Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0408/32864.html    Veröffentlicht: 09.08.2004 09:55    Kurz-URL: https://glm.io/32864

Infineon arbeitet an FB-DIMM für DDR2

Schneller Speicher für Server soll 2005 erhältlich sein

Infineon hat jetzt einen ersten AMB-Testchip (Advanced Memory Buffer) für die nächste Generation von Server-Speichermodulen auf Basis von DDR2 erfolgreich getestet. Der AMB ist die zentrale Komponente für vollständig gepufferte (Fully Buffered) Speichermodule (FB-DIMMs), die künftig als Standard-Speicher in Servern zum Einsatz kommen sollen.

Während die bisher eingesetzten Speichermodule an den Speicher-Bus parallel angebunden (Multi-Drop-Bus-Architektur) sind, wird bei der neuen Speicher-Bus-Architektur der FB-DIMMs eine Point-to-Point-Verbindung zwischen dem Speicher-Controller und dem ersten Speichermodul sowie den folgenden Speichermodulen eingeführt. Damit ist der Bus-Zugriff unabhängig von der DRAM-I/O-Geschwindigkeit, was hohe Speicherkapazitäten mit schnellen DRAMs ermöglichen soll.

Der AMB-Chip befindet sich dabei auf jedem FB-DIMM und sorgt für die Verteilung der Daten zwischen den DRAMs auf dem DIMM. Dabei puffert er die Daten intern und sendet sie an oder empfängt sie vom nächsten DIMM bzw. Speicher-Controller.

"Wir wollen uns als führender Anbieter von FB-DIMMs etablieren und erwarten uns einen wesentlichen Marktanteil für diese profitablen hochvolumigen Produkte im Server- und Workstation-Markt", so Dr. Carsten Gatzke, Senior Director Produkt Marketing des Geschäftsbereiches Speicherprodukte bei Infineon. Der AMB-Testchip von Infineon implementiert die schnellen I/O-Stufen mit anderen Hochgeschwindigkeitsmerkmalen, wie den Schaltungen für den Dateneingang bzw. -weitergabe, auf einem Logikprozess von Infineon. Der FB-DIMM-Standard sieht dabei ein Daten-Multiplexing mit dem Faktor 6 vor, um bei höheren Geschwindigkeiten die notwendige physikalische Speicherkanalbreite zu reduzieren und die Latenzzeit zu minimieren.

Die maximal erforderliche Datenrate pro I/O-Pin beträgt 4,8 GBit/s (bei DDR2 800), während der AMB-Testchip von Infineon eine Datenrate von 6,0 GBit/s erreichte. Damit sollen ausreichend System-Ressourcen bei geringsten Bitfehler-Raten erreicht werden.

Entwicklungsmuster des FB-DIMMs mit DDR2-DRAM-Chips sollen ab dem 4. Quartal 2004 verfügbar sein. Die Markteinführung ist für die zweite Jahreshälfte 2005 geplant.  (ji)


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Infineon Technologies (.com): http://www.infineon.com

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