Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0612/49515.html    Veröffentlicht: 18.12.2006 10:17    Kurz-URL: https://glm.io/49515

Erstes 1-GBit-DDR2-DRAM in 60 nm von Hynix

Massenfertigung von 2-GByte-Speicherriegeln beginnt 2007

Als einer der ersten Speicherhersteller kann das südkoreanische Unternehmen Hynix in 60-nm-Prozesstechnik gefertigte 1-GBit-DDR2-DRAMs als Muster liefern. Die Speicherbausteine werden mit effektiv 800 MHz getaktet, sind bereits von Intel validiert worden und sollen günstigere Server- sowie Workstation-Speichermodule ermöglichen.

Hynix: 1-GByte-Riegel mit 60-nm-Modulen
Hynix: 1-GByte-Riegel mit 60-nm-Modulen
Hynix geht davon aus, dass die Fertigungskosten im Vergleich zur 80-nm-Technik durch die schrittweise Umrüstung der eigenen Fertigungsanlagen auf 60-nm-Technik bei den 1-GBit-DRAMs um bis zu 50 Prozent gesenkt werden können. Hynix hofft, damit in Zukunft insbesondere Fully Buffered DIMMs (FBDIMM) und Registered DIMMs (RDIMM) mit Kapazitäten ab 4 GByte günstiger herstellen zu können - die kleinen GBit-DIMMs werden dabei doppelreihig ("planar dual-row assembly") angeordnet. Auch besonders flache, aber weniger Kapazität bietende Speicherriegel sollen durch die 60-nm-DRAMs möglich werden.

Laut Hynix' Vize-Entwicklungsleiter Hong Sung Joo läuft die 60-nm-Fertigung bereits sehr stabil. Die Massenfertigung der 1-GBit-800-MHz-DDR2-DRAMs und ein damit bestückter 2-GByte-Speicherriegel soll in der ersten Jahreshälfte 2007 starten. Speicher für Notebooks und Grafikkarten mit 60-nm-Technik werden laut Hynix erst später kommen.  (ck)


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