modul sollen die neuen Speicherchips rund 40 Prozent weniger Strom verbrauchen als DDR3-Module mit 2-GBit-Chips, schließlich müssen bei gleicher Kapazität nur halb so viele Chips mit Strom versorgt werden - 32 statt 64.

Laut Samsung können die neuen Chips in RDIMMs mit 16 GByte für Server, ungepufferten 8-GByte-DIMMs für Workstations und Desktops-PCs sowie in SODIMMs für Laptops eingesetzt werden, die ebenfalls 8 GByte Kapazität bieten. Mit Dual-Die-Gehäusen lassen sich Speicherriegel mit bis zu 32 GByte Kapazität herstellen.

Wann erste Module mit den neuen Chips auf den Markt kommen werden, verriet Samsung nicht.  (ji)


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Links zum Artikel:
Samsung Semiconductor (.com): http://www.samsungsemi.com/

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