Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0604/44942.html    Veröffentlicht: 26.04.2006 13:33    Kurz-URL: https://glm.io/44942

Labor-Transistor schaltet mit 604 GHz

Dreilagige Schaltung mit Gallium-Arsenid

Forscher der Universität von Illinois haben in den USA den derzeit am schnellsten schaltenden Transistor der Welt gebaut. Das Bauteil besteht aus drei Schichten und kann über 600 Milliarden Schaltvorgänge pro Sekunde ausführen.

Ihre Ergebnisse haben Milton Feng und Walid Hafez in der aktuellen Ausgabe der "Applied Physics Letters" veröffentlicht. Ihr neues Bauteil ist wie auch schon frühere Labor-Tranistoren nicht planar, sondern vertikal angeordnet: Die beiden Gates sitzen über- und nicht nebeneinander, wie dies bei aktuell in der Massenfertigung befindlichen Halbleitern der Fall ist.

Aufgebaut haben die Forscher den Transistor in drei Schichten, als Materialien kamen Indiumphosphid und Indium-Galliumarsenid zum Einsatz. Bei der Kollektorschicht haben sie dabei die Kristallstruktur des Gitters verändert - wie, gaben die Wissenschaftler noch nicht an. Der Hinweis deutet aber in die Richtung von Verfahren, wie sie heute schon bei "strained silicon" in den aktuellen Prozessoren von Intel und AMD zum Einsatz kommen: Schon eine Weitung der Gitterstruktur um ein Prozent erhöht die Elektronenbeweglichkeit um mehr als 50 Prozent, was letztendlich die hohen Schaltgeschwindigkeit ermöglicht. Laut Walid Hafez ist dabei zusätzlich die Länge des Weges, über den die Ströme transportiert werden, durch eine erhöhte Indium-Dotierung in der Kollektorschicht gesteigert worden.

Auch wenn die Experimente in Illinois wie üblich noch Jahre von der Massenherstellung entfernt sind, zeigen sie doch das Potenzial der neuen Halbleiter auf. Da bisher noch nicht bekannt ist, wie die Forscher ihren Transistor gebaut haben, ist auch noch nicht abzusehen, ob sich dieses Verfahren in Serie bringen lässt. Der neue Transistor ist jedoch mindestens doppelt so schnell wie die fixesten bisher im Labor hergestellten Bauteile auf Silizium-Basis.  (nie)


Verwandte Artikel:
AMD meldet Durchbruch bei der Transistorforschung   
(10.12.2002, https://glm.io/23076 )
Intel: Indiumantimonid soll Stromverbrauch reduzieren   
(07.12.2005, https://glm.io/42070 )
Freescale: Erster MOSFET mit Gallium Arsenid   
(31.01.2006, https://glm.io/43038 )
Forschung: Toyota steckt Milliarden in autonome Autos   
(03.03.2018, https://glm.io/133127 )
Ausländische Forscher in Deutschland nicht willkommen?   
(13.04.2005, https://glm.io/37479 )

Links zum Artikel:
University of Illinois (.edu): http://www.uiuc.edu/

© 1997–2020 Golem.de, https://www.golem.de/