Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0512/42070.html    Veröffentlicht: 07.12.2005 19:00    Kurz-URL: https://glm.io/42070

Intel: Indiumantimonid soll Stromverbrauch reduzieren

50 Prozent mehr Leistung bei einem Zehntel des Stromverbrauchs

Intel will einen schnellen Transistor mit niedrigem Stromverbrauch entwickeln, der Mitte des nächsten Jahrzehnts die Basis von Mikroprozessoren und anderen logischen Bauteilen werden könnte. Ein erster Prototyp wurde bereits gezeigt.

Wissenschaftler von Intel und QinetiQ haben zusammen einen so genannten Enhancement-Mode-Transistor gezeigt, der Indiumantimonid (InSb) verwendet, um elektrische Ströme im Innern eines Mikroprozessors zu schalten. Dieser Prototyp ist den Entwicklern zufolge viel schneller und verbraucht viel weniger Energie als bisher vorgestellte Transistoren. Das neue Material wird nach Einschätzung von Intel Silizium künftig ergänzen.

Mit einem deutlich verringerten Energieverbrauch und einer geringeren Wärmeentwicklung soll es möglich werden, nicht nur die Akkulaufzeit bei mobilen Geräten stark zu erhöhen, sondern zugleich auch kleinere und leistungsstärkere Geräte zu bauen.

"Durch das neue Material bekommen wir 50 Prozent mehr Leistung und gleichzeitig können wir den Energieverbrauch auf ungefähr ein Zehntel senken", so Ken David, Director Components Research in Intels Technology and Manufacturing Group. Aus Sicht von Intel wird die neue Technik dafür sorgen, dass das Moore'sche Gesetz auch über das Jahr 2015 hinaus seine Gültigkeit behalten kann.

InSb ist ein "III-V-Halbleiter" und besteht aus Elementen der Gruppen III und V des Periodensystems. Diese Halbleiter werden heute in vielen eigenständigen und sehr kleinen integrierten Geräten wie Hochfrequenz-Verstärkern, Geräten, die mit Mikrowellen arbeiten und Halbleiter-Lasern verwendet. Zwar hatte Intel bereits zuvor zusammen mit QinetiQ Transistoren mit InSb vorgestellt, die aktuellen Prototypen sind aber mit einer Gate-Länge von 85 Nanometern um mehr als die Hälfte kleiner.

Laut Intel handelt es sich dabei um die bislang kleinsten Enhancement-Mode-Transistoren, den am weitest verbreiteten Transistortyp bei Mikroprozessoren und anderen logischen Bauteilen. Sie arbeiten mit einer reduzierten elektrischen Spannung von ungefähr 0,5 V.  (ji)


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Links zum Artikel:
Intel (.com): http://www.intel.com
QinetiQ (.com): http://www.qinetiq.com

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