Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0701/49736.html    Veröffentlicht: 04.01.2007 11:48    Kurz-URL: https://glm.io/49736

Samsung: Flash-Chips mit 2 GByte und 50 Nanometern

Koreaner packen 16 Gigabit in einen Baustein

Die nach eigenen Angaben ersten Flash-Bausteine der Welt mit einer Strukturbreite von 50 Nanometern hat nun Samsung hergestellt. Durch eine andere logische Organisation soll nicht nur die Datendichte steigen, sondern sich auch die Leistung drastisch erhöhen.

Samsungs 16-GBit-Flash auf Testchip
Samsungs 16-GBit-Flash auf Testchip
Samsungs 16-GBit-Flash wird derzeit als Muster an die Hersteller von Endgeräten ausgeliefert; die Massenproduktion soll noch im ersten Quartal 2007 starten. Vor allem Flash-Festplatten wie das neue Modell vom Konkurrenten SanDisk hat Samsung dabei im Auge, aber auch mobile Geräte. Dort kommt es auf eine hohe Datendichte in möglichst nur einem Chip an.

Damit auch die Leistung stimmt, hat Samsung die NAND-Speicher auf seinem neuen Baustein in Speicherseiten zu 4 statt bisher 2 KByte organisiert. Die Lesegeschwindigkeit soll sich dabei verdoppeln, das Schreiben immerhin noch 50 Prozent schneller erfolgen. Genaue Angaben zu den erreichbaren Geschwindigkeiten machte Samsung jedoch nicht - diese hängen auch wesentlich vom Rest der Hardware-Umgebung ab.  (nie)


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Links zum Artikel:
Samsung Electronics (.com) - Semiconductors: http://www.samsungelectronics.com/semiconductors/

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